Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)
Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197
Browse
8 results
Search Results
Item Stages of Cr, Zn, Cu, Si, Ag, and Al Nucleation under Quasi-equilibrium Condensates of Ion-sputtered Atoms(Sumy State University, 2021) Корнющенко, Ганна Сергіївна; Корнющенко, Анна Сергеевна; Korniushchenko, Hanna Serhiivna; Космінська, Юлія Олександрівна; Косминская, Юлия Александровна; Kosminska, Yuliia Oleksandrivna; Шевченко, Станіслав Тарасович; Шевченко, Станислав Тарасович; Shevchenko, Stanislav Tarasovych; Наталіч, Вікторія Вадимівна; Наталич, Виктория Вадимовна; Natalich, Viktoriia Vadymivna; Перекрестов, Вячеслав Іванович; Перекрестов, Вячеслав Иванович; Perekrestov, Viacheslav IvanovychУ статті представлені результати досліджень етапів нуклеації конденсатів Cr, Zn, Cu, Si, Ag та Al при осадженні надслабких потоків розпиленої магнетроном речовини в квазірівноважних умовах в глибоко очищеному Ar. Досліджений в роботі розширений спектр металів та Si обумовлений необхідністю встановлення найбільш загальних особливостей процесу нуклеації квазірівноважних конденсатів. Як матеріал підкладки використовували свіжі сколи (001) KCl та скло. Структурно-морфологічні характеристики отриманих конденсатів вивчені за допомогою скануючої та просвічуючої електронної мікроскопії. Фазовий склад конденсатів вивчався за допомогою мікродифракції електронів. Для формування надслабких парових потоків іоннорозпилених металів та Si використана вакуумна установка з робочою камерою, що укомплектована трьома магнетронними розпилювачами на постійному струмі. Наднизькі парові потоки, що приймали участь в нуклеації, формувалися за рахунок підвищених тисків робочого газу (6-8 Па) та відстані від мішені до підкладки (80-100 мм). На основі просвічуючої та растрової електронної мікроскопії встановлено, що дія на поверхню (001) KCl часток плазми на першому етапі нуклеації визначає формування суцільної аморфної плівки, з ростом товщини якої відбувається зародження кристалічної фази. Важливою особливістю процесів нуклеації є виявлене в роботі формування базового аморфного прошарку. При збільшенні товщини аморфної базової плівки знижується вплив модифікованої плазмою поверхні (001) KCl на процес аморфізації, і, як наслідок, відбуваються локальні переходи до кристалічної фази. Показано, що залежно від структурноморфологічних характеристик базового шару нанокристалів при подальшій конденсації може формуватися система окремих огранених кристалів або пористі наносистеми.Item Formation and Physical Properties of Multicomponent Coatings Sputter-deposited from Co-Cr-Ni-Ti-Zr-Hf-Ta-W-C Segmented Target(Sumy State University, 2020) Перекрестов, Вячеслав Іванович; Перекрестов, Вячеслав Иванович; Perekrestov, Viacheslav Ivanovych; Космінська, Юлія Олександрівна; Косминская, Юлия Александровна; Kosminska, Yuliia Oleksandrivna; Корнющенко, Ганна Сергіївна; Корнющенко, Анна Сергеевна; Korniushchenko, Hanna Serhiivna; Gannych, Yu.V.; Gedeon, O.Шляхом розпилення мішені-стрижня, що складається з шайб різних металів та вуглецю, отримані багатокомпонентні покриття. Розпилювальний пристрій, що використовувався для отримання покриттів, був розроблений авторами та є модифікацією магнетронного розпилення на постійному струмі з катодним вузлом у вигляді пустотілого катода. Коаксіально розпилювальній мішені-стрижню розташовують трубу, на внутрішню поверхню якої відбувається конденсація. З метою досліджень структурно-фазового стану та фізичних властивостей конденсатів використовують підкладки, які розташовують вздовж внутрішньої поверхні труби паралельно осі мішені-стрижня. На основі вивчення методом EDXA розподілу елементного складу конденсатів на таких підкладках за використання набору шайб з металів Co, Cr, Ni, Ti, Zr, Hf, Ta, W та вуглецю встановлено формування покриттів (TiTaW)C0.34, (TaTiWCrHf)C0.22, (WTaTiCrHfCo)C0.12, (CrWHfTaCoNiTiZr)C0.1, (CrHfWNiCoTaTi)C0.09 та (CrHfNiCoWTa)C0.08. При дослідженні покриттів за допомогою ПЕМ та РЕМ, а також рентгенофазового аналізу зроблено висновок про те, що їх структура при збільшенні вмісту вуглецю змінюється від дрібнодисперсних полікристалів до аморфного стану. З підвищенням концентрації вуглецю приблизно до 22 ат. % відбувається зменшення шорсткості поверхні покриттів, карбідизація твердого розчину Ті, Та, Hf, Cr, W та відповідне підвищення мікротвердості покриттів до 17 ГПа. Насамкінець, елементним складом покриттів можна керувати, варіюючи склад та геометричні параметри складеної мішені-стрижня.Item Отримання, структура та сенсорні властивості фрактально-перколяційних наносистем ZnO(Сумський державний університет, 2018) Корнющенко, Ганна Сергіївна; Корнющенко, Анна Сергеевна; Korniushchenko, Hanna Serhiivna; Наталіч, Вікторія Вадимівна; Наталич, Виктория Вадимовна; Natalich, Viktoriia Vadymivna; Перекрестов, Вячеслав Іванович; Перекрестов, Вячеслав Иванович; Perekrestov, Viacheslav Ivanovych; Космінська, Юлія Олександрівна; Косминская, Юлия Александровна; Kosminska, Yuliia OleksandrivnaБули отримані фрактально-перколяційні наносистеми ZnO у вигляді з’єднаних між собою нанониток з близьким до стехіометричного елементним складом та з відповідними для оксиду цинку параметрами гексагональної решітки. Вперше на основі досліджень вольт-амперних характеристик в фрактально-перколяційних наносистемах ZnO показана принципова можливість розпізнавання таких реагентів, як ацетон, метанол та метан-бутанова суміш. Зроблено припущення про те, що зарядоперенос і, як наслідок, вольт-амперні характеристики визначаються радіусами окремих нанониток, які менші ніж довжина дебаєвського екранування. У свою чергу адсорбційно-десорбційні реакції різних реагентів на поверхні нанониток призводять до утворення різних за конфігурацією кластерів, що в свою чергу забезпечують різні за характером вольт-амперні характеристики.Item Получение пленок карбида кремния методом магнетронного распыления составной углерод-кремниевой мишени(Сумский государственный университет, 2015) Перекрестов, Вячеслав Іванович; Перекрестов, Вячеслав Иванович; Perekrestov, Viacheslav Ivanovych; Корнющенко, Ганна Сергіївна; Корнющенко, Анна Сергеевна; Korniushchenko, Hanna Serhiivna; Загайко, Інна Володимирівна; Загайко, Инна Владимировна; Zahaiko, Inna VolodymyrivnaУ роботі проаналізовано відомі методи отримання конденсатів SiC, політипу цього з'єднання, а також запропонована методика отримання карбіду кремнію за допомогою магнетронного розпилення складових мішеней. Наведено розрахунки оптимальних геометричних характеристик складеної з кремнію і графіту мішені для магнетронного розпилення. За результатами дослідження структури конденсатів SiC за допомогою ПЕМ і дифракції електронів, а також на підставі визначення елементного складу при використанні енерго-дисперсійного аналізу були уточнені геометричні характеристики складової мішені, а також встановлені оптимальні технологічні умови отримання конденсатів у вигляді політипу 3С-SiC, з близьким до стехіометричного елементним складом.Item Получение и некоторые особенности окисления наносистем Zn(Сумский государственный университет, 2014) Латишев, Віталій Михайлович; Латышев, Виталий Михайлович; Latyshev, Vitalii Mykhailovych; Корнющенко, Ганна Сергіївна; Корнющенко, Анна Сергеевна; Korniushchenko, Hanna Serhiivna; Перекрестов, Вячеслав Іванович; Перекрестов, Вячеслав Иванович; Perekrestov, Viacheslav IvanovychВивчені закономірності формування наносистем цинку при конденсації слабко пересичених парів у високочистому інертному середовищі при варіюванні таких технологічних параметрів, як потужність розряду магнетронного розпилювача та тиск робочого газу (Ar). За допомогою рентгенофазового аналізу і РЕМ-досліджень з’ясовано, що найбільш тонкі та взаємозв’язані нанонитки цинку формуються при тиску робочого газу 12 Па і потужності магнетронного розпилювача 30 Вт. Показано, що процеси окислення наносистем цинку з максимально можливим збереженням морфології вихідних структур можливі при використанні в якості окислювального середовища суміші газів CO2 і O2.Item Отримання шарів AlN при магнетронному розпиленні алюмінію в газовій суміші Ar + N2(Сумський державний університет, 2014) Корнющенко, Ганна Сергіївна; Корнющенко, Анна Сергеевна; Korniushchenko, Hanna SerhiivnaВ даній роботі були проведені дослідження впливу параметрів експерименту, таких як потужність розряду, тиск робочого газу, температура ростової поверхні на процес формування та основні характеристики шарів нітриду алюмінію. В результаті оптимізації вказаних параметрів одержані близькі до стехіометричного складу шари AlN, що мають кристалічну будову з гексагональною граткою типу вюрциту. Проведені дослідження структури, фазового складу та мікротвердості конденсатів, які мають найбільш близькі до стехіометричних елементні склади. Мікротвердість отриманих покриттів склала 0.760÷1.12Гпа. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36029Item Структурообразование слоев меди при околоравновесной стационарной конденсации в накопительных ионно-плазменных системах(Видавництво СумДУ, 2008) Перекрестов, Вячеслав Иванович; Корнющенко, Анна Сергеевна; Косминская, Юлия Александровна; Дешин, Борис Викторович; Дьошин, Борис Вікторович; Doshyn, Borys Viktorovych; Корнющенко, Ганна Сергіївна; Korniushchenko, Hanna Serhiivna; Космінська, Юлія Олександрівна; Kosminska, Yuliia Oleksandrivna; Перекрестов, Вячеслав Іванович; Perekrestov, Viacheslav IvanovychItem О возможности образования алмазной фазы в процессе перехода паров углерода в конденсированное состояние и облучения ростовой поверхности интенсивным потоком электронов(Издательство СумГУ, 2005) Перекрестов, Вячеслав Иванович; Косминская, Юлия Александровна; Корнющенко, Анна Сергеевна; Корнющенко, Ганна Сергіївна; Korniushchenko, Hanna Serhiivna; Космінська, Юлія Олександрівна; Kosminska, Yuliia Oleksandrivna; Перекрестов, Вячеслав Іванович; Perekrestov, Viacheslav IvanovychИзучен механизм структурообразования конденсатов углерода при воздействии на ростовую поверхность интенсивного потока электронов и отводе теплоты от подложки. Установлено, что под действием кратковременных локальных микроразрядов происходит образование алмазоподобных включений по признаку из диэлектрических свойств. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/746