Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)
Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197
Browse
Search Results
Item Optical and Electrical Properties of n-type Porous Silicon Produced by Electrochemical Etching and Study the Influence of y-irradiation(Sumy State University, 2019) Sulaiman, A.A.; Muhammed, A.A.K.; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym MykolaiovychШари пористого кремнію були отримані методом електрохімічного травлення. Нами було проведене дослідження фізичних та структурних властивостей шарів. Растрова електронна мікроскопія (РЕМ) та фрактографія були використані для дослідження впливу гамма-випромінювання на поруватість зразків в залежності від ступеня опромінення. Ріст поруватості у проекції ширини може бути пояснений збільшенням кількості дірок на поверхні шару кремнію при збільшенні дози опромінення. Фрактограми шарів вказують на ріст кристалітів перпендикулярно підкладці з орієнтацією росту <111>. Дослідження спектрів пропускання та відбивання показало, що при збільшенні дози опромінення від 0 до 100 Гр значення пропускання зразка зменшувалося, а відбивання, відповідно, збільшувало своє значення. Дослідження спектрів фотолюмінесценції шарів вказало на те, що утворення суцільних шарів кремнію призводить до зменшення інтенсивності піків фотолюмінесценції при збільшенні інтенсивності гама-випромінювання, що пов’язане зі збільшенням площі поверхні зразка та більшим значенням забороненої зони порівняно з масивним зразком. Був проведений розрахунок таких електрофізичних параметрів, як питомі опори та провідності, висота потенційного бар’єру та фактор ідеальності. Висота потенційного бар’єру у всіх випадка мала невелике значення, що пов’язано з наявністю інтерфейсу між шаром пористого кремнію та кремнієвою підкладкою, що призводить до виникнення дефектної підструктури. При збільшенні дози опромінення з 0 до 100 Гр фактор ідеальності збільшував своє значення з 1,544 до 17,563, відповідно. Спостерігалося зменшення значення питомого опору при збільшенні значення гамма-опромінення.