Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)
Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197
Browse
Search Results
Item Зависимость конфигурации пористого слоя фосфида индия от концентрации носителей заряда(Издательство СумГУ, 2010) Сычикова, Я.А.; Кидалов, В.В.; Сукач, Г.А.В данной работе представлены экспериментальные результаты, демонстрирующие влияние уровня легирования фосфида индия на формирование пористого слоя на его поверхности во время электрохимического травления. Установлено, что наиболее качественные пористые слои формируются при использовании кристаллов с концентрацией свободных носителей заряда 2,3×10^18 см^(-3). Также представлены результаты наблюдений слоистой неоднородности InP, которая объяснена с точки зрения особенности технологического процесса выращивания сильнолегированных кристаллов. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9215