Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)
Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197
Browse
4 results
Search Results
Item Особливості електропровідності та магнітоопору ниткоподібних кристалів кремнію з концентрацією домішки в області переходу метал-діелектрик за низьких температур(Сумський державний університет, 2018) Буджак, Я.С.; Лях-Кагуй, Н.С.; Островський, І.П.; Дружинін, А.О.Проведено дослідження електропровідності та магнітоопору ниткоподібних кристалів кремнію, легованих бором, до концентрації, що відповідає близькості до переходу метал-діелектрик в діапазоні магнітних полів (0 ÷ 14) Тл за температур (4,2 ÷ 77) К. За допомогою великого термодинамічного потенціала Гіббса були обґрунтовані кінетичні тензори узагальнених термодинамічних рівнянь електропровідності. Показано вплив просторового квантування в 2D та 1D кристалах на їх фундаментальні кінетичні властивості. Встановлено, що ниткоподібний кристал є природною радіальною «гетероструктурою» з різним вмістом легуючої домішки в ядрі та оболонці. На основі порівняння теоретично розрахованих та експериментально виміряних польових залежностей магнітоопору виявлено, що вміст домішки в оболонці відповідає металевому боку переходу і становить Na - 5.1019 см – 3, а в ядрі кристала – діелектричному боку переходу Na = 5,4-1017 см – 3.Item Вплив рівня легування на газову чутливість кремнієвих p-n переходів(Сумський державний університет, 2018) Птащенко, O.O.; Птащенко, Ф.O.; Гільмутдінова, В.Р.; Кирничук1, О.С.Експериментально досліджено характеристики кремнієвих дифузійних p-n переходів як сенсорів парів води і аміаку в широкому діапазоні значень градієнта концентрації домішок a. Встановлено, що зменшення величини a від 6·1023 см – 4 до 5·1019 см – 4 знижує поріг чутливості Pm p-n структур до парів NH3 (тобто, мінімальний парціальний тиск парів, який можна зареєструвати) на два порядки, до значень біля 0,5 Па. Ця величина значно нижча, ніж у мембран із мезопористого кремнію і кремнієвих нанодротів, виготовлених із пластин з концентрацією домішки бору 1018 см – 3. Розкид порогу чутливості серед досліджених зразків пояснюється впливом неконтрольованих поверхневих центрів. Обробка зразків послідовно у HF і воді різко підвищує поріг чутливості, а витримка у водному розчині Na2S значно знижує його.Item Функціоналізація поверхні кремнію самоорганізованими германієвими структурами(Сумський державний університет, 2018) Закіров, М.І.; Курилюк, В.В.Шляхом хімічного осадження розчину на основі германію здійснено обробку поверхні кремнієвих пластин. За допомогою Фур’є-спектрів інфрачервоного поглинання проаналізовано особливості хіміч- них зв’язків в приповерхневій області пластин Si після їх функціоналізації. З використанням методу кінетики загасання поверхневої фото-ЕРС досліджено особливості процесів рекомбінації фотогенеро- ваних носіїв заряду після обробки поверхні кремнію. Виявлено, що запропонована методика функціо- налізації поверхні зумовлює збільшення часу релаксації нерівноважних носіїв заряду.Item Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики(Сумський державний університет, 2015) Слободзян, Д.П.; Павлик, Б.В.; Кушлик, М.О.У роботі описано вплив малих доз Х-випромінювання (D < 400 Гр) та слабкого магнітного поля (B 0,17 Тл) на зміну вольт-амперних та вольт-фарадних характеристик поверхнево-бар’єрних стру-ктур Bi-Si-Al на основі кристалів p-Si з концентрацією дислокацій 102 см – 2 в приповерхневому шарі кремнію. Досліджено та проаналізовано процес накопичення заряду в діелектричному шарі SiO2 таких структур за дії зовнішніх полів.