Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)
Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197
Browse
Search Results
Item Improving the Performance of CZTS/CZTSSe Tandem Thin Film Solar Cell(Sumy State University, 2024) Hafaifa, L.; Maache, M.; Bouabdelli, M.W.Методом чисельного моделювання з використанням Silvaco-Atlas досліджені параметри тандемних сонячних елементів CZTS/CZTSSe. По-перше, характеристики звичайних CZTS/CdS/ZnO та CZTSSe/CdS/ZnO окремих сонячних елементів із товщиною обох шарів поглинача 360 нм та 3 нм відповідно були досліджені незалежно. Тонкоплівкова комірка CZTS з широкою забороненою зоною та комірка на основі CZTSSe з вузькою забороненою зоною мають ефективність перетворення 11,10 % і 13,76 % відповідно. Це узгоджується з результатами експериментів і моделювання, опублікованими раніше. Крім того, ідентифікується конфігурація тандемної клітини CZTS/CZTSe, яка зберігає ідентичні властивості матеріалу. Отримана висока ефективність перетворення 25,27 %. Товщина адсорбційного шару CZTS верхньої комірки була оптимізована як вирішальний фактор для підвищення продуктивності тандему. Оптимальна товщина, яка збігається з найвищою ефективністю 26,05%, становить 420 нм. Отримані вихідні параметри: Jsc = 28,46 мА/см2, Voc = 1,27 В і FF = 71,83 %. Ці запропоновані результати можуть допомогти в майбутніх дослідженнях і призвести до виготовлення сонячних елементів на основі CZTSSe.Item Electron Transport Layer Material Optimization for Cs2AgBiBr6 Based Solar Cell Using SCAPS(Sumy State University, 2024) Das, S.; Kanakavalli, P.B.; Cheerla, S.; Narzary, S.; Gohain, P.P.; Chakraborty, K.; Paul, S.Проблеми з токсичністю та стабільністю перовскітних сонячних батарей на основі свинцю обмежили комерціалізацію. Подвійний перовскіт на основі цезію, що не містить свинцю, може стати життєздатною відповіддю на ці проблеми. У цій роботі проведено теоретичний аналіз подвійної перовскітної сонячної батареї на основі цезію з використанням Spiro-OMeTAD як шару для транспортування дірок і ефекту різних ETL, таких як SnO2, ZnO-NR, TiO2 і CdS. Було використано оптимізовану товщину активного шару 0,3 мкм і змодельовано структуру пристрою FTO/ETLs/Cs2AgBiBr6/Spiro-OMeTAD/Cu. Симулятор ємності сонячних батарей (SCAPS-1D) використовувався для одновимірного моделювання та аналізу. Максимальний PCE 5,62 % було знайдено з використанням SnO2 як ETL. Продуктивність пристрою була оптимізована шляхом використання різних ETL, і було виявлено, що найбільш підходящим ETL для цієї структури є SnO2. Максимальна квантова ефективність 86,09 % отримана для електроннотранспортного шару SnO2. Результати моделювання перспективні та дадуть глибокі вказівки щодо заміни токсичного перовскіту на основі свинцю екологічно чистими сонячними елементами з неорганічного перовскіту.Item Crystal Silicon Photoconductivity with Amorphous Inclusions(Sumy State University, 2024) Babychenko, O.; Sushko, O.; Babychenko, S.; Logunov, V.; Bendeberya, H.Представлені результати чисельно-аналітичного моделювання фотопровідності кристалічного кремнію з включеннями аморфного кремнію, які можуть бути використані при вивченні принципів роботи нового класу фотоелектричних перетворювачів на основі модифікованих напівпровідникових матеріалів. Вихідними даними для такої моделі мають бути експериментально отримані параметри шарів. При розрахунках припускалось, що зміна фотопровідності обумовлена зміною ступеня розупорядкованності аморфних включень. Було зроблене припущення, що в напівпровідниковій структурі домінують циліндричні включення та ступінь розупорядкованності зразка γ змінюється в діапазоні від 0.040 до 0.065. Тобто в об’ємі кристалічної структури приблизно 5 % аморфних включень. У роботі наведені результати розрахунків зміни фотопровідності в залежності від ступеню розупорядкованності напівпровідникової структури. Результати співпадають з раніше отриманими експериментальними даними на аморфно-кристалічних структурах, утворених в результаті опромінення γ-квантами. Фотопровідність напівпровідникових зразків опромінених гамма-квантами досліджувалися НВЧ фотомодуляційними методами за допомогою резонаторного вимірювального перетворювача.