Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)
Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197
Browse
4 results
Search Results
Item Optical and Electrical Properties of n-type Porous Silicon Produced by Electrochemical Etching and Study the Influence of y-irradiation(Sumy State University, 2019) Sulaiman, A.A.; Muhammed, A.A.K.; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym MykolaiovychШари пористого кремнію були отримані методом електрохімічного травлення. Нами було проведене дослідження фізичних та структурних властивостей шарів. Растрова електронна мікроскопія (РЕМ) та фрактографія були використані для дослідження впливу гамма-випромінювання на поруватість зразків в залежності від ступеня опромінення. Ріст поруватості у проекції ширини може бути пояснений збільшенням кількості дірок на поверхні шару кремнію при збільшенні дози опромінення. Фрактограми шарів вказують на ріст кристалітів перпендикулярно підкладці з орієнтацією росту <111>. Дослідження спектрів пропускання та відбивання показало, що при збільшенні дози опромінення від 0 до 100 Гр значення пропускання зразка зменшувалося, а відбивання, відповідно, збільшувало своє значення. Дослідження спектрів фотолюмінесценції шарів вказало на те, що утворення суцільних шарів кремнію призводить до зменшення інтенсивності піків фотолюмінесценції при збільшенні інтенсивності гама-випромінювання, що пов’язане зі збільшенням площі поверхні зразка та більшим значенням забороненої зони порівняно з масивним зразком. Був проведений розрахунок таких електрофізичних параметрів, як питомі опори та провідності, висота потенційного бар’єру та фактор ідеальності. Висота потенційного бар’єру у всіх випадка мала невелике значення, що пов’язано з наявністю інтерфейсу між шаром пористого кремнію та кремнієвою підкладкою, що призводить до виникнення дефектної підструктури. При збільшенні дози опромінення з 0 до 100 Гр фактор ідеальності збільшував своє значення з 1,544 до 17,563, відповідно. Спостерігалося зменшення значення питомого опору при збільшенні значення гамма-опромінення.Item Удосконалення електрохімічних суперконденсаторів шляхом використання наноструктурованих напівпровідників(Сумський державний університет, 2018) Вамболь, С.О.; Богданов, І.Т.; Вамболь, В.В.; Сичікова, Я.О.; Кондратенко, О.М.; Онищенко, С.В.; Несторенко, Т.П.У роботі розглядаються шляхи підвищення ефективності електрохімічних суперконденсаторів за рахунок використання у якості електродів поруватих напівпровідників. Представлено методику виготовлення поруватого шару на поверхні фосфіду індію. Встановлено основні закономірності формування поруватих просторів та залежності морфологічних властивостей від режимів травлення. Для того, щоб забезпечити хімічну інертність наноструктурованої поверхні, запропоновано вкривати її шаром графіту. Це підвищує опір отриманих структур та стає підґрунтям для використання їх у якості електродів суперконденсаторів.Item Effect of the type of electrolyte аnion on the porous InP morphology obtained by the electrochemical etching(Видавництво СумДУ, 2009) Suchikova, Ya.A.; Kidalov, V.V; Sukach, G.A.In this work the analysis of the dependence of the porous InP morphology on the type of reacting anion is presented. It is shown that nanoporous InP layers are obtained under certain conditions of electrochemical etching. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9352Item Зависимость конфигурации пористого слоя фосфида индия от концентрации носителей заряда(Издательство СумГУ, 2010) Сычикова, Я.А.; Кидалов, В.В.; Сукач, Г.А.В данной работе представлены экспериментальные результаты, демонстрирующие влияние уровня легирования фосфида индия на формирование пористого слоя на его поверхности во время электрохимического травления. Установлено, что наиболее качественные пористые слои формируются при использовании кристаллов с концентрацией свободных носителей заряда 2,3×10^18 см^(-3). Также представлены результаты наблюдений слоистой неоднородности InP, которая объяснена с точки зрения особенности технологического процесса выращивания сильнолегированных кристаллов. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9215