Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)
Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197
Browse
8 results
Search Results
Item Research of Microhardness of Thin Ceramic Coatings Formed by Combined Electron-beam Method on Dielectric Materials(Sumy State University, 2019) Antonyuk, V.S.; Bondarenko, Yu.Yu.; Bilokin’, S.O.; Andrienko, V.O.; Bondarenko, M.O.Встановлені особливості отримання на поверхнях діелектриків (на прикладі кремнію Кр1) тонких керамічних покриттів (TiO2 + Al2O3, Al2O3, ZrO2) при їх формуванні термічним випаровуванням у вакуумі. Досліджено механізм підвищення мікротвердості таких покриттів шляхом їх поверхневого модифікування електронним потоком стрічкової форми. Показано, що комбіноване термовакуумне нанесення тонких керамічних покриттів із порошкових матеріалів на поверхню кремнію Кр1 з наступним їх модифікуванням електронним потоком низької енергії в одному технологічному циклі, дозволяє суттєво зменшити мікрорельєф та стабілізувати однорідність поверхонь покриттів, а також підвищити хімічну і біологічну стійкість цих покриттів до впливу оточуючого середовища. Визначено умови якісного знаходження мікротвердості досліджуваного матеріалу із залученням методу атомно-силової мікроскопії. Проведені дослідження мікротвердості як модифікованих покриттів, так і поверхонь діелектриків, на які проводилося їх нанесення. Встановлено факт нелінійного збільшення мікротвердості (на 13-17 %) тонких покриттів, нанесених на поверхню діелектричного матеріалу комбінованим електронно-променевим методом по мірі зменшення товщини цих покриттів. Показана можливість визначення мікротвердості багатошарових мультифункціональних керамічних покриттів, отриманих комбінованою електронно-променевою технологією, за різних умов та різних режимів проведення технологічного експерименту.Item Modification of the Defective Structure of Silicon under the Influence of Radiation(Sumy State University, 2019) Gaidar, G.P.; Pinkovska, M.B.; Starchyk, M.I.Досліджено особливості дефектоутворення у поверхневих і приповерхневих шарах Si під впливом опромінення пучками високоенергетичних іонів газів різних мас і показано перспективи використання таких іонних пучків для технології радіаційного легування напівпровідників. Встановлено, що ступінь пошкодження Si як в області пробігу іонів, так і в області їхнього гальмування збільшується і ускладнюється зі збільшенням енергії і маси іонів. Найбільші порушення структури спостерігалися в області гальмування іонів, де концентрація дефектів була максимальною. Виявлено, що структура області пробігу після опромінення протонами істотно не змінювалася, на відміну від сильно пошкодженої структури після опромінення альфа-частинками. Більш впорядковані та вузькі лінії напружень, пов'язані з дефектами, спостерігалися в Si, опроміненому протонами, а їхня кількість і розташування щодо гальмівної лінії залежали від інтенсивності пучка іонів. Встановлено для Si, опроміненого альфа-частинками, що область їхнього гальмування складається з порожнеч різних розмірів і форм, витравлених як суцільний шар та у вигляді окремих кластерів, що супроводжуються дислокаційними петлями, які утворилися. З'ясовано, що складна структура смуги гальмування дейтронів у кремнії зумовлена наявністю дислокацій у вихідному Si, їхнім рухом і взаємодією з радіаційними дефектами при опроміненні. Остаточна картина формування і впорядкування дефектів визначається взаємодією ростових і радіаційних дефектів і температури при опроміненні. Виявлено зміни ширини витравленої смуги гальмування в межах від 20 до 200 мкм залежно від маси іонів. Мінімальну ширину гальмівної смуги для всіх типів опромінення отримано на краю опромінюваної області, де температура зразка була нижчою внаслідок охолодження, а максимальну – в центрі опромінюваної області.Item Особливості електропровідності та магнітоопору ниткоподібних кристалів кремнію з концентрацією домішки в області переходу метал-діелектрик за низьких температур(Сумський державний університет, 2018) Буджак, Я.С.; Лях-Кагуй, Н.С.; Островський, І.П.; Дружинін, А.О.Проведено дослідження електропровідності та магнітоопору ниткоподібних кристалів кремнію, легованих бором, до концентрації, що відповідає близькості до переходу метал-діелектрик в діапазоні магнітних полів (0 ÷ 14) Тл за температур (4,2 ÷ 77) К. За допомогою великого термодинамічного потенціала Гіббса були обґрунтовані кінетичні тензори узагальнених термодинамічних рівнянь електропровідності. Показано вплив просторового квантування в 2D та 1D кристалах на їх фундаментальні кінетичні властивості. Встановлено, що ниткоподібний кристал є природною радіальною «гетероструктурою» з різним вмістом легуючої домішки в ядрі та оболонці. На основі порівняння теоретично розрахованих та експериментально виміряних польових залежностей магнітоопору виявлено, що вміст домішки в оболонці відповідає металевому боку переходу і становить Na - 5.1019 см – 3, а в ядрі кристала – діелектричному боку переходу Na = 5,4-1017 см – 3.Item Вплив рівня легування на газову чутливість кремнієвих p-n переходів(Сумський державний університет, 2018) Птащенко, O.O.; Птащенко, Ф.O.; Гільмутдінова, В.Р.; Кирничук1, О.С.Експериментально досліджено характеристики кремнієвих дифузійних p-n переходів як сенсорів парів води і аміаку в широкому діапазоні значень градієнта концентрації домішок a. Встановлено, що зменшення величини a від 6·1023 см – 4 до 5·1019 см – 4 знижує поріг чутливості Pm p-n структур до парів NH3 (тобто, мінімальний парціальний тиск парів, який можна зареєструвати) на два порядки, до значень біля 0,5 Па. Ця величина значно нижча, ніж у мембран із мезопористого кремнію і кремнієвих нанодротів, виготовлених із пластин з концентрацією домішки бору 1018 см – 3. Розкид порогу чутливості серед досліджених зразків пояснюється впливом неконтрольованих поверхневих центрів. Обробка зразків послідовно у HF і воді різко підвищує поріг чутливості, а витримка у водному розчині Na2S значно знижує його.Item Entropy of Cluster System in Silicon Melt(Sumy State University, 2018) Khrypko, S.L.; Golovko, O.K.The full entropy's cluster component of the silicon melt is defined in the assumption of gammadistribution of microcluster in the form of chains with covalent interatomic bonds. The entropy is calculated for temperatures characteristic of the practice of growing single crystals from the melt, as well for the precipitation of silicon from the vapor phase of individual silicon clusters. The estimation results are consistent with literary data for clusters' entropy in simple liquids. The entropy of two- and three-atom microcluster at temperatures close to the melting point of silicon changes not monotonously. This indicates that in the process of growing a single crystal in silicon melt there is a continuous structural alteration near to the crystallization front. This work's aim is to deepen the understanding of the crystallization's structural aspects of elementary semiconductors from melt, which may be useful for improving the processes of growing their single crystals and amorphous films.Item Функціоналізація поверхні кремнію самоорганізованими германієвими структурами(Сумський державний університет, 2018) Закіров, М.І.; Курилюк, В.В.Шляхом хімічного осадження розчину на основі германію здійснено обробку поверхні кремнієвих пластин. За допомогою Фур’є-спектрів інфрачервоного поглинання проаналізовано особливості хіміч- них зв’язків в приповерхневій області пластин Si після їх функціоналізації. З використанням методу кінетики загасання поверхневої фото-ЕРС досліджено особливості процесів рекомбінації фотогенеро- ваних носіїв заряду після обробки поверхні кремнію. Виявлено, що запропонована методика функціо- налізації поверхні зумовлює збільшення часу релаксації нерівноважних носіїв заряду.Item Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики(Сумський державний університет, 2015) Слободзян, Д.П.; Павлик, Б.В.; Кушлик, М.О.У роботі описано вплив малих доз Х-випромінювання (D < 400 Гр) та слабкого магнітного поля (B 0,17 Тл) на зміну вольт-амперних та вольт-фарадних характеристик поверхнево-бар’єрних стру-ктур Bi-Si-Al на основі кристалів p-Si з концентрацією дислокацій 102 см – 2 в приповерхневому шарі кремнію. Досліджено та проаналізовано процес накопичення заряду в діелектричному шарі SiO2 таких структур за дії зовнішніх полів.Item Design and simulation of thin-film silicon quantum well photovoltaic cell(Видавництво СумДУ, 2011) Sircar, R.; Tripathi, B.; Gupta, S.A new thin-film silicon photovoltaic cell could be designed by inserting quantum well layers in the intrinsic region. Calculations show the improvement in spectral absorption due to the quantum well layer insertion. This article reports the design parameters and enhanced spectral absorption for a newly designed thin-film silicon quantum well photovoltaic cell. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/10573