Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (КІ)
Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/69478
Browse
15 results
Search Results
Item Моделювання процесів рекомбінації в напівпровідникових сполуках(Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету", 2023) Конончук, М.О.Об’єктом дослідження дипломної роботи є моделювання процесів рекомбінації та інших характеристик фотоелектричних перетворювачів. Мета роботи полягає у знаходженні напруги холостого ходу та коефіцієнта корисної дії (ККД). При виконанні роботи використовувалася програма SCAPS 3307 Визначені напруга холостого ходу UOC, густина струму короткого замикання JSC, фактор заповнення FF, коефіцієнт корисної дії приладу в залежності від його конструктивних особливостей (товщини віконного, поглинального та приконтактного шарів) та робочої температури. Встановлені параметри СЕ з максимальною ефективністю. Одним із шляхів подолання глобальної енергетичної кризи є масове використання наземних фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) сонячної енергії. На даний час найпоширенішими сонячними елементами (СЕ), що використовуються, є такі, які базуються на кремнієвих технологіях. Альтернативою їм є тонкоплівкові гетероперехідні ФЕП на основі прямо зонних напівпровідників. Тонкі плівкові фотоелектричні батареї досягли комерційної зрілості та надзвичайно високої ефективності, що робить їх конкурентоспроможними навіть за допомогою дешевих китайських кристалічних кремнієвих модулів. Однак деякі проблеми (пов'язані з наявністю токсичних та / або рідкісних елементів) все ще обмежують їх ринкову дифузію. З цієї причини були введені нові тонкоплівкові матеріали, такі як Cu2ZnSnS4. Дослідження так званих фотоелектричних елементів "наступного покоління" зосереджені на розробці економних, чистих джерел енергії. Одними з найбільш досліджених архітектур є сенсибілізовані, сенсибілізовані фотоелектричні елементи органічні та напівпровідникові матеріали. Незважаючи на отримані обнадійливі результати, все ще існують численні перешкоди, такі як відсутність довготривалої стабільності фотоелектричних елементів, неефективне завантаження барвників або квантових точок (КТ) як сенсибілізаторів, втрати носіїв за допомогою процесів хаотичної рекомбінації, неефективне вирівнювання смуги між матеріалами, і т. д., які потребують рішення для створення високоефективних, стабілізованих та дешевих фотоелектричних пристроїв.Item Чисельне моделювання структури та характеристик фотоперетворювачів на основі нанодротів(Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету", 2023) Стадніченко, Р.О.Обґрунтуванням актуальності теми є зростання потреби у високоефективних та низьковартісних сонячних панелях з використанням фотоперетворювачів на основі нанодротів. Мета роботи полягає у вивчені фізичних особливостей нанодротяних сонячних елементів, їх чисельному моделюванню робочих параметрів та температури експлуатації, аналізу отриманих результатів. Відповідно до мети, вирішувалися такі задачі: - вивчення фізичних принципів роботи фотоперетворювачів, їх види та конструкції, методики комп’ютерного моделювання структур; - чисельне моделювання та аналіз структур сонячних елементів на основі нанодротів. При виконанні роботи використовувалися методи комп’ютерного приладно-технологічного моделювання у середовищі Silvaco TCAD для моделювання структур. У результаті проведених досліджень було виконано моделювання структур фотоелектричних перетворювачів на основі нанодротів, розвинуто навички роботи з транспортними моделями, зроблено висновки за результатами комп’ютерного моделювання структур. Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є структурні та робочі характеристики фотоперетворювачів на основі нанодротів. Предмет досліджень світлові та темнові вольт-амперні характеристики, електричні параметри нанодротяних сонячних елементів.Item Моделювання робочих характеристик фотоперетворювачів на базі CZTS/ZnO(Конотопський інститут Сумського державного університету, 2022) Симоненко, М.Г.Об’єктом дослідження дипломної роботи є моделювання фізичних процесів, які відбуваються при фотоперетворенні у сонячному елементі, виконаному на основі CZTS/ZnO. Мета роботи полягає у визначенні оптимальних конструктуивних параметрів, які дозволять отримати максимально можливу ефективність фотоелектричного перетворення конкретного сонячного елементу. При виконанні роботи використовувалося програмне середовище SCAPS. Були визначені оптимальні значення товщин поглинаючого, віконного, фронтального струмознімального шарів, які дозволили встановити параметри фотоелектричного перетворювача з максимальною ефективністю.Item Моделювання оптичних втрат фотоперетворювачів на базі CIGS/ZnO(Конотопський інститут Сумського державного університету, 2022) Роменець, А.О.Об’єктом дослідження дипломної роботи є моделювання характеристик сонячних перетворювачів на основі CIGS. Мета роботи полягає у знаходженні напруги холостого ходу та коефіцієнта корисної дії (ККД). При виконанні роботи використовувалася програма SCAPS. Визначені напруга холостого ходу UOC, густина струму короткого замикання JSC, фактор заповнення FF, коефіцієнт корисної дії приладу в залежності від його конструктивних особливостей (товщини віконного, поглинального та приконтактного шарів) та робочої температури. Встановлені параметри СЕ з максимальною ефективністю.Item Моделювання оптичних втрат на гетеропереході ZnO/CdS(Сумський державний університет, 2022) Османова, Є.Р.Oб’єктoм дoслідження диплoмнoї рoбoти є мoделювaння oптичних втрaт сoнячних перетвoрювaчів нa oснoві ZnO, ITO, CdS, CdTe. Метa рoбoти пoлягaє у знaхoдженні зaгaльoгo впливу oптичних втрaт нa ефективність фoтoперетвoрення. При викoнaнні рoбoти викoристoвувaвся прoгрaмний пaкет Microsoft Excel. Oтримaні знaчення втрaт нa відпивaння, прoпускaння тa пoглинaння дoзвoлили oтримaти прoцентне віднoшення цих втрaт у кoефіцієнт кoриснoї дії мoдельoвaнoгo сoнячнoгo елементa в зaлежнoсті від йoгo кoнструктивних oсoбливoстей (тoвщини вікoннoгo, пoглинaльнoгo тa прикoнтaктнoгo шaрів).Item Особливості росту напівпровідникових плівок халькогенідів(Конотопський інститут Сумського державного університету, 2022) Зікратий, О.С.Об’єктом дослідження дипломної роботи є фізичні основи керування структурно чутливими оптичними характеристиками приладових структур, придатних для використання у оптоелектроніці та геліоенергетиці. Мета роботи полягає у аналізі нових матеріалів для оптоелектроніки та геліоенергетики, які є придатними для використання в якості базових напівпровідникових шарів фотоперетворювачів високої ефективності. При виконанні роботи використовувались сучасні літературні джерела з даної тематики. У першому розділі був проведений літературний аналіз сучасних джерел, за яким був обраний подальший напрям дослідження з даного питання. У другому розділі були описані нові матеріали сонячної енергетики, придатні для використання в якості поглинальних та фотокондуктивних шарів фотоперетворювачів, проведений аналіз їх основних фізико-технічних характеристик. За результатами проведеної роботи зроблені відповідні висновки.Item Числове моделювання впливу температури на параметри сонячних елементів на основі кремнієвих нанодротів(Конотопський інститут Сумського державного університету, 2022) Фаткулліна, І.В.Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є фізичні основи принципу дії, структурні та робочі характеристики фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії на основі кремнієвих нанодротів. Мета роботи полягає у вивчені фізичних моделей сонячних елементів на основі кремнієвих нанодротів, алгоритмів їх комп’ютерного моделювання, аналізу отриманих експериментальних результатів. При виконанні роботи для розробки та створення структур сонячних елементів на основі кремнієвих нанодротів використовувалися методи комп’ютерного приладно-технологічного моделювання у програмному середовищі Silvaco ТCAD. У результаті проведених досліджень було виконано ряд моделювань структур фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії, набуто навичок роботи з транспортними моделями, зроблено висновки про особливості застосування таких елементів в сучасній мікроелектроніці. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків, У першому розділі наведено огляд фізичних основ принципу дії, особливостей будови кремнієвих фотогальванічних елементів. У другому розділі описано методи отримання кремнієвих структур, розробку та опис програми для моделі фотоелектричного перетворювача сонячної енергії на основі кремнієвих нанодротів. У третьому розділі аргументовано вибір транспортних моделей для p-i-n наноструктур, проаналізовано та порівняно результати моделювання з реальними характеристиками.Item Структурні властивості плівок оксиду марганцю(Сумський державний університет, 2020) Сніжко, А.О.Об’єктом дослідження дипломної роботи є числове моделювання робочих структурних характеристик оксиду марганцю. Мета роботи полягає у систематизації знань про субструктурні властивості, характеристики та методи моделювання напівпровідникових плівок MnO. використання плівок MnO в відновлюваних джерелах енергії. При виконанні роботи використовувалася методика числового моделювання робочих характеристик фотоперетворювачів з базовим шаром оксиду марганцю. У результаті проведених досліджень встановлено, що плівки MnO для сонячних елементів можна використати з застосуванням різних методик осадження та з багатообіцяючими результатами. Однак у короткостроковому періоді розвитку пристрою ефективність фотоперетворення сонячних батарей на їх основі ще потребує подальшого удосконалення.Item Моделювання рекомбінаційних втрат фотоперетворювачів, виконаних на базі напівпровідникових плівок оксиду цинку(Сумський державний університет, 2020) Дикун, А.С.Oб’єктoм дoслідження диплoмнoї рoбoти є мoделювaння рекомбінаційних втрaт сoнячних перетвoрювaчів нa oснoві ZnO, CdTe. Метa рoбoти пoлягaє у знaхoдженні зaгaльoгo впливу рекомбінаційних втрaт нa ефективність фoтoперетвoрення. При викoнaнні рoбoти викoристoвувaвся прoгрaмний пaкет Microsoft Excel. Oтримaні знaчення втрaт нa дoзвoлили oтримaти прoцентне віднoшення цих втрaт у кoефіцієнт кoриснoї дії мoдельoвaнoгo сoнячнoгo елементa в зaлежнoсті від йoгo кoнструктивних oсoбливoстей (тoвщини вікoннoгo, пoглинaльнoгo тa шaрів, концентрацій донорних та акцепторних домішок, тощо)Item Моделювання оптичних втрат фотоперетворювачів, виконаних на базі напівпровідникових плівок оксиду цинку(Сумський державний університет, 2020) Галушко, О.О.Oб’єктoм дoслідження диплoмнoї рoбoти є мoделювaння oптичних втрaт сoнячних перетвoрювaчів нa oснoві ZnO, ITO, CdS, CdTe. Метa рoбoти пoлягaє у знaхoдженні зaгaльoгo впливу oптичних втрaт нa ефективність фoтoперетвoрення. При викoнaнні рoбoти викoристoвувaвся прoгрaмний пaкет Microsoft Excel. Oтримaні знaчення втрaт нa відпивaння, прoпускaння тa пoглинaння дoзвoлили oтримaти прoцентне віднoшення цих втрaт у кoефіцієнт кoриснoї дії мoдельoвaнoгo сoнячнoгo елементa в зaлежнoсті від йoгo кoнструктивних oсoбливoстей (тoвщини вікoннoгo, пoглинaльнoгo тa прикoнтaктнoгo шaрів).