ВСП "Класичний фаховий коледж" (КФК)
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/94901
Browse
Search Results
Item Морфологічні особливості формування одномірних напівпровідникових структур(Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету", 2024) Скрибка, О.А.Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи бакалавра фізичні процеси фазоутворення, які відбуваються при формуванні одномірних напівпровідникових структур оксиду цинку . Мета роботи полягає у систематизації знань про фізичні особливості формування морфології поверхні одномірних напівпровідникових наноструктур, отриманих гідрохімічним методом на орієнтовані монокристалічні підкладки оксиду цинку в залежності від таких фізико-технологічних параметрів, як температура підкладки, на яку наносилися наноструктури та концентрації як домішки вольфраму, та і компоненту цинку.. При виконанні роботи використовувалися методи аналізу літературних джерел стосовно фізичних властивостей, методик одержання та дослідження напівпровідникових структур. У результаті проведених досліджень встановлено, що наноструктури оксиду цинку мають складний характери формування морфологічних структур, на що впливає як орієнтація росту даних структур, так і фізико-технологічні умови їх одержання.Item Комп’ютерне моделювання та застосування одновимірних польових транзисторів(Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету", 2024) Олефіренко, В.В.Обгрунтуванням актуальності теми є потенціал польових транзисторів із каналами у вигляді нанодротів карбіду кремнію для наноелектроніки та їх можливості впливати на покращення продуктивності та функціональності електронних пристроїв. Мета роботи полягає у комп'ютерному моделюванні структури та характеристик польових транзисторів із каналом у вигляді нанодротів карбіду кремнію для вивчення їх температурних характеристик та потенціалу для електронних пристроїв. Відповідно до мети, вирішувалися такі задачі: - вивчення комп’ютерних моделей, які враховують особливості транспорту носіїв заряду в польових транзисторах із каналами у вигляді нанодротів карбіду кремнію; - аналіз температурних залежностей робочих характеристик польових транзисторів із каналами у вигляді нанотдротів карбіду кремнію Для досягнення цієї мети були використані методи комп’ютерного моделювання у програмному середовищі Silvaco ТCAD. У роботі розглядаються технологічні виклики, пов'язані з виробництвом та інтеграцією нанодротів карбіду кремнію в електронні пристрої, а також можливі шляхи подолання цих викликів. Досліджується потенціал нанодротів карбіду кремнію для реалізації низькоенергетичних пристроїв, що можуть забезпечити покращену функціональність та ефективність.