ВСП "Класичний фаховий коледж" (КФК)
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/94901
Browse
Search Results
Item Комп’ютерне моделювання та оптимізація одновимірних фотоелектричних перетворювачів(Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету", 2024) Приймак, С.А.Фотоелектричні перетворювачі на основі p-i-n гетеропереходів, зокрема GaAs/AlGaAs, привертають значну увагу завдяки їх високій ефективності та стабільності. Однак, для досягнення максимальної продуктивності необхідно здійснити точне чисельне моделювання та оптимізацію. Метою роботи є чисельне моделювання одновимірних фотоелектричних перетворювачів на основі GaAs/AlGaAs p-i-n-гетеропереходу та визначення оптимальних параметрів для підвищення ефективності перетворення сонячної енергії. У результаті проведених досліджень було здійснено ряд симуляцій структур фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії, набуто навичок роботи з транспортними моделями. Робота складається зі вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд фізичних основ принципу дії, особливостей будови нанодротового масиву та одиничних фотогальванічних нанодротів на основі GaAs/AlGaAs p-i-n-гетеропереходу та плазмонних сонячних батарей. У другому розділі описано розробку та опис програми для моделювання фотоелектричного перетворювача сонячної енергії на основі нанодротів. У третьому розділі аргументовано вибір транспортних моделей для p-i-n наноструктур, проаналізовано та порівняно результати симуляції структур та електричних параметрів з реальними характеристиками.Item Чисельне моделювання та оптимізація двовимірних фотоелектричних перетворювачів(Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету", 2024) Приймак, О.А.Фотогальванічні елементи із гетеропереходами на основі двовимірних матеріалів мають значну перспективу застосування у галузі відновлюваної сонячної енергетики. Основні переваги останніх включають високу ефективність перетворення сонячної енергії та стабільність роботи протягом тривалого часу. Однак, для досягнення максимальної продуктивності необхідно дослідити та оптимізувати ці елементи. Метою роботи є чисельне моделювання гетеропереходу n-MoS2/p-CH3NH3PbI3 та визначення оптимальних параметрів для підвищення ефективності перетворення сонячної енергії. У результаті проведених досліджень було здійснено ряд комп’ютерних симуляцій структур фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії, набуто навичок роботи з транспортними моделями, а також зроблено висновки щодо особливостей їх застосування. Робота складається зі вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд фізичних основ принципу дії, властивостей, особливостей будови та класифікація фотогальванічних елементів на основі двовимірних гетеропереходів. У другому розділі описано методику дослідження, опис програмного забезпечення та вхідні дані для комп’ютерної симуляції електричних парамтерів гетеропереходу n-MoS2/p-CH3NH3PbI3. У третьому розділі проаналізовано результати досліджень структури та електричних параметрів, розглянуті методи оптимізації характеристик двовимірних гетеропереходів.Item Комп’ютерне моделювання та застосування одновимірних польових транзисторів(Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету", 2024) Олефіренко, В.В.Обгрунтуванням актуальності теми є потенціал польових транзисторів із каналами у вигляді нанодротів карбіду кремнію для наноелектроніки та їх можливості впливати на покращення продуктивності та функціональності електронних пристроїв. Мета роботи полягає у комп'ютерному моделюванні структури та характеристик польових транзисторів із каналом у вигляді нанодротів карбіду кремнію для вивчення їх температурних характеристик та потенціалу для електронних пристроїв. Відповідно до мети, вирішувалися такі задачі: - вивчення комп’ютерних моделей, які враховують особливості транспорту носіїв заряду в польових транзисторах із каналами у вигляді нанодротів карбіду кремнію; - аналіз температурних залежностей робочих характеристик польових транзисторів із каналами у вигляді нанотдротів карбіду кремнію Для досягнення цієї мети були використані методи комп’ютерного моделювання у програмному середовищі Silvaco ТCAD. У роботі розглядаються технологічні виклики, пов'язані з виробництвом та інтеграцією нанодротів карбіду кремнію в електронні пристрої, а також можливі шляхи подолання цих викликів. Досліджується потенціал нанодротів карбіду кремнію для реалізації низькоенергетичних пристроїв, що можуть забезпечити покращену функціональність та ефективність.