Видання зареєстровані авторами шляхом самоархівування

Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/1

Browse

Search Results

Now showing 1 - 8 of 8
  • Item
    Моделювання фізичних процесів у напівпровідникових сонячних елементах на основі гетеропереходів n-ITO(ZnO)/n-CdS(n-ZnS, ZnSe)/p-CZTS
    (Сумський державний університет, 2018) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Данильченко, П.С.
    Перспективним способом використання сонячної енергії є її перетворення в електричну, використовуючи сонячні елементи (СЕ), зокрема тонкоплівкові прилади типу “superstrate”, які мають багатошарову конструкцію. На теперішній час найбільш поширені СЕ першого та другого поколінь на основі поглинальних шарів Si, CdTe, GaAs, Cu(In1-x,Gax)(S1-xSex)2, які демонструють ефективність більшу за 20 %.
  • Item
    Порівняння оптичних втрат у сонячних елементах на основі гетеропереходів n-ito(zno)/n-cds(n-zns, znse)/p-czts
    (Сумський державний університет, 2016) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Данильченко, П.С.
    Одним із шляхів подолання енергетичної кризи є широкомасштабне використання фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) сонячної енергії.
  • Item
    Оптичні витрати в сонячних елементах на основі гетеропереходу n-ZnS/p-CdTe
    (Сумський державний університет, 2013) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Кривенко, І.А.
    Метою даної роботи є визначення оптичних втрат в СЕ на основі ГП n-ZnS/p-CdTe.
  • Item
    Оптичні втрати на відбивання в сонячних елементах на основі гетеропереходів n-CdS(n-ZnS) / p-CZTS
    (Сумський державний університет, 2015) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Данильченко, П.С.
    На сьогоднішній день у масовому виробництві тонкоплівкових сонячних елементів (СЕ) широко використовуються гетеропереходи (ГП) n-CdS/p-(CuInxGa(1 – x)(S, Se)2, CdTe) із верхнім струмознімальним шаром ІТО. Але, такі недоліки як висока вартість In, Ga та Te, токсичність Cd, дають поштовх до пошуку альтернативних функціональних матеріалів та конструкцій фотоперетворювачів.
  • Item
    Моделювання впливу віконного шару на основні параметри сонячних елементів з гетеропереходами n-ZnS(n-CdS)/p-CdTe
    (Сумський державний університет, 2014) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Конопленко, О.П.
    Метою роботи стало визначення впливу заміни віконного шару в СЕ з конструкцією n-ZnS(n-CdS)/p-CdTe на основні характеристики елементів (ефективність (h), фактор заповнення (ФЗ), густину струму короткого замикання (Jкз) та напругу холостого ходу (Uxx)) за допомогою програмного середовища SCAPS-3200.
  • Item
    Рекомбінаційні втрати в сонячних елементах на основі гетеропереходу n-ZnS/p-SdTe
    (Сумський державний університет, 2014) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Ільїн, С.С.
    Метою даної роботи стало визначення рекомбінаційних втрат носіїв генерованих світлом в СЕ на основі ГП n-ZnS/p-CdTe.
  • Item
    Modeling of the basic solar cells characteristics on the basis of n-ZnS/p-CdTe and n-CdS/p-CdTe heterojunctions
    (Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, 2013) Бересток, Таїсія Олександрівна; Бересток, Таисия Александровна; Berestok, Taisiia Oleksandrivna; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliyovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych
    In this work we used SCAPS-3200 software environment for the realistic modeling of the basic electrical characteristics (current density of short circuit (Jsc), open circuit voltage (Uoc), fill factor (FF) and efficiency (h)) of thin solar cells films with n-ZnS/p-CdTe heterojunction. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34071
  • Item
    Solar Cells Efficiency On The Basis Of n-ZnS/p-CdTe heterojunctions with optical losses consideration
    (Львівський національний університет, 2013) Бересток, Таїсія Олександрівна; Бересток, Таисия Александровна; Berestok, Taisiia Oleksandrivna; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliyovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Лопатка, Р.В.; Лопатка, Р.В.; Lopatka, R.V.
    The aim of this work is to define the maximal theoretical SC efficiency value, that have the construction of glass/n-ZnO/n-ZnS/p-CdTe with the optical losses consideration on the interfaces of contacting materials depending on the thickness of these layers. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34059