Видання зареєстровані авторами шляхом самоархівування
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/1
Browse
12 results
Search Results
Item Моделювання фізичних процесів у напівпровідникових сонячних елементах на основі гетеропереходів n-ITO(ZnO)/n-CdS(n-ZnS, ZnSe)/p-CZTS(Сумський державний університет, 2018) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Данильченко, П.С.Перспективним способом використання сонячної енергії є її перетворення в електричну, використовуючи сонячні елементи (СЕ), зокрема тонкоплівкові прилади типу “superstrate”, які мають багатошарову конструкцію. На теперішній час найбільш поширені СЕ першого та другого поколінь на основі поглинальних шарів Si, CdTe, GaAs, Cu(In1-x,Gax)(S1-xSex)2, які демонструють ефективність більшу за 20 %.Item Порівняння оптичних втрат у сонячних елементах на основі гетеропереходів n-ito(zno)/n-cds(n-zns, znse)/p-czts(Сумський державний університет, 2016) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Данильченко, П.С.Одним із шляхів подолання енергетичної кризи є широкомасштабне використання фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) сонячної енергії.Item Пленки ZnxCd1-xS, полученные методом спрей-пиролиза, для окон тонкопленочных фотопреобразователей(2016) Єременко, Юрій Сергійович; Еременко, Юрий Сергеевич; Yeremenko, Yurii Serhiiovych; Демиденко, Максим Геннадійович; Демиденко, Максим Геннадьевич; Demydenko, Maksym Hennadiiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Салогуб, А.А.; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys IhorovychСегодня в сфере солнечной энергетики происходит активный поиск новых материалов для производства солнечных преобразователей (СП) третьего поколения. В последнее время рассматривают возможность замены традиционного оконного слоя СП на твёрдый раствор ZnxCd1-xS, использование которого позволяет увеличить ширину запрещенной зоны данного слоя и соответственно напряжение холостого хода фотопреобразователей, а также уменьшить количество рекомбинационных центров на границе раздела материалов благодаря лучшему согласованию их параметров решетки. В связи с этим ZnxCd1-xS имеют хорошие перспективы использования в качестве оконного слоя СП. Целью данной работы являлось исследование влияния температуры подложки на спектры отражения, пропускания и другие оптические характеристики пленок ZnxCd1-xS, полученных спрей-пиролизом, для их оптимизации, а также оценка перспектив использования таких пленок в качестве оконного слоя СП.Item Структурні та субструктурні характеристики хімічно осаджених плівок ZnO:Al(Сумський державний університет, 2015) Бересток, Таїсія Олександрівна; Бересток, Таисия Александровна; Berestok, Taisiia Oleksandrivna; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Домник, А.С.Завдяки унікальним оптичним та електрофізичним вдастивостям плівки оксиду цинку леговані атомами алюмінію (ZnO:Al) розглядаються як альтернатива більш дорогому оксиду олова легованому індієм (ITO) при використанні як ефективний струмопровідний контакт тонкоплівкових сонячних елементів, покриттів поглинаючих НВЧ випромінювання, стерилізаційних та антизаморожувальних покриттів.Item Оптичні втрати на відбивання в сонячних елементах на основі гетеропереходів n-CdS(n-ZnS) / p-CZTS(Сумський державний університет, 2015) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Данильченко, П.С.На сьогоднішній день у масовому виробництві тонкоплівкових сонячних елементів (СЕ) широко використовуються гетеропереходи (ГП) n-CdS/p-(CuInxGa(1 – x)(S, Se)2, CdTe) із верхнім струмознімальним шаром ІТО. Але, такі недоліки як висока вартість In, Ga та Te, токсичність Cd, дають поштовх до пошуку альтернативних функціональних матеріалів та конструкцій фотоперетворювачів.Item Моделювання впливу віконного шару на основні параметри сонячних елементів з гетеропереходами n-ZnS(n-CdS)/p-CdTe(Сумський державний університет, 2014) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Конопленко, О.П.Метою роботи стало визначення впливу заміни віконного шару в СЕ з конструкцією n-ZnS(n-CdS)/p-CdTe на основні характеристики елементів (ефективність (h), фактор заповнення (ФЗ), густину струму короткого замикання (Jкз) та напругу холостого ходу (Uxx)) за допомогою програмного середовища SCAPS-3200.Item Рекомбінаційні втрати в сонячних елементах на основі гетеропереходу n-ZnS/p-SdTe(Сумський державний університет, 2014) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Ільїн, С.С.Метою даної роботи стало визначення рекомбінаційних втрат носіїв генерованих світлом в СЕ на основі ГП n-ZnS/p-CdTe.Item Дослідження плівок Pb1-xSnxTe методами XRD та µ-PIXI(Видавництво Львівського національного університуту імені Івана Франка, 2014) Коваль, Павло Вікторович; Коваль, Павел Викторович; Koval, Pavlo Viktorovych; Ташликов, І.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Пономарьов, Олександр Георгійович; Пономарев, Александр Георгиевич; Ponomarov, Oleksandr HeorhiiovychВ останній час плівки трьохкомпонентного розчину Pb1-xSnxTe привертають до себе підвищену увагу як поглинаючі шари дешевих тонкоплівкових сонячних елементів альтернативні таким матеріалам як CuInSe2, CuIn1–xGaxSe2, Cu2ZnSnS4 та CdTe. Також ці напівпровідники використовуються для створення приймачів інфрачервоного випромінювання, твердотільних лазерів, а також є перспективними для побудови фотоприймачів терагерцового діапазону.Item Перовскітні поглинаючі шари для сенсибілізованих сонячних елементів(Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України; Національна академія наук України, 2014) Бересток, Таїсія Олександрівна; Бересток, Таисия Александровна; Berestok, Taisiia Oleksandrivna; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychНа сьогоднішньому етапі розвитку геліоенергетики почалася розробка так званого третього покоління сонячних елементів (СЕ), в яких використовуються нові фізичні принципи та нові дешеві і екологічно безпечні матеріали. Серед фотоперетворювачів третього покоління, за рахунок можливості зниження витрат на виробництво та високу ефективність, сенсибілізовані перовскітні СЕ викликають підвищену увагу дослідників. Змішані органо-неорганічні перовскітні сполуки (ABX3, де А = CH3NH3, В = Pb, X = I, Br або Cl) характеризуються прямими міжзонними переходами, оптимальною для перетворення сонячної енергії шириною забороненої зони (Eg = 1,5 еВ), високим коефіцієнтом поглинання, високою рухливістю носіїв струму, завдяки чому розглядаються як перспективний матеріал для створення нового класу сенсибілізованих сонячних перетворювачів. Отримання перовскітів можна проводити за допомогою безвакуумних методів, що не потребують підтримання високих температур, завдяки чому зменшується собівартість плівок та виникає можливість створення приладів на різноманітних підкладках, включаючи гнучкі.Item Modeling of the basic solar cells characteristics on the basis of n-ZnS/p-CdTe and n-CdS/p-CdTe heterojunctions(Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, 2013) Бересток, Таїсія Олександрівна; Бересток, Таисия Александровна; Berestok, Taisiia Oleksandrivna; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliyovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychIn this work we used SCAPS-3200 software environment for the realistic modeling of the basic electrical characteristics (current density of short circuit (Jsc), open circuit voltage (Uoc), fill factor (FF) and efficiency (h)) of thin solar cells films with n-ZnS/p-CdTe heterojunction. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34071