Видання зареєстровані авторами шляхом самоархівування
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/1
Browse
3 results
Search Results
Item Плівки напівпровідників та металів, одержані методом тривимірного друку, для пристроїв електроніки(Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України; Рада молодих вчених Інституту фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2019) Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Шкиря, Ю.І.; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychВ роботі досліджені властивості плівок, нанесених 3D друком чорнилами на основі наночастинок металевих (Ag) та напівпровідникових (ZnO, Cu2ZnSnS4) сполук. Такі напівпровідникові плівки можуть бути використані у якості чутливих шарів приладів сенсорики, оптоелектроніки, геліоенергетики, а металічні шари, як струмопровідні доріжки.Item Структурні та субструктурні характеристики плівок Cd[1-x]Zn[x]Te зі змінною концентрацією цинку(Сумський державний університет, 2015) Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Шергін, Я.; Фочук, П.М.Тверді розчини кадмій цинк телуриду (Cd1-xZnxTe) широко застосовуються як матеріал сенсорики та оптоелектроніки. Широкий спектр їх використання обумовлений можливістю регулювання ширини забороненої зони (Eg) матеріалу в діапазоні від Eg =1,48 еВ (CdTe) до 2,26 еВ (ZnTe) шляхом зміни концентрації цинку.Item Склад плівок CdxZn1-xTe отриманих методом співвипаровування компонентів(Львівський національний університет ім. І.Франка, 2014) Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychМонокристали високоомного телуриду кадмію легованого хлором CdTe (Cl) вже протягом тривалого часу використовуються як базовий матеріал для виготовлення детекторів рентгенівського та гамма випромінювання. Однак останні роки спостерігається тенденція до заміни цього матеріалу твердими трикомпонентними розчинами, перш за все такими, що містять Zn. Це пояснюється низкою суттєвих переваг твердих розчинів CdxZn1-xTe перед двокомпонентною сполукою, а саме: високим питомим опором матеріалу, можливістю регулювання ширини забороненої зони (ЗЗ) за рахунок зміни складу та ін. Як детекторний матеріал останнім часом почали використовуватися моно- та полікристалічні плівки трикомпонентного розчину з якісною кристалічною структурою.