Видання зареєстровані авторами шляхом самоархівування
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/1
Browse
Search Results
Item Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 Nanocrystals As Absorbers In 3rd Generation Solar Cells(Igor Sikorsky Kyiv polytechnic institute, 2020) Кахерський, Станіслав Ігорович; Кахерский, Станислав Игоревич; Kakherskyi, Stanislav Igorevich; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Опанасюк, Надія Миколаївна; Опанасюк, Надежда Николаевна; Opanasiuk, Nadiia MykolaivnaНаночастинки напівпровідникових сполук Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 були одержані за допомогою метода поліольного синтезу. Методами сканувальної мікроскопії та рентгендифрактометрії досліджені їх морфологічні і структурні властивості. Проведено порівняння особливостей росту наночастинок обох сполук. Одержані в результаті частинки були використані для створення наночорнил, що використовувались для друку поглинальних шарів сонячних перетворювачів з використанням 2d та 3d принтерів.Item Синтез наночастинок сполук CZTS, CZTSе для створення чорнил для друку гнучкої електроніки(Сумський державний університет, 2020) Шаповалов, О.І.; Кахерcкий, Станіслав Ігорович; Кахерский, Станислав Игоревич; Kakherskyi, Stanislav Igorevich; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychУ наш час все активніше розвивається напрямок пов’язаний із створенням приладів електроніки з використанням дво- та тривимірного друку, що дозволяє суттєво спростити процедуру їх одержання та суттєво знизити вартість. Для такого друку у наш час розробляються наночорнила (nanoinks), що містять суспензію наночастинок (НЧ) металів або напівпровідників. Важливою науковою і технологічною задачею при цьому є cинтез НЧ різних матеріалів з контрольованими характеристиками та розробка на їх основі стабільних колоїдних розчинів з необхідною в'язкістю і поверхневим натягом, що можуть бути використані як чорнила.Item Раманівська спектроскопія наночастинок CZTS, одержаних методом поліольного синтезу(Сумський державний університет, 2020) Гаврилюк, Є.О.; Кахерський, Станіслав Ігорович; Кахерский, Станислав Игоревич; Kakherskyi, Stanislav Igorevich; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychУ наш час відбувається активний пошук нових матеріалів для використання як поглинальні шари сонячних елементів (СЕ) третього покоління. Одним з таких матеріалів є Cu2ZnSnS4 (CZTS). Недоліком цієї сполуки є вузька область гомогенності, як результат, виникають складності при одержані однофазних плівок потрібних для створення високоефективних СЕ.Item Cтруктурні та субструктурні характеристики нанокристалів і плівок ZnO для використання у сонячній енергетиці(Дніпровський національний університет імені Олеся Гончара, 2020) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Кахерський, Станіслав Ігорович; Кахерский, Станислав Игорович; Kakherskyi, Stanislav Ihorovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychСеред матеріалів, які використовуються для створення віконних шарів тонкоплівкових перетворювачів сонячної енергії, широкого поширення набула напівпровідникова сполука ZnO, яка характеризується унікальними фізико-хімічними властивостями для застосування в фотовольтаїці. До них відносяться: елика ширина забороненої зони, прозорість у видимій області спектра, екологічність, висока термічна і хімічна стабільність.