Періодичні видання СумДУ
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/69
Browse
Search Results
Item Hopping Conductivity Mechanism in Cd3As2 Films Prepared by Magnetron Sputtering(Sumy State University, 2020) Zakhvalinskii, V.S.; Pilyuk, E.A.; Nikulicheva, T.B.; Ivanchikhin, S.V.; Yaprintsev, M.N.; Goncharov, I.Yu.; Kolesnikov, D.A.; Morocho, A.A.; Glukhov, О.V.Плівки арсеніду кадмію на підкладках окисленого кремнію отримані ВЧ-магнетронним розпиленням. Досліджено структуру та морфологію поверхні методами АСМ та раманівської спектроскопії. На спектрі КРС присутні характерні для плівок Cd3As2 піки при 194, 249 і 303 см – 1. Рухливість носіїв в зразках склала 0,15-1,7·103 см2В – 1с – 1 при концентрації 0,7-4,4·1019 см – 3. Встановлено, що для зразка №1 в інтервалі температур T = 10 ÷ 15 K реалізується механізм електропровідності за законом Мотта. Це можна пояснити тим, що мікроскопічне розупорядкування стає важливим для локалізації електронів в цьому температурному регіоні. Цьому сприяє зниження температури або зростання ступеня безладу. В цьому випадку стрибок стає можливим тільки всередині енергетичної смуги Мотта поблизу рівня Фермі. Перенесення заряду в зразку №2 при T = 220 ÷ 300 K здійснюється шляхом стрибкової провідності електронів зі змінною довжиною стрибка по локалізованим станам, що лежать у вузькій смузі енергій поблизу рівня Фермі. Ці стани можуть створюватися міжзеренними межами і дислокаціями. Співвідношення між значеннями кулонівської щілини Δ і шириною зони локалізованих станів W узгоджуються з відповідним механізмом провідності.