Періодичні видання СумДУ
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/69
Browse
3 results
Search Results
Item Топологічні особливості парофазних наноструктур SnTe на поліаміді(Сумський державний університет, 2014) Салій, Я.П.; Чав’як, І.І.; Биліна, І.С.; Фреїк, Д.М.Наведено результати дослідження наноструктур на поверхні тонких плівок станум телуриду, осаджених з парової фази на підкладках поліаміду методом відкритого випаровування у вакуумі. Комп’ютерний аналіз результатів атомно-силової мікроскопії виявив вплив технологічних факторів на особливості форм та поверхневої орієнтації наноострівців. Показано, що наноструктури різного розміру є куполоподібними з малим відношенням їх висоти до латерального діаметру. Встановлено слабку залежність симетрії острівців від технологічних факторів осадження.Item Дослідження топографії та атомної структури поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3(Сумський державний університет, 2014) Галій, П.В.; Ненчук, Т.М.; Яровець, І.Р.Методами скануючих тунельної, атомно-силової мікроскопій (СТМ, АСМ) та дифракції повільних електронів (ДПЕ) на відбивання досліджено топографію, кристалографію та атомну структуру повер- хонь сколювання (ПС) (100) шаруватих кристалів (ШК) In4Se3, одержаних шляхом сколювання in situ.Одержані результати вказують на існування періодичної, гофрованої структури на ПС. Показано, що ПС (100) In4Se3 є структурно стабільними і не зазнають атомної реконструкції у широкому температурному діапазоні 77-295 K. Встановлена анізотропія теплового розширення ПС за основними кристалографічними напрямками у площині сколу (100) In4Se3. Проведені розрахунки значень сталих двовимірної гратки, що знаходяться у площині ПС (100) орторомбічних ШК In4Se3 за результатами ДПЕ (b=11,475 Å та c=3,734 Å) задовільно співпадають з результатами отриманими методами АСМ та СТМ (b=13-14 Å та c=4 Å) та знаходяться у межах похибки вказаних методик, співпадаючи із значеннями одержаними методом X-дифрактометрії (b=12,308(1) Å та c=4,0810(5) Å). Крім того, одержані результати дослідження структури ПС, вказують на коректність використання фільтрування зображень топограм, отриманих методом СТМ та адекватність використаної моделі для розрахунку сталих поверхневої гратки ПС (100) In4Se3 за результатами ДПЕ. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36104Item Фоточутливі гетеропереходи n-In2O3 / p-InSe з наноструктурованою поверхнею фронтального шару(Сумський державний університет, 2013) Ковалюк, З.Д.; Катеринчук, В.М.; Кудринський, З.Р.; Литвин, О.С.Досліджені фоточутливі гетеропереходи n-In2O3 / p-InSe, в яких фронтальний шар In2O3 є наноструктурованим. Виявлено, що спектри фоточутливості таких гетеропереходи істотно залежать від по- верхневої топології оксиду. Це свідчить про те, що оксид в парі з напівпровідниковою підкладкою відіграє не лише роль активної компоненти структури, але і одночасно служить комірчастим дифракційним елементом. Поверхнева топологія оксиду досліджувалася за допомогою атомно-силового мікрос- копа. За різних умов окислення InSe поверхня зразків містила наноформування переважно у формі наноголок. Їх структура мала як невпорядкований, так і впорядкований характер. Оптичний розмір- ний ефект в плівці оксиду виявлений завдяки поєднанню властивостей наноструктуризованої повер- хні In2O3 і анізотропного поглинання світла в InSe. Чим вище відхилення падаючого світла від його нормального напрямку, викликане наноструктурованою поверхнею оксиду, тим більші зміни у фото- генерації носіїв в анізотропному напівпровіднику. Ці зміни полягали в розширенні смуги фотовідгу- ку, а також в особливостях поведінки екситонної лінії в спектрі гетеропереходу. Чим вище густина і впорядкування наноголок, тим більше довгохвильовий зсув смуги фотовідгуку і інтенсивніший екси- тонний пік в спектрі. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35580