Видання, зареєтровані у фондах бібліотеки
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/56
Browse
10 results
Search Results
Item Отримання та оптимізація властивостей плівок напівпровідників (ZnO, Cu2ZnSn(S,Se)4 і металів (Ag, Cu), надрукованих на 3d-принтері, для пристроїв електроніки(Сумський державний університет, 2020) Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Пономарьов, Олександр Георгійович; Пономарев, Александр Георгиевич; Ponomarov, Oleksandr Heorhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Шамардін, Артем Володимирович; Шамардин, Артем Владимирович; Shamardin, Artem Volodymyrovych; Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Гузенко, Олександр Ігорович; Гузенко, Александр Игоревич; Huzenko, Oleksandr Ihorovych; Ярошенко, Я.В.; Єрмаков, М.С.; Волобуєв, В.В.Об’єкт досліджень: Процеси фазо- і структуроутворення у наночастинках та нано- і мікроструктурованих плівках металів Ag, Cu та напівпровідникових сполук ZnO, Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 синтезованих або нанесених при різних фізико-хімічних умовах та їх вплив на електрофізичні, оптичні, фотолюмінесцентні характеристики зразків.Item Отримання та оптимізація властивостей плівок напівпровідників (ZnO, Cu2ZnSn(S,Se)4 і металів (Ag, Cu), надрукованих на 3d-принтері, для пристроїв електроніки(Сумський державний університет, 2019) Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Гузенко, Олександр Ігорович; Гузенко, Александр Игоревич; Huzenko, Oleksandr Ihorovych; Волобуєв, В.В.Метою даного проекту є створення матеріалознавчих основ керування структурно-чутливими характеристиками нано- і мікроструктурованих плівок, одержаних за допомогою пошарового 3D друку чорнилами на основі металевих та напівпровідникових наночастинок при різних фізико-технологічних умовах та їх оптимізація. Як результат, будуть одержані модельні зразки одношарових та багатошарових структур різного розміру та форми придатних для створення сонячних елементів, сенсорних та електронних приладів.Item Синтез та оптимізація властивостей напівпровідникових плівок Cu2ZnSn(Ge)SSe4, отриманих безвакуумними методами, для сонячних перетворювачів третього покоління(Сумський державний університет, 2018) Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Шамардін, А.В.Мета роботи - створення модельних зразків сонячних перетворювачів на основі плівок сполук групи I2-II-IV-VI4, зокрема Cu2ZnSn(Ge)(S,Se)4 з різними буферними та віконними шарами недорогим безвакуумним методом спрей-піролізу. Модифікувати розроблену раніше установку для спрей-піролізу, зокрема для уникнення окислення конденсатів, створити систему осадження плівок у безкисневій атмосфері, у т.ч. шляхом витіснення повітря з робочої камери надлишковим тиском інертних газів. Визначити умови синтезу напівпровідникових плівок кестеритів методом спрей-піролізу в атмосфері інертних газів та розробити оптимальну технологію їх легування атомами германію, у т.ч. шляхом вибору відповідних прекурсорів.Item Створення та оптимізація властивостей фоточутливих елементів на основі плівок сульфідів (оксидів) олова та цинку (SnS2/SnS, ZnO(S)/SnS)(Сумський державний університет, 2018) Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Латишев, Віталій Михайлович; Латышев, Виталий Михайлович; Latyshev, Vitalii Mykhailovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Возний, Андрій Андрійович; Возный, Андрей Андреевич; Voznyi, Andrii Andriiovych; Єрьоменко, Юрій Сергійович; Еременко, Юрий Сергеевич; Yeromenko, Yurii Serhiiovych; Мальченков, Сергій Михайлович; Мальченков, Сергей Михайлович; Malchenkov, Serhii Mykhailovych; Шамардін, А.В.; Храпай, Р.Г.; Подопригова, О.О.; Фролов, А.І.Покращення технології отримання однофазних плівок SnS2 і SnS, шляхом удосконалення технологій термічного випаровування у КЗО (вакуумний метод). Розробка комплексних підходів до вивчення впливів умов одержання плівок на їх структурні властивості. В результаті це дасть можливість визначити оптимальні фізико-технологічні умови отримання високотекстурованих однофазних конденсатів з низьким рівнем мікродеформацій, малою концентрацією дефектів пакування та дислокацій в об’ємі зерен, придатних для приладового використання.Item Структурні, електрофізичні та оптичні властивості плівок CdZnTe та приладові структури на їх основі(Сумський державний університет, 2019) Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav VolodymyrovychДисертаційна робота присвячена комплексному дослідженню структурних, електрофізичних та оптичних властивостей полікристалічних плівок Cd1-xZnxTe (CZT) для використання в детекторах радіаційного випромінювання, встановленню впливу елементного складу на фізичні властивості плівок, визначенню параметрів основних пасткових центрів, що впливають на проходження струму в матеріалі. Установлені взаємозв’язки між елементним складом плівок CZT та їх структурними, субструктурними, оптичними, електричними властивостями можуть бути використані для подальшого створення детекторів радіаційного випромінювання та інших приладів оптоелектроніки. Створено прототипи чутливих до радіаційного випромінювання детекторів на основі товстих плівок CZT. Показано, що вимірювання фоточутливості може бути використане для оцінювання детекторних властивостей полікристалічних плівок CZT з метою подальшого їх використання як детекторів радіації. Уперше проведено моделювання процесу рекомбінації нерівноважних носіїв заряду в детекторних структурах на основі плівок твердих розчинів. У результаті моделювання визначено параметри основних пасткових центрів, що впливають на проходження електричного струму в матеріалі.Item Структурні, електрофізичні та оптичні властивості плівок CdZnTe та приладові структури на їх основі(Сумський державний університет, 2019) Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav VolodymyrovychДисертаційна робота присвячена комплексному дослідженню структурних, електрофізичних та оптичних властивостей полікристалічних плівок Cd1-xZnxTe (CZT) для використання в детекторах радіаційного випромінювання, встановленню впливу елементного складу на фізичні властивості плівок, визначенню параметрів основних пасткових центрів, що впливають на проходження струму в матеріалі. Установлені взаємозв’язки між елементним складом плівок CZT та їх структурними, субструктурними, оптичними, електричними властивостями можуть бути використані для подальшого створення детекторів радіаційного випромінювання та інших приладів оптоелектроніки. Створено прототипи чутливих до радіаційного випромінювання детекторів на основі товстих плівок CZT. Показано, що вимірювання фоточутливості може бути використане для оцінювання детекторних властивостей полікристалічних плівок CZT з метою подальшого їх використання як детекторів радіації. Уперше проведено моделювання процесу рекомбінації нерівноважних носіїв заряду в детекторних структурах на основі плівок твердих розчинів. У результаті моделювання визначено параметри основних пасткових центрів, що впливають на проходження електричного струму в матеріалі.Item Синтез та оптимізація властивостей напівпровідникових плівок Cu2ZnSn(Ge)SSe4, отриманих безвакуумними методами, для сонячних перетворювачів третього покоління(Сумський державний університет, 2017) Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Гузенко, Олександр Ігорович; Гузенко, Александр Игоревич; Huzenko, Oleksandr Ihorovych; Шамардін, А.В.Мета роботи - створення модельних зразків сонячних перетворювачів на основі плівок сполук групи I2-II-IV-VI4, зокрема Cu2ZnSn(Ge)(S,Se)4 з різними буферними та віконними шарами недорогим безвакуумним методом спрей- піролізу. Модифікувати розроблену раніше установку для спрей-піролізу, зокрема для уникнення окислення конденсатів, створити систему осадження плівок у безкисневій атмосфері, у т.ч. шляхом витіснення повітря з робочої камери надлишковим тиском інертних газів. Визначити умови синтезу напівпровідникових плівок кестеритів методом спрей-піролізу в атмосфері інертних газів та розробити оптимальну технологію їх легування атомами германію, у т.ч. шляхом вибору відповідних прекурсорів.Item Створення та оптимізація властивостей фоточутливих елементів на основі плівок сульфідів (оксидів) олова та цинку (SnS2/SnS, ZnO(S)/SnS)(Сумський державний університет, 2017) Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Латишев, Віталій Михайлович; Латышев, Виталий Михайлович; Latyshev, Vitalii Mykhailovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Возний, Андрій Андрійович; Возный, Андрей Андреевич; Voznyi, Andrii Andriiovych; Фролов, А.І.; Подопригора, О.О.В результаті проведених досліджень отримані наступні результати: Методом термічного вакуумного випаровування у КЗО були отримані однофазні плівки SnS2 які мають гексагональну кристалічну структуру з шириною забороненої зони 2,40 та 2,69 еВ для прямих та непрямих переходів, відповідно. Хімічний склад отриманих плівок був типовим для сполуки SnS2 та складав Sn:S=0.49. Встановлено, що термічний відпал у вакуумі плівок SnS2 при 500 0С протягом 90 хв приводить до зменшення концентрації сірки у шарах та забезпечує термічно-індукований фазовий перехід SnS2 SnS. В той час як менша температура та час відпалу приводить до змішаного фазового складу (SnS, SnS2 та Sn2S3) плівок. Трансформована плівка SnS мала однофазну гексагональну кристалічну структуру з високим коефіцієнтом поглинання 104-105 см-1 у видимому діапазоні. Ширина забороненої зони складала 1,33 та 1,49 еВ для прямих та не прямих переходів, відповідно. Форма та розмір кристалітів після відпалу не змінились, однак внаслідок випаровування сірки була утворена пориста структура. Хімічний склад трансформованої плівки був такий Sn:S=0.96. Значення питомого опору складало 105 Ом∙см. Була створена гетероперехідна фоточутлива структура ITO/CdS/SnS/Sn на основі трансформованої плівки SnS з параметрами: Uoc=0,35 В, Isc=34мкА та FF=0,42. Показано, що лазерне опромінення плівок SnS2 забезпечує випаровування сірки та фазовий перехід до фаз SnS та Sn2S3. Розподіл фаз за глибиною в опромінених зразках сильно залежить від інтенсивності лазерного випромінювання. Встановлено, що опромінення зразків лазером з інтенсивністю I1=8,5 МВт/см2 приводить до утворення на поверхні шару SnS. В результаті утворюється двошарова структура SnS/SnS2. Опромінені плівки містять невелику кількість фази Sn2S3. Застосування більш інтенсивного опромінення з інтенсивністю I2=11,5 МВт/см2 приводить до змін хімічного складу всієї плівки та утворення змішаного фазового шару з переважанням фази SnS над фазами SnS2 та Sn2S3. Чітко виражений фазовий поділ (тобто багатошарова структура) при цьому не спостерігається. Встановлено, що лазерне опромінення може бути ефективно використане для модифікації хімічного та фазового складу тонких плівок SnxSy. Це відкриває нові можливості для створення оптоелектронних пристроїв на базі плівок SnxSy. Згладжування поверхні плівки, що спостерігається під час її опромінення, може призвести до збільшення площі контакту між шарами та зменшення рекомбінації на межах зерен. Можливість утворення гетеропереходу n-SnS2/p-SnS за допомогою лазерного опромінення тонкої плівки SnS2 вимагає додаткового детального експериментального дослідження. Проте попередні результати, є перспективними, оскільки спостерігається діодна поведінка ВАХ опромінених зразків. Подальше покращення продуктивності гетеропереходів n-SnS2/p-SnS, утворених лазерним опроміненням, можна досягти шляхом оптимізації товщини вихідної плівки SnS2 та умов лазерного відпалу [90]. Також в процесі досліджень вивчено структуру, фазовий склад та електрофізичні властивості шарів у фоточутливому гетеропереході n-CdS/p-SnS, отриманому методом термічного вакуумного випаровування у КЗО. Встановлено, що темнові ВАХ гетеропереходу n-CdS/p-SnS мають типовий діодний характер з коефіцієнтом випрямлення струму 200 при напрузі 0,5 В. При освітленні гетероструктура показує фотоелектричний ефект. Відповідний СЕ мав наступні характеристики Voc=0.058 В, Jsc=3.38 мA/cм2, FF=0.41 та ƞ=0.095 %.Item Структурні, оптичні та електричні характеристики тонких і товстих плівок твердих розчинів CdTe з ізовалентними домішками (Mn, Zn) для високоефективних детекторів іонізуючого випромінювання та сонячних елементів(Сумський державний університет, 2017) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Пономарьов, Олександр Георгійович; Пономарев, Александр Георгиевич; Ponomarov, Oleksandr Heorhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Єрьоменко, Юрій Сергійович; Еременко, Юрий Сергеевич; Yeromenko, Yurii Serhiiovych; Салогуб, Анна Олександрівна; Салогуб, Анна Александровна; Salohub, Anna Oleksandrivna; Данильченко, П.С.; Кононов, О.К.; Істратов, М.Є.; Кочубей, О.В.; Олексієнко, А.Ю.; Шамардин, Ю.С.В роботі проведено комплексне дослідження плівок CdTe, ZnTe та твердих розчинів СZT, CMT на неорієнтуючих підкладках, отриманих співвипаровуванням шихти CdTe та ZnTe(Mn) з двох незалежних джерел та їх суміші з одного джерела у квазізамкненому об’ємі (КЗО). Мета роботи: З’ясування можливості використання тонко– і товстоплівкових структур на основі трикомпонентних твердих розчинів Cd1–xZn(Mn)xTe для поглинаючих шарів детекторів іонізуючого випромінювання. Оптимізація структурних, люмінесцентних та електрофізичних характеристик плівкових базових шарів на основі твердих розчинів А2В6 для їх подальшого використання у приладах мікроелектроніки та геліоенергетики. Предмет досліджень: cтруктурні, електричні, оптичні, люмінесцентні властивості, ансамбль дефектів тонких і товстих полікристалічних плівок твердих трикомпонентних розчинів Cd1–xZnxTe, Cd1–xMnxTe, отриманих при різних умовах вирощування методом квазізамкненого об’єму при різних умовах конденсації.Item Створення та оптимізація властивостей фоточутливих елементів на основі плівок сульфідів (оксидів) олова та цинку (SnS2/SnS, ZnO(S)/SnS)(Сумський державний університет, 2016) Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Возний, Андрій Андрійович; Возный, Андрей Андреевич; Voznyi, Andrii Andriiovych; Мальченков, Сергій Михайлович; Мальченков, Сергей Михайлович; Malchenkov, Serhii Mykhailovych; Храпай, Р.Г.; Подопригора, О.О.Покращення технології отримання однофазних плівок SnS2 і SnS, шляхом удосконалення технологій термічного випаровування у КЗО (вакуумний метод) та розробки методики отримання даних плівок методом спрей-піролізу (безвакуумний метод). Розробка комплексних підходів до вивчення впливів умов одержання плівок на їх структурні властивості. В результаті це дасть можливість визначити оптимальні фізико-технологічні умови отримання високотекстурованих однофазних конденсатів з низьким рівнем мікродеформацій, малою концентрацією дефектів пакування та дислокацій в об’ємі зерен, придатних для приладового використання.