Видання, зареєтровані у фондах бібліотеки
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/56
Browse
6 results
Search Results
Item Отримання та оптимізація властивостей плівок напівпровідників (ZnO, Cu2ZnSn(S,Se)4 і металів (Ag, Cu), надрукованих на 3d-принтері, для пристроїв електроніки(Сумський державний університет, 2020) Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Пономарьов, Олександр Георгійович; Пономарев, Александр Георгиевич; Ponomarov, Oleksandr Heorhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Шамардін, Артем Володимирович; Шамардин, Артем Владимирович; Shamardin, Artem Volodymyrovych; Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Гузенко, Олександр Ігорович; Гузенко, Александр Игоревич; Huzenko, Oleksandr Ihorovych; Ярошенко, Я.В.; Єрмаков, М.С.; Волобуєв, В.В.Об’єкт досліджень: Процеси фазо- і структуроутворення у наночастинках та нано- і мікроструктурованих плівках металів Ag, Cu та напівпровідникових сполук ZnO, Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 синтезованих або нанесених при різних фізико-хімічних умовах та їх вплив на електрофізичні, оптичні, фотолюмінесцентні характеристики зразків.Item Отримання та оптимізація властивостей плівок напівпровідників (ZnO, Cu2ZnSn(S,Se)4 і металів (Ag, Cu), надрукованих на 3d-принтері, для пристроїв електроніки(Сумський державний університет, 2019) Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Гузенко, Олександр Ігорович; Гузенко, Александр Игоревич; Huzenko, Oleksandr Ihorovych; Волобуєв, В.В.Метою даного проекту є створення матеріалознавчих основ керування структурно-чутливими характеристиками нано- і мікроструктурованих плівок, одержаних за допомогою пошарового 3D друку чорнилами на основі металевих та напівпровідникових наночастинок при різних фізико-технологічних умовах та їх оптимізація. Як результат, будуть одержані модельні зразки одношарових та багатошарових структур різного розміру та форми придатних для створення сонячних елементів, сенсорних та електронних приладів.Item Оптимізація структури і фазового складу cполук SnxSy та Zn1-xMgxO для плівкових сонячних елементів третього покоління(Сумський державний університет, 2018) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Возний, Андрій Андрійович; Возный, Андрей Андреевич; Voznyi, Andrii Andriiovych; Литвиненко, І.Ю.Об’єкт досліджень: процеси фазоутворення у плівках SnS, SnS2, ZnO, MgO, отриманих при різних фізико-технологічних умовах. Предмет досліджень: структурні, субструктурні, оптичні властивості плівок SnS, SnS2, ZnO, MgO, вплив на них умов нанесення.Item Створення та оптимізація властивостей фоточутливих елементів на основі плівок сульфідів (оксидів) олова та цинку (SnS2/SnS, ZnO(S)/SnS)(Сумський державний університет, 2018) Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Латишев, Віталій Михайлович; Латышев, Виталий Михайлович; Latyshev, Vitalii Mykhailovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Возний, Андрій Андрійович; Возный, Андрей Андреевич; Voznyi, Andrii Andriiovych; Єрьоменко, Юрій Сергійович; Еременко, Юрий Сергеевич; Yeromenko, Yurii Serhiiovych; Мальченков, Сергій Михайлович; Мальченков, Сергей Михайлович; Malchenkov, Serhii Mykhailovych; Шамардін, А.В.; Храпай, Р.Г.; Подопригова, О.О.; Фролов, А.І.Покращення технології отримання однофазних плівок SnS2 і SnS, шляхом удосконалення технологій термічного випаровування у КЗО (вакуумний метод). Розробка комплексних підходів до вивчення впливів умов одержання плівок на їх структурні властивості. В результаті це дасть можливість визначити оптимальні фізико-технологічні умови отримання високотекстурованих однофазних конденсатів з низьким рівнем мікродеформацій, малою концентрацією дефектів пакування та дислокацій в об’ємі зерен, придатних для приладового використання.Item Створення та оптимізація властивостей фоточутливих елементів на основі плівок сульфідів (оксидів) олова та цинку (SnS2/SnS, ZnO(S)/SnS)(Сумський державний університет, 2017) Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Латишев, Віталій Михайлович; Латышев, Виталий Михайлович; Latyshev, Vitalii Mykhailovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Возний, Андрій Андрійович; Возный, Андрей Андреевич; Voznyi, Andrii Andriiovych; Фролов, А.І.; Подопригора, О.О.В результаті проведених досліджень отримані наступні результати: Методом термічного вакуумного випаровування у КЗО були отримані однофазні плівки SnS2 які мають гексагональну кристалічну структуру з шириною забороненої зони 2,40 та 2,69 еВ для прямих та непрямих переходів, відповідно. Хімічний склад отриманих плівок був типовим для сполуки SnS2 та складав Sn:S=0.49. Встановлено, що термічний відпал у вакуумі плівок SnS2 при 500 0С протягом 90 хв приводить до зменшення концентрації сірки у шарах та забезпечує термічно-індукований фазовий перехід SnS2 SnS. В той час як менша температура та час відпалу приводить до змішаного фазового складу (SnS, SnS2 та Sn2S3) плівок. Трансформована плівка SnS мала однофазну гексагональну кристалічну структуру з високим коефіцієнтом поглинання 104-105 см-1 у видимому діапазоні. Ширина забороненої зони складала 1,33 та 1,49 еВ для прямих та не прямих переходів, відповідно. Форма та розмір кристалітів після відпалу не змінились, однак внаслідок випаровування сірки була утворена пориста структура. Хімічний склад трансформованої плівки був такий Sn:S=0.96. Значення питомого опору складало 105 Ом∙см. Була створена гетероперехідна фоточутлива структура ITO/CdS/SnS/Sn на основі трансформованої плівки SnS з параметрами: Uoc=0,35 В, Isc=34мкА та FF=0,42. Показано, що лазерне опромінення плівок SnS2 забезпечує випаровування сірки та фазовий перехід до фаз SnS та Sn2S3. Розподіл фаз за глибиною в опромінених зразках сильно залежить від інтенсивності лазерного випромінювання. Встановлено, що опромінення зразків лазером з інтенсивністю I1=8,5 МВт/см2 приводить до утворення на поверхні шару SnS. В результаті утворюється двошарова структура SnS/SnS2. Опромінені плівки містять невелику кількість фази Sn2S3. Застосування більш інтенсивного опромінення з інтенсивністю I2=11,5 МВт/см2 приводить до змін хімічного складу всієї плівки та утворення змішаного фазового шару з переважанням фази SnS над фазами SnS2 та Sn2S3. Чітко виражений фазовий поділ (тобто багатошарова структура) при цьому не спостерігається. Встановлено, що лазерне опромінення може бути ефективно використане для модифікації хімічного та фазового складу тонких плівок SnxSy. Це відкриває нові можливості для створення оптоелектронних пристроїв на базі плівок SnxSy. Згладжування поверхні плівки, що спостерігається під час її опромінення, може призвести до збільшення площі контакту між шарами та зменшення рекомбінації на межах зерен. Можливість утворення гетеропереходу n-SnS2/p-SnS за допомогою лазерного опромінення тонкої плівки SnS2 вимагає додаткового детального експериментального дослідження. Проте попередні результати, є перспективними, оскільки спостерігається діодна поведінка ВАХ опромінених зразків. Подальше покращення продуктивності гетеропереходів n-SnS2/p-SnS, утворених лазерним опроміненням, можна досягти шляхом оптимізації товщини вихідної плівки SnS2 та умов лазерного відпалу [90]. Також в процесі досліджень вивчено структуру, фазовий склад та електрофізичні властивості шарів у фоточутливому гетеропереході n-CdS/p-SnS, отриманому методом термічного вакуумного випаровування у КЗО. Встановлено, що темнові ВАХ гетеропереходу n-CdS/p-SnS мають типовий діодний характер з коефіцієнтом випрямлення струму 200 при напрузі 0,5 В. При освітленні гетероструктура показує фотоелектричний ефект. Відповідний СЕ мав наступні характеристики Voc=0.058 В, Jsc=3.38 мA/cм2, FF=0.41 та ƞ=0.095 %.Item Створення та оптимізація властивостей фоточутливих елементів на основі плівок сульфідів (оксидів) олова та цинку (SnS2/SnS, ZnO(S)/SnS)(Сумський державний університет, 2016) Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Возний, Андрій Андрійович; Возный, Андрей Андреевич; Voznyi, Andrii Andriiovych; Мальченков, Сергій Михайлович; Мальченков, Сергей Михайлович; Malchenkov, Serhii Mykhailovych; Храпай, Р.Г.; Подопригора, О.О.Покращення технології отримання однофазних плівок SnS2 і SnS, шляхом удосконалення технологій термічного випаровування у КЗО (вакуумний метод) та розробки методики отримання даних плівок методом спрей-піролізу (безвакуумний метод). Розробка комплексних підходів до вивчення впливів умов одержання плівок на їх структурні властивості. В результаті це дасть можливість визначити оптимальні фізико-технологічні умови отримання високотекстурованих однофазних конденсатів з низьким рівнем мікродеформацій, малою концентрацією дефектів пакування та дислокацій в об’ємі зерен, придатних для приладового використання.