Видання, зареєтровані у фондах бібліотеки
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/56
Browse
27 results
Search Results
Item Керування структурно-фазовим станом наночастинок і плівок нових оксидних матеріалів, нанесених хімічними методами, для потреб гнучкої електроніки і геліоенергетики(Сумський державний університет, 2022) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Єрмаков, Максим Сергійович; Yermakov, Maksym Serhiiovych; Кахерський, Станіслав Ігорович; Kakherskyi, Stanislav Ihorovych; Євдокименко, Владислав Юрійович; Yevdokymenko, Vladyslav Yuriiovych; Шкиря, Юрій Олегович; Shkyria, Yurii OlehovychОб’єкт дослідження: процеси фазо- і структуроутворення у наночастинках і плівках нових нелегованих та легованих оксидних матеріалів, одержаних при різних фізико-технологічних умовах, їх вплив на оптичні, електричні та фотоелектричні властивості сполук Предмет дослідження: структурні, субструктурні, оптичні, електричні характеристики та хімічний склад наночастинок та плівок оксидів СuОx, Zn2SnO4, ZnO:Cu (Al, In), одержаних дешевими хімічними методами (методом друку та розпилення наночорнил), порівняння фізичних властивостей зразків у нанокристалічному та плівковому стані, оптимізація їх характеристик. Метою проекту є оптимізація структурно-фазового складу та фізичних властивостей наночастинок і плівок нових перспективних, екологічно безпечних напівпровідникових оксидних матеріалів (СuОx, Zn2SnO4, ZnO:Cu (Al, In)), що можуть бути використані як функціональні шари приладів гнучкої і прозорої електроніки, фотодетекторів, газових сенсорів, віконних і поглинальних шарів тонкоплівкових фотоперетворювачів сонячної енергії третього покоління та можуть покращити їх експлуатаційні характеристики, збільшити ефективність і часову стабільність, знизити вартість, зробити використання і утилізацію приладів екологічно безпечними; порівняння характеристик цих матеріалів в нанокристалічному і плівковому станах.Item Полікристалічні плівки CdZnTeSe та CdMnTeSe для створення активної зони детекторів рентгенівського та гамма-випромінювання нового покоління(Сумський державний університет, 2022) Курбатов, Денис Ігорович; Kurbatov, Denys Ihorovych; Д'яченко, Олексій Вікторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Пащенко, Максим Володимирович; Pashchenko, Maksym VolodymyrovychОб’єкт дослідження – процеси структуро- і фазоутворення, електрофізичні, оптичні властивості та елементний склад у полікристалічних плівках CdZnTeSe та CdMnTeSe, а також функціональні елементи детекторів іонізуючого випромінювання на їх основі. Предметом дослідження є фазовий склад, структурні, субструктурні, оптичні, електричні властивості і елементний склад плівок CdZnTeSe та CdMnTeSe; фоточутливість і робочі характеристики модельних зразків детекторів іонізуючого випромінювання на основі CdZnTeSe та CdMnTeSe. Основна мета проєкту полягає у створенні функціональних елементів детекторів іонізуючого випромінювання на основі полікристалічних плівок чотирикомпонентних твердих розчинів напівпровідникових сполук, зокрема CdZnTeSe та CdMnTeSe, відносно недорогим методом вакуумного термічного випаровування в квазізамкненому об’ємі. Для досягнення поставленої мети необхідно вирішити наступні завдання: модернізація технології осадження полікристалічних плівок методом вакуумного термічного випаровування в квазізамкненому об’ємі, зокрема для більш точного контролю параметрів при вирощуванні плівок, шляхом створення електронної системи моніторингу та керування технологічними режимами вирощування; визначити умови вирощування полікристалічних плівок методом вакуумного термічного випаровування в квазізамкненому об’ємі та розробити оптимальну технологію регулювання їх хімічного складу, у т.ч. шляхом вибору відповідних компонентів вихідної шихти; з метою покращення властивостей отриманих плівок, розробити методики післяростового термічного та лазерного відпалів; дослідити морфологічні, структурні, субструктурні, оптичні, електрофізичні властивості та елементний склад отриманих полікристалічних шарів в залежності від умов їх отримання та відпалів, встановити зв'язок між ними; провести числове моделювання характеристик і оптимізації параметрів приладової структури прототипів детекторів іонізуючого випромінювання на базі плівок CdZnTeSe та CdMnTeSe, у т.ч. із створенням спеціалізованої 3D-моделі детекторних структур; за результатами проведених комплексних досліджень та враховуючи результати числового моделювання параметрів, оптимізувати умови вирощування плівок твердих розчинів з наперед заданими властивостями, а також тримання необхідних буферних і контактних шарів детекторів; отримати модельні зразки функціональних елементів детекторів іонізуючого випромінювання на основі полікристалічних плівок CdZnTeSe та CdMnTeSe; провести дослідження робочих характеристик отриманих функціональних елементів детекторів іонізуючого випромінювання з використанням реальних джерел гамма- і бета-випромінювання; узагальнення отриманих результатів. Мета завершального етапу виконання проекту – визначення параметрів та структури прототипів датчиків іонізуючого випромінювання, за розробленою моделлю розрахунку; визначення умов та зразків осаджених контактних шарів; виготовлення модельних зразків плівкових детекторів іонізуючого випромінювання на базі плівок CdZnTeSe та CdMnTeSe та результати вимірювання їх фоточутливості; дослідження робочих характеристик отриманих прототипів детекторів іонізуючого випромінювання з використанням реальних джерел гамма- і бета-випромінюванняItem Структурні, субструктурні та оптичні характеристики наночастинок і плівок сполук NiO, ZnO, Cu2ZnSn(SxSe1−x)4, отриманих методом 3D друку(Сумський державний університет, 2023) Кахерський, Станіслав Ігорович; Кахерський, Станислав Игоревич; Kakherskyi, Stanislav IhorovychДисертаційна робота присвячена створенню матеріалознавчих основ керування структурно-чутливими характеристиками наночастинок та плівок NiO, ZnO, Cu2ZnSn(SxSe1−x)4, одержаних за допомогою 3D друку при різних фізико-технологічних умовах, та їх оптимізації. У результаті одержані модельні зразки, придатні у подальшому для виготовлення приладів електроніки, в першу чергу сонячних елементах (СЕ) третього покоління. СЕ на основі поглинальних шарів Cu2ZnSn(SxSe1-x)4 на цей час залишаються малоефективними, що пов’язано з утворенням великої кількості вторинних фаз і власних структурних дефектів в матеріалі та неоптимізованою конструкцією приладів. Підвищення ККД фотоперетворювачів (ФЕП), можливе шляхом оптимізації їх конструкції та використання однофазних структурнодосконалих плівок з контрольованим ансамблем власних точкових дефектів. Методи одержання робочих шарів СЕ повинні легко масштабуватися, бути низько енергетичними, безвакуумними та екологічно безпечними. Для досягнення мети роботи було проведено моделювання фізичних процесів у ФЕП на основі гетеропереходів n-CdS / р-Cu2ZnSn(SxSe1−x)4 із фронтальними струмознімальними шарами на основі прозорих провідних оксидів n-ITO (ZnO). Було визначено оптимальний склад твердого розчину кестеритної сполуки та конструктивні особливості тонкоплівкових СЕ, які забезпечують їх максимальну ефективність. Також було розраховано максимальну теоретичну ефективність таких приладів. Для одержання однофазних плівок твердих розчинів Cu2ZnSn(SхSe1-х)4 та оксидів металів з заданих складом і характеристиками в роботі запропонована процедура, що включала синтез наночастинок цих сполук контрольованого хімічного складу та формування чорнил, які в подальшому використані для нанесення плівок низькотемпературним методом друку на принтері. Для видалення органічних домішок, які використовувалися при синтезі наночастинок і створенні чорнил та поліпшення структурної якості плівок, на останньому етапі вони відпалюються. З врахуванням вищезазначеного, було визначено умови синтезу наночастинок оксидних і кестеритних матеріалів необхідних розмірів та форми поліольно-колоїдним (ZnO, Cu2ZnSn(SxSe1−x)4) та золь-гель (NiO) методами. Після одержання були досліджені їх морфологічні, структурні, оптичні, електрофізичні властивості та елементний склад в залежності від фізико-хімічних умов синтезу (складу прекурсорів, часу росту та температури). Це дозволило оптимізувати структурнозалежні характеристики наночастинок. В подальшому були створені чорнила з контрольованими властивостями (в’язкістю, текучістю, швидкістю висихання, адгезією до поверхні нанесення) на основі суспензії наночастинок NiO, ZnO, Cu2ZnSn(SxSe1−x)4 шляхом їх диспергування в екологічно безпечних розчинниках з низькими температурами випаровування. З використанням 3D принтера, чорнилами на основі синтезованих наночастинок, шляхом заміни традиційної голівки на таку, яка дозволяє це робити, надруковано плівки оксидних та кестеритних сполук з відтворюваними характеристиками. Досліджені їх морфологічні, структурні, субструктурні, оптичні, електрофізичні властивості та елементний склад в залежності від умов друку та післяростових відпалів. Це дозволило встановити зв'язок між ними, визначити оптимальні умови нанесення і відпалу плівок з характеристиками, що необхідні для їх використання як базових шарів ФЕП та активних елементів приладів гнучкої електроніки. Таким чином, в роботі на основі апробованого програмного забезпечення вперше проведено визначення оптичних втрат енергії у СЕ з конструкцією скло/n-ITO(ZnO)/n-CdS/p-Cu2ZnSn(SxSe1−x)4/тильний контакт. Вивчений вплив цих втрат на фотоелектричні характеристики приладів в результаті чого вибрані оптимальний склад твердого розчину (Cu2ZnSn(S0,30Se0,70)4 за даними роботи [1] і Cu2ZnSn(S0,48Se0,52)4 за даними роботи [2]) і конструкція ФЕП та визначені фізично доцільні товщини функціональних шарів приладу (dZnO = 100 нм, dCdS = 25 нм). Вперше запропоновано новий спосіб поліольного синтезу наночастинок сполуки Cu2ZnSnSe4 (Cu2ZnSnS4), де як джерело Se (S) використано аморфний селен (сірку) замість традиційної селеномочевини (тіомочевини). Підібрано оптимальні умови синтезу: температуру (Т = 553 К), час (τ = 120 хв) та молярне співвідношення компонентів у прекурсорі (2:1,5:1:4), при яких нанокристали мали однофазну структуру кестеритного типу та склад (СCu = 29,0 ат.%, СZn = 12,1 ат.%, СSn = 12,7 ат.%, СSe(S) = 46,2 ат.%), близький до стехіометричного. Використання для синтезу елементарного селену дозволило значно здешевити процедуру одержання цих сполук. Вперше з використанням безпечних для здоров’я людини та екології прекурсорів розроблено метод синтезу наночастинок твердого розчину Cu2ZnSn(SxSe1−x)4 з однофазною структурою та керованим складом. З використанням суспензій цих частинок низькотемпературним методом 3D друку одержані плівки з контрольованими характеристиками. В результаті вдалося спростити процес нанесення плівок твердих розчинів за рахунок відмови від відпалу зразків Cu2ZnSnS4, при температурах (773–823) К в середовищі селену, зменшити собівартість синтезу, використавши як джерела халькогенів елементарні сірку і селен замість високовартісних органоселенідів та органічних розчинників. Установлено фізико-технологічні умови отримання методом 3D друку однофазних високотекстурованих та суцільних плівок ZnO, NiO, Cu2ZnSn(SxSe1−x)4) з великими розмірами ОКР (L), низьким рівнем мікродеформацій (ɛ) та мікронапружень, густиною дислокацій і керованою стехіометрією, придатних для приладового використання. Виявлені умови їх післяростового відпалу (Ta), що забезпечують покращення якості структури плівок та видалення сторонніх органічних домішок.Item Полікристалічні плівки CdZnTeSe та CdMnTeSe для створення активної зони детекторів рентгенівського та гамма-випромінювання нового покоління(Сумський державний університет, 2021) Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Д'яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Шамардін, Артем Володимирович; Шамардин, Артем Владимирович; Shamardin, Artem Volodymyrovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Пащенко, Максим Володимирович; Пащенко, Максим Владимирович; Pashchenko, Maksym Volodymyrovych; Кононов, Олексій Костянтинович; Кононов, Алексей Константинович; Kononov, Oleksii KostiantynovychОб’єкт дослідження – процеси структуро- і фазоутворення, електрофізичні, оптичні властивості та елементний склад у полікристалічних плівках CdZnTeSe та CdMnTeSe, а також функціональні елементи детекторів іонізуючого випромінювання на їх основі. Предметом дослідження є фазовий склад, структурні, субструктурні, оптичні, електричні властивості і елементний склад плівок CdZnTeSe та CdMnTeSe; фоточутливість і робочі характеристики модельних зразків детекторів іонізуючого випромінювання на основі CdZnTeSe та CdMnTeSe. Основна мета проєкту полягає у створенні функціональних елементів детекторів іонізуючого випромінювання на основі полікристалічних плівок чотирикомпонентних твердих розчинів напівпровідникових сполук, зокрема CdZnTeSe та CdMnTeSe, відносно недорогим методом вакуумного термічного випаровування в квазізамкненому об’ємі.Item Синтез та оптимізація властивостей сонячних елементів на основі гетеропереходу n-ZnO/p-Cu2ZnSn(S,Se)4, отриманих методом друку з використанням наночорнил(Сумський державний університет, 2021) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Пономарьов, Олександр Георгійович; Пономарев, Александр Георгиевич; Ponomarov, Oleksandr Heorhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Д'яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Шамардін, Артем Володимирович; Шамардин, Артем Владимирович; Shamardin, Artem Volodymyrovych; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Кахерський, Станіслав Ігорович; Кахерський, Станислав Игоревич; Kakherskyi, Stanislav IhorovychОб’єкт досліджень: Процеси фазо- і структуроутворення у напівпровідникових плівках, нанесених методом двовимірного друку наночорнилами при різних фізико-хімічних умовах, їх вплив на оптичні, електричні та фотоелектричні властивості одно- та багатошарових систем на їх основі. Предмет досліджень: Структурні, субструктурні, оптичні, електричні та фотоелектричні характеристики плівок ZnO, Cu2ZnSn(SхSe1-х)4 (0 ≤ x ≤ 1), отриманих друком принтером за допомогою суспензій наночастинок у екологічно безпечних розчинниках, з’ясування особливостей фізичних властивостей таких шарів у порівнянні з отриманими вакуумними методами. Мета роботи: Метою даного проекту є створення матеріалознавчих основ керування структурно-чутливими характеристиками плівок сполук ZnO, Cu2ZnSn(SхSe1-х)4 та багатошарових структур на їх основі, отриманих за допомогою друку наночорнилами при різних фізико-технологічних умовах та їх оптимізація. У результаті будуть створені модельні прототипи сонячних перетворювачів на основі гетеропереходу n-ZnO/p-Cu2ZnSn(SхSe1-х)4 на різних підкладках.Item Перспективні напівпровідникові наноматеріали для потреб гнучкої електроніки: синтез, розробка методів друку та оптимізація їх структурних, оптичних і фотоелектричних властивостей(Сумський державний університет, 2021) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Д'яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Шамардін, Артем Володимирович; Шамардин, Артем Владимирович; Shamardin, Artem Volodymyrovych; Гнатенко, Юрій Павлович; Гнатенко, Юрий Павлович; Hnatenko, Yurii Pavlovych; Буківський, А.П.Розробка матеріалознавчих основ одержання наночастинок напівпровідникових сполук, а також методів керування ансамблем дефектів, електрофізичними, оптичними, фотолюмінесцентними характеристиками наноматеріалів з метою їх одержання із заданими фізичними властивостями. Вироблення рекомендацій щодо подальшого використання отриманих наноматеріалів у сенсориці, опто- і мікроелектроніці, гнучкій електроніці, геліоенергетиці.Item Отримання та оптимізація властивостей плівок напівпровідників (ZnO, Cu2ZnSn(S,Se)4 і металів (Ag, Cu), надрукованих на 3d-принтері, для пристроїв електроніки(Сумський державний університет, 2020) Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Пономарьов, Олександр Георгійович; Пономарев, Александр Георгиевич; Ponomarov, Oleksandr Heorhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Шамардін, Артем Володимирович; Шамардин, Артем Владимирович; Shamardin, Artem Volodymyrovych; Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Гузенко, Олександр Ігорович; Гузенко, Александр Игоревич; Huzenko, Oleksandr Ihorovych; Ярошенко, Я.В.; Єрмаков, М.С.; Волобуєв, В.В.Об’єкт досліджень: Процеси фазо- і структуроутворення у наночастинках та нано- і мікроструктурованих плівках металів Ag, Cu та напівпровідникових сполук ZnO, Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 синтезованих або нанесених при різних фізико-хімічних умовах та їх вплив на електрофізичні, оптичні, фотолюмінесцентні характеристики зразків.Item Синтез та оптимізація властивостей сонячних елементів на основі гетеропереходу n-ZnO/p-Cu2ZnSn(S,Se)4, отриманих методом друку з використанням наночорнил(Сумський державний університет, 2020) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Пономарьов, Олександр Георгійович; Пономарев, Александр Георгиевич; Ponomarov, Oleksandr Heorhiiovych; Єрьоменко, Юрій Сергійович; Еременко, Юрий Сергеевич; Yeromenko, Yurii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Шамардін, Артем Володимирович; Шамардин, Артем Владимирович; Shamardin, Artem Volodymyrovych; Кахерський, Станіслав Ігорович; Кахерський, Станислав Игоревич; Kakherskyi, Stanislav Ihorovych; Шаповалов, О.І.; Шкиря, Ю.О.Об’єкт досліджень: Процеси фазо- і структуроутворення у напівпровідникових плівках, нанесених методом двовимірного друку наночорнилами при різних фізико-хімічних умовах, їх вплив на оптичні, електричні та фотоелектричні властивості одно- та багатошарових систем на їх основі.Item Оптимізація властивостей плівок Cu2ZnSn(Ge)S4, отриманих спрей-піролізом, для сонячних елементів третього покоління(Сумський державний університет, 2020) Шамардін, Артем Володимирович; Шамардин, Артем Владимирович; Shamardin, Artem VolodymyrovychДисертаційна робота присвячена визначенню умов синтезу плівок CZTS методом спрей-піролізу з оптимізованими властивостями, придатних для приладового використання; розробці технологічного підходу для легування плівок атомами Ge та дослідженню механізмів заміщення атомів Sn на Ge під час осадження шарів CZTGeS; комплексному дослідженню плівок CZTS і CZTGeS у залежності від різних фізико- та хіміко-технологічних умов осадження та післяростового лазерного відпалу з метою оптимізації їх характеристик для використання у СЕ третього покоління; дослідженню впливу концентрації сірки у прекурсорі на структурні характеристики плівок CZTS та її подальшому впливу на робочі параметри СЕ; визначенню впливу оптичних втрат, концентрації атомів Ge і Sn у поглинальному шарі CZTGeS, матеріалу різних буферних шарів (CdS, ZnS, ZnMgO, SnS2) та зміни енергії роботи виходу електрону тильного контактного шару на основні фотоелектричні характеристики СЕ; визначенню параметрів необхідних для оптимізації конструкції таких СЕ з покращеними робочими характеристиками. Розроблена методика та установлені зв’язки між фізико-хімічними умовами синтезу плівок CZT(Ge)S, їх післяростовими лазерними відпалами та структурними, субструктурними, оптоелектричними характеристиками і елементним складом можуть бути використані для створення СЕ з високою ефективністю фотоперетворення та низькою собівартістю.Item Оптимізація властивостей плівок Cu2ZnSn(Ge)S4, отриманих спрей-піролізом, для сонячних елементів третього покоління(Сумський державний університет, 2020) Шамардін, Артем Володимирович; Шамардин, Артем Владимирович; Shamardin, Artem VolodymyrovychДисертаційна робота присвячена визначенню умов синтезу плівок CZTS методом спрей-піролізу з оптимізованими властивостями, придатних для приладового використання; розробці технологічного підходу для легування плівок атомами Ge та дослідженню механізмів заміщення атомів Sn на Ge під час осадження шарів CZTGeS; комплексному дослідженню плівок CZTS і CZTGeS у залежності від різних фізико- та хіміко-технологічних умов осадження та післяростового лазерного відпалу з метою оптимізації їх характеристик для використання у СЕ третього покоління; дослідженню впливу концентрації сірки у прекурсорі на структурні характеристики плівок CZTS та її подальшому впливу на робочі параметри СЕ; визначенню впливу оптичних втрат, концентрації атомів Ge і Sn у поглинальному шарі CZTGeS, матеріалу різних буферних шарів (CdS, ZnS, ZnMgO, SnS2) та зміни енергії роботи виходу електрону тильного контактного шару на основні фотоелектричні характеристики СЕ; визначенню параметрів необхідних для оптимізації конструкції таких СЕ з покращеними робочими характеристиками. Розроблена методика та установлені зв’язки між фізико-хімічними умовами синтезу плівок CZT(Ge)S, їх післяростовими лазерними відпалами та структурними, субструктурними, оптоелектричними характеристиками і елементним складом можуть бути використані для створення СЕ з високою ефективністю фотоперетворення та низькою собівартістю.
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »