Факультет електроніки та інформаційних технологій (ЕлІТ)
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20
Browse
Search Results
Item Вплив складу сполуки CZTSSe на величину оптичних втрат у сонячних елементах на основі гетеропереходів n-ITO(ZnO)/nCdS/p-CZTSSe(Сумський державний університет, 2020) Волобуєв, В.В.; Кахерьский, Станіслав Ігорович; Кахерский, Станислав Игоревич; Kakherskyi, Stanislav Igorevich; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychУ наш час для перетворення сонячної енергії у електричну в основному використовуються сонячні елементи (СЕ), що базуються на кремнієвих технологіях (перше покоління СЕ), однак останні роки все частіше почали застосовуватися тонкоплівкові фотоперетворювачі (ФЕП) на основі гетеропереходів (ГП) з поглинальними шарами GaAs, InP, CdTe, CuIn1-yGaySe2 (CIGS), які відносяться до другого покоління таких приладів.