Факультет електроніки та інформаційних технологій (ЕлІТ)
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20
Browse
2 results
Search Results
Item Morphological, structural and optical properties of Mg-doped ZnO nanocrystals synthesized using polyol process(Elsevier Ltd., 2019) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Степаненко, Андрій Олександрович; Степаненко, Андрей Александрович; Stepanenko, Andrii Oleksandrovych; Vorobiov, S.I.; Balaz, Peter; Plotnikov, S.V.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychУ цій роботі, леговані ZnO нанокристали, та легірований Mg (0,5–20,0 ат.%) були синтезовані з використанням поліольного процесу. Також досліджені їх морфологічні, структурні, оптичні властивості, а також їх хімічний склад. Рентгенівська дифракція, передавальна та скануюча електронна мікроскопія, енергодисперсна рентгенографія, Раман та УФ-спектроскопії були використані для ідентифікації ефективного включення атомів Mg у решітку ZnO без утворення вторинних фаз при Mg до 5 ат.%. При більш високому рівні допінгу Mg були виявлені сліди фази Mg(OH)2. Результати виявили зменшення розмірів та погіршення якості кристалів нанокристалів ZnO із збільшенням легування Mg. Нанокристали ZnO втрачають сферичну форму, утворюючи стрижнеподібні та аморфні наноструктури при Mg ≥ 5 ат.%. Раманові спектри підтвердили режими Е2 (високий), Е2 (низький), Е2 (високий) - Е2 (низький), режим А1 (ТО) для недозволених та режим Eu (ТО) для нанокристалів ZnO, легованих Mg. Оптичний зазор знайдено в діапазоні 3,40–3,80 еВ.Item Наночорнила на основі оксиду цинку для дво- та тривимірного друку активних елементів сенсорів(Астропринт, 2018) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Гузенко, Олександр Ігорович; Гузенко, Александр Игоревич; Huzenko, Oleksandr Ihorovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Степаненко, Андрій Олександрович; Степаненко, Андрей Александрович; Stepanenko, Andrii Oleksandrovych; Данильченко, П.С.Напівпровідникова сполука оксиду цинку (ZnO) завдяки оптимальним фізичним властивостям, високій термічній, хімічній стабільності, екологічності є перспективним матеріалом для створення чутливих елементів сенсорів газів, рідин, УФ випромінювання, температури, вологості, тощо.