Факультет електроніки та інформаційних технологій (ЕлІТ)
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20
Browse
41 results
Search Results
Item Вплив складу сполуки CZTSSe на величину оптичних втрат у сонячних елементах на основі гетеропереходів n-ITO(ZnO)/nCdS/p-CZTSSe(Сумський державний університет, 2020) Волобуєв, В.В.; Кахерьский, Станіслав Ігорович; Кахерский, Станислав Игоревич; Kakherskyi, Stanislav Igorevich; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychУ наш час для перетворення сонячної енергії у електричну в основному використовуються сонячні елементи (СЕ), що базуються на кремнієвих технологіях (перше покоління СЕ), однак останні роки все частіше почали застосовуватися тонкоплівкові фотоперетворювачі (ФЕП) на основі гетеропереходів (ГП) з поглинальними шарами GaAs, InP, CdTe, CuIn1-yGaySe2 (CIGS), які відносяться до другого покоління таких приладів.Item Morphological, structural and optical properties of Mg-doped ZnO nanocrystals synthesized using polyol process(Elsevier Ltd., 2019) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Степаненко, Андрій Олександрович; Степаненко, Андрей Александрович; Stepanenko, Andrii Oleksandrovych; Vorobiov, S.I.; Balaz, Peter; Plotnikov, S.V.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychУ цій роботі, леговані ZnO нанокристали, та легірований Mg (0,5–20,0 ат.%) були синтезовані з використанням поліольного процесу. Також досліджені їх морфологічні, структурні, оптичні властивості, а також їх хімічний склад. Рентгенівська дифракція, передавальна та скануюча електронна мікроскопія, енергодисперсна рентгенографія, Раман та УФ-спектроскопії були використані для ідентифікації ефективного включення атомів Mg у решітку ZnO без утворення вторинних фаз при Mg до 5 ат.%. При більш високому рівні допінгу Mg були виявлені сліди фази Mg(OH)2. Результати виявили зменшення розмірів та погіршення якості кристалів нанокристалів ZnO із збільшенням легування Mg. Нанокристали ZnO втрачають сферичну форму, утворюючи стрижнеподібні та аморфні наноструктури при Mg ≥ 5 ат.%. Раманові спектри підтвердили режими Е2 (високий), Е2 (низький), Е2 (високий) - Е2 (низький), режим А1 (ТО) для недозволених та режим Eu (ТО) для нанокристалів ZnO, легованих Mg. Оптичний зазор знайдено в діапазоні 3,40–3,80 еВ.Item Optical and Recombination Losses in Cu2ZnSn(S,Se)4-Based Thin-Film Solar Cells with CdS, ZnSe, ZnS Window and ITO, ZnO Charge-Collecting Layers(Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 2018) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Новгородцев, Анатолій Іванович; Новгородцев, Анатолий Иванович; Novhorodtsev, Anatolii Ivanovych; Danylchenko, P.S.We report the investigation on the optical and recombination losses in the solar cells based on n-CdS(ZnSe, ZnS)/p-Cu2ZnSn(S,Se)4 heterojunctions with n-ITO(ZnO) frontal charge-collecting contacts. The calculation of the optical losses was carried out taking into account the light reflection from the interfaces of the contacted layers and absorption of the window and frontal charge-collecting layers. The recombination losses of the photogenerated charge carriers at the interface between the window and absorber layer, in the space charge and in the quasineutral regions of the semiconductor films was determined using the solution of the continuity equation. We investigated the effect of the optical and recombination losses on the internal (Qint), external (Qext) quantum yields, short-circuit current density (Jsc) and maximum efficiency (y) of solar cells.Item Наночорнила на основі оксиду цинку для дво- та тривимірного друку активних елементів сенсорів(Астропринт, 2018) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Гузенко, Олександр Ігорович; Гузенко, Александр Игоревич; Huzenko, Oleksandr Ihorovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Степаненко, Андрій Олександрович; Степаненко, Андрей Александрович; Stepanenko, Andrii Oleksandrovych; Данильченко, П.С.Напівпровідникова сполука оксиду цинку (ZnO) завдяки оптимальним фізичним властивостям, високій термічній, хімічній стабільності, екологічності є перспективним матеріалом для створення чутливих елементів сенсорів газів, рідин, УФ випромінювання, температури, вологості, тощо.Item Чорнила на основі наночасток Ag, ZnO, Cu2ZnSnS4 для друку електронних схем(Сумський державний університет, 2018) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Гузенко, Олександр Ігорович; Гузенко, Александр Игоревич; Huzenko, Oleksandr Ihorovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Єрмаков, М.С.; Ярошенко, Я.В.Останнім часом виготовлення елементів побуту переходить від адитивного методу виробництва до формування цілісного об’єкта методом 3D друку. Це пов’язано з тим, що цей метод дає змогу здешевити і пришвидшити виробництво, а в подальшому перенести виготовлення нескладних предметів побуту безпосередньо в людські домівки. Технологія друку чорнилами на основі наночастинок металів та напівпровідників дає змогу швидко та дешево створювати електричну розводку і напівпровідникові елементи приладів сенсорики, прозорої електроніки та геліоенергетики.Item Моделювання фізичних процесів у напівпровідникових сонячних елементах на основі гетеропереходів n-ITO(ZnO)/n-CdS(n-ZnS, ZnSe)/p-CZTS(Сумський державний університет, 2018) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Данильченко, П.С.Перспективним способом використання сонячної енергії є її перетворення в електричну, використовуючи сонячні елементи (СЕ), зокрема тонкоплівкові прилади типу “superstrate”, які мають багатошарову конструкцію. На теперішній час найбільш поширені СЕ першого та другого поколінь на основі поглинальних шарів Si, CdTe, GaAs, Cu(In1-x,Gax)(S1-xSex)2, які демонструють ефективність більшу за 20 %.Item The optimization of functional layers of solar cells based on n-ZnMgO / p-CuO and n-ZnMgO / p-Cu2O heterojunctions(2017) Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Гриненко, Віталій Вікторович; Гриненко, Виталий Викторович; Hrynenko, Vitalii ViktorovychIn this paper, we present the results of the calculations of optical losses in the solar cell layers based on n-ZnMgO / p-CuO(p-Cu2O) heterojunctions with AZO and ITO front contacts. The calculations were carried out considering of light absorption in the auxiliary layers of the device. Thus, the spectral dependencies of transmittance in the absorber layer of solar cell were defined. It is made possible to optimize the design of the solar cells based on such heterojunctionsItem Structural and optical features of Cu2ZnSnS4 films deposited by pulsed spray pyrolysis technique(Vasyl Stefanyk Precarpathian National University, 2017) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Данильченко, Петро Сергійович; Данильченко, Петр Сергеевич; Danylchenko, Petro Serhiiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Cheong, H.The goal of work – the investigation of morphological, structural, optical properties and elemental composition of CZTS thin films obtained by pulsed spray pyrolysis at a different volume of a sprayed initial precursor.Item Thermoelectric properties of the colloidal Bi2S3-based nanocomposites(Jadavpur University, 2017) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Panchal, C.J.; Suryavanshi, P.; Trivedi, U.B.; Kheraj, V.A.In this work we present the proof of the concept of the novel strategy to improve the thermoelectric properties of Bi2S3based nanostructured bulk materials by blending the metallic nanoinclustions with the semiconductor nanoparticles forming the nanocomposites (NCts). The obtained NCts were composed of Bi2S3nanorods (length - 100 nm and width – 10 nm) and Ag nanoparticles (diameter - 2- 3 nm) synthesized by colloidal method. The morpohology, phase and chemical composition, electrical conductivity and Seebeck coefficient of NCts were investigated by using transmission electron microscopy (TEM), X-ray diffraction, energy dispersive X-ray analysis (EDAX), 4-point probes method and static dc-method. This strategy is the perspective way to improve the conversion efficiency of others thermoelectric materials.Item Чорнила на основі металевих та напівпровідникових наночастинок для тривимірного друку(Сумський державний університет, 2017) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Салогуб, А.О.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychУ наш час спостерігається перехід від традиційного способу створення предметів побуту та промисловості, шляхом складання їх з окремих частин, отриманих різанням, литтям чи іншим способом, до адитивного виробництва, в якому об’єкт формується в одному робочому циклі за рахунок пошарового нанесення різноманітних матеріалів (металів, пластмас, скла, тощо) за допомогою 3Д принтеру. В електроніці, особливо перспективною є технологія 3Д друку чорнилами з металевими наночастинками (Ag, Cu, Sn) для створення розводки електричних схем, та чорнилами на основі напівпровідникових матеріалів для розробки чутливих елементів фотоперетворювачів, термогенераторів, прозорої електроніки, сенсорів газів та тачпадів.