Факультет електроніки та інформаційних технологій (ЕлІТ)
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20
Browse
6 results
Search Results
Item Моделювання фізичних процесів у напівпровідникових сонячних елементах на основі гетеропереходів n-ITO(ZnO)/n-CdS(n-ZnS, ZnSe)/p-CZTS(Сумський державний університет, 2018) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Данильченко, П.С.Перспективним способом використання сонячної енергії є її перетворення в електричну, використовуючи сонячні елементи (СЕ), зокрема тонкоплівкові прилади типу “superstrate”, які мають багатошарову конструкцію. На теперішній час найбільш поширені СЕ першого та другого поколінь на основі поглинальних шарів Si, CdTe, GaAs, Cu(In1-x,Gax)(S1-xSex)2, які демонструють ефективність більшу за 20 %.Item Порівняння оптичних втрат у сонячних елементах на основі гетеропереходів n-ito(zno)/n-cds(n-zns, znse)/p-czts(Сумський державний університет, 2016) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Данильченко, П.С.Одним із шляхів подолання енергетичної кризи є широкомасштабне використання фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) сонячної енергії.Item Оптичні витрати в сонячних елементах на основі гетеропереходу n-ZnS/p-CdTe(Сумський державний університет, 2013) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Кривенко, І.А.Метою даної роботи є визначення оптичних втрат в СЕ на основі ГП n-ZnS/p-CdTe.Item Оптичні втрати на відбивання в сонячних елементах на основі гетеропереходів n-CdS(n-ZnS) / p-CZTS(Сумський державний університет, 2015) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Данильченко, П.С.На сьогоднішній день у масовому виробництві тонкоплівкових сонячних елементів (СЕ) широко використовуються гетеропереходи (ГП) n-CdS/p-(CuInxGa(1 – x)(S, Se)2, CdTe) із верхнім струмознімальним шаром ІТО. Але, такі недоліки як висока вартість In, Ga та Te, токсичність Cd, дають поштовх до пошуку альтернативних функціональних матеріалів та конструкцій фотоперетворювачів.Item Моделювання впливу віконного шару на основні параметри сонячних елементів з гетеропереходами n-ZnS(n-CdS)/p-CdTe(Сумський державний університет, 2014) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Конопленко, О.П.Метою роботи стало визначення впливу заміни віконного шару в СЕ з конструкцією n-ZnS(n-CdS)/p-CdTe на основні характеристики елементів (ефективність (h), фактор заповнення (ФЗ), густину струму короткого замикання (Jкз) та напругу холостого ходу (Uxx)) за допомогою програмного середовища SCAPS-3200.Item Рекомбінаційні втрати в сонячних елементах на основі гетеропереходу n-ZnS/p-SdTe(Сумський державний університет, 2014) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Ільїн, С.С.Метою даної роботи стало визначення рекомбінаційних втрат носіїв генерованих світлом в СЕ на основі ГП n-ZnS/p-CdTe.