Факультет електроніки та інформаційних технологій (ЕлІТ)
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20
Browse
20 results
Search Results
Item Raman Characterisation of Cd1−xZnx Te Thick Polycrystalline Films Obtained by the Close-Spaced Sublimation(Institute of Physics of the Polish Academy of Sciences, 2017) Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Дорда, Віталій Олександрович; Дорда, Виталий Александрович; Dorda, Vitalii Oleksandrovych; Fochuk, P.M.; Medvids, A.In this work, we studied the Raman spectra of thick polycrystalline Cd1-xZnx Te (CZT) films with x ranged from 0.06 to 0.68. Additionally, the surface morphology and structural properties were studied in order to determine the crystalline quality of the samples. The Raman spectra had a two-mode behavior typical for CZT solid solution and showed CdTe- and ZnTe-like longitudinal and transverse optical modes. The relationship between the frequencies of CdTe- and ZnTe-related modes on x was studied. We observed the deviation of the compositional dependence of phonon mode frequencies for polycrystalline CZT films in comparison with a similar dependence for CZT single crystals. Such deviation was caused by the effect of structural defects in polycrystalline films on frequencies of vibrational modes. The values of excitation wavelength, which allow achieving of high signal-to-noise ratio on the Raman spectra of CZT films with different zinc concentration in the result of resonant enhancement of phonon modes intensities, were experimentally determined.Item Плівки напівпровідників та металів, одержані методом тривимірного друку, для пристроїв електроніки(Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України; Рада молодих вчених Інституту фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2019) Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Шкиря, Ю.І.; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychВ роботі досліджені властивості плівок, нанесених 3D друком чорнилами на основі наночастинок металевих (Ag) та напівпровідникових (ZnO, Cu2ZnSnS4) сполук. Такі напівпровідникові плівки можуть бути використані у якості чутливих шарів приладів сенсорики, оптоелектроніки, геліоенергетики, а металічні шари, як струмопровідні доріжки.Item Фоточутливі плівки Cd1-xZnxTe для детекторів жорсткого випромінювання(Сумський державний університет, 2018) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Курінський, Б.Ю.Товсті полікристалі плівки Cd1-xZnxTe (CZT) з різною концентрацією цинку були отримані методом вакуумного термічного випаровування в квазізамкненому об’ємі на скляних підкладках вкритих підшаром ITO. Проводилося вивчення електрофізичних властивостей та фотовідклику багатошарових структур Au/CZT/ITO з метою оцінки можливості їх використання в якості детекторів радіаційного випромінювання.Item Дослідження фазового складу полікристалічних плівок Cd1-xZnxTe методом мікро-раман(Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної Академії Наук України, 2017) Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychТовсті полікристалічні плівки CZT були отримані методом вакуумного термічного випаровування в квазізамкненому об’ємі, температура випарника складала 700°С, температура підкладки - 400°С. Для отримання плівок з різною концентрацією цинку проводилося випаровування суміші порошків CdTe та ZnTe, масове відношення яких змінювалося для кожної плівки.Item Використання технології тривимірного друку для формування струмознімальних контактів в тонкоплівкових сонячних перетворювачах(Сумський державний університет, 2017) Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Кононов, О.К.; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychВ процесі виготовлення тонкоплівкових сонячних перетворювачів важливим етапом є утворення струмозмімальних контактів на поверхні плівки та їх з’єднання із зовнішніми електричними колами. В порівнянні з традиційними способами отримання контактів, такими як вакуумне термічне напилення, магнетронне розпилення, хімічні методи, технологія тривимірного друку спеціальними струмопровідними чорнилами являється перспективним дешевим методом, що дозволяє за короткий час створити струмознімальні контакти необхідної форми із заданими властивостями.Item The surface morphology, structural properties and chemical composition of Cd1-xZnxTe polycrystalline thick films deposited by close spaced vacuum sublimation(Elsevier, 2017) Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Ponomarov, А.А.; Romanenko, A.V.; Stanislavov, A.S.; Medvids, A.; Шпетний, Ігор Олександрович; Шпетный, Игорь Александрович; Shpetnyi, Ihor Oleksandrovych; Gorobets, Yu.I.; Dauksta, E.Тонкі полікристалічні плівки Cd1-xZnxTe з х варіювалися від 0,37 до 0,80 були отримані метод вакуумної сублімація з близькою відстанню. Для дослідження властивостей структурних властивостей були проведені дослідження PIXE і Раман. Визначення хімічного складу плівок за допомогою EDS, PIXE і XRD показало гарне співвідношення результатів. Раман-спектроскопія виявляє зв'язок між концентрацією цинку і коливальними властивостями плівок. Дослідження просторового розподілу хімічних елементів на поверхні плівки за допомогою мікропіксела і мікрорамановской спектроскопії показали, що плівки однорідні і не містять вторинних фаз, таких як CdTe, ZnTe і ТеItem Composition dependence of structural and optical properties of Cd1-xZnxTe thick films obtained by the close-spaced sublimation(Elsevier, 2016) Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosyak, Volodymyr Volodymyrovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Čerškus, A.; Dauksta, E.; Гнатенко, Юрій Павлович; Гнатенко, Юрий Павлович; Gnatenko, Yurii Pavlovych; Grase, L.; Vecstaudza, J.; Medvids, A.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychУ даній роботі представлені результати структурної, фотолюмінесценції та рамановської характеристики товстих плівок Cd1-xZnxTe з різною концентрацією цинку, отриманих методом вакуумної сублімаціїз близькою відстанню. Аналіз зразків рентгенівських променів дозволяє визначити вплив концентрації цинку на якість кристалів плівок. Було встановлено, що зразки з х ≈ 0,10 і х ≈ 0,32 мають високу якість кристалів. Однак зі збільшенням концентрації цинку якість кристала зменшується. Цей результат був підтверджений дослідженням фотолюмінесценції. А саме, спостерігалося значне погіршення оптичних властивостей зразків з високою концентрацією цинку (х> 0,32). Спектроскопія комбінаційного розсіювання показує співвідношення між концентрацією цинку і коливальними властивостями плівок. Крім того,метод мікрораманів показує, що отримані плівки є однорідними і вільними від включень телуру.Item Дослідження раманівських спектрів полікристалічних плівок Cd1-хZnхTe(Луцький національний технічний університет, 2016) Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychВ даній роботі проведено дослідження раманівських спектрів, залежності частот мод фононних коливань від концентрації цинку, а також морфології поверхні, структурних, мікроструктурних властивостей товстих полікристалічних плівок Cd1-xZnxTe (CZT) зі змінним значенням х в діапазоні від х=0.06 до х=0.68.Item Структурні, субструктурні та електрофізичні властивості плівок CdxZn1-xTe зі змінною концентрацією цинку(Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова, 2015) Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Фочук, П.М.Метою дослідження було вивчення впливу концентрації цинку на структурні та електрофізичні властивості плівок CdxZn1-xTe. Плівки твердих розчинів CdxZn1-xTe були отримані на металізованих молібденом підкладках зі скла методом вакуумного термічного випаровування в квазізамкненому об’ємі.Item Адаптація технології тривимірного друку для виготовлення доріжок електронних плат(Сумський державний університет, 2016) Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Кононов, О.К.На сучасному етапі розвитку електроніки зі зменшенням розмірів корпусів електронних компонентів та збільшення їх функціоналу, виникає необхідність створення друкованих плат нового типу з більшою кількістю шарів та меншою шириною та висотою доріжок. Типові методи створення електронних плат потребують залучення складного промислового обладнання та значних матеріальних затрат, що в свою чергу є не вигідною технологією виробництва.