Факультет електроніки та інформаційних технологій (ЕлІТ)
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20
Browse
Search Results
Item Моделювання основних характеристик сонячних елементів на основі гетеропереходів n-ZnS/p-CdTe і n-CdS/p-CdTe(Видавничий центр НТУ «ХПІ», 2013) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Бересток, Таїсія Олександрівна; Бересток, Таисия Александровна; Berestok, Taisiia Oleksandrivna; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliyovych; Лопатка, Р.В.; Лопатка, Р.В.; Lopatka, R.V.В роботі з використанням програмного середовища SCAPS-3200 проведено моделювання темнових та світлових ВАХ, а також спектральних розподілів квантової ефективності плівкових сонячних елементів (СЕ) на основі ідеальних гетеропереходів n-ZnS/p-CdTe і n-CdS/p-CdTe. Показано, що заміна традиційного матеріалу віконного шару фотоперетворювачів CdS на більш широкозонний матеріал ZnS приводить до зростання ККД. Встановлені конструктивні параметри СЕ на основі багатошарової системи n-ZnS/p-CdTe, які забезпечують їх максимальну ефективність. Вироблені рекомендації щодо оптимізації технології створення реальних дешевих та високоефективних плівкових перетворювачів сонячної енергії. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/33899Item Modeling of the main working parameters of solar cells based on ZnTe/CdSe and ZnSe/CdSe heterojunctions(SWorld, 2013) Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychВ данной работе было проведено моделирование основных параметров солнечных элементов, таких как: напряжение холостого хода Voc, плотность тока короткого замыкания Jsc, фактор заполнения FF, коэффициент полезного действия (КПД) солнечных элементов на основе гетеропереходов ZnTe/CdSe и ZnSe/CdSe, в зависимости от внешних условий: эксплуатационная температура, толщины поглощающего и оконного слоев. Были найдены начальные характеристики для получения солнечных элементов с оптимальной эффективностью преобразования энергии светового излучения. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/32602