Факультет електроніки та інформаційних технологій (ЕлІТ)
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20
Browse
6 results
Search Results
Item Zinc-Nanosystem-Structure Formation Using Anodic-Oxidized Aluminum Membranes(Pleiades Publishing, Ltd., 2017) Корнющенко, Ганна Сергіївна; Корнющенко, Анна Сергеевна; Korniushchenko, Hanna Serhiivna; Перекрестов, Вячеслав Іванович; Перекрестов, Вячеслав Иванович; Perekrestov, Viacheslav Ivanovych; Наталіч, Вікторія Вадимівна; Наталич, Виктория Вадимовна; Natalich, Viktoriia Vadymivna; Загайко, Інна Володимирівна; Загайко, Инна Владимировна; Zahaiko, Inna VolodymyrivnaWe propose a new method for the formation of zinc nanosystems by condensation of a weakly supersaturated Zn vapor in pores of the anodic-oxidized aluminum membrane (AOA)–silicon substrate sys- tem. For this purpose, a weak Zn vapor flow is created by magnetron sputtering of Zn target in a high-purity inert gas atmosphere and maintaining a temperature of the porous AOA membrane outer surface higher than that of the substrate. This drives a directional Zn vapor flow inward membrane parallel to the pore generatrix and favors effective penetration of Zn vapor into the membrane.Item Formation of porous zinc nanosystems using direct and reverse flows of DC magnetron sputtering(STC Institute for single Crystals, 2017) Латишев, Віталій Михайлович; Латышев, Виталий Михайлович; Latyshev, Vitalii Mykhailovych; Перекрестов, Вячеслав Іванович; Перекрестов, Вячеслав Иванович; Perekrestov, Viacheslav Ivanovych; Корнющенко, Ганна Сергіївна; Корнющенко, Анна Сергеевна; Korniushchenko, Hanna Serhiivna; Загайко, Інна Володимирівна; Загайко, Инна Владимировна; Zahaiko, Inna VolodymyrivnaУ роботі проведено порівняльний аналіз двох механізмів структуроутворення наносистем Zn. У першому класичному варіанті формування наносистем відбувалося на підігрітих підкладках, які розташовані перед магнетронним розпилювачем. Другий варіант заснований на конденсації обернених дифузійних потоків розпиленої речовини на підкладки, які розташовані у порожнині магнетронного розпилювача. Показано, що у порівнянні з класичним варіантом, використання обернених дифузійних потоків призводить до більш вісокої відтворюваності технологічного процесу і до суттєвого підвищення швидості нарощування наносистем.Item Ефект зниження порогу перколяції у надтонких плівках срібла при квазирівноважній конденсації та дії плазми на ростову поверхню(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2016) Космінська, Юлія Олександрівна; Косминская, Юлия Александровна; Kosminska, Yuliia Oleksandrivna; Перекрестов, Вячеслав Іванович; Перекрестов, Вячеслав Иванович; Perekrestov, Viacheslav Ivanovych; Загайко, Інна Володимирівна; Загайко, Инна Владимировна; Zahaiko, Inna VolodymyrivnaВивчено закономірності структуроутворення надтонких плівок срібла на відколах KCl, а також на відколах KCl, покритих шаром полімеру PC403 або ma-N405. Виявлено ефект, еквівалентний зниженню порогу перколяції. Він є наслідком використання методики осадження, при якій на поверхню підложжя безпосередньо діє низькотемпературна плазма та пари конденсуються за умов, близьких до термодинамічної рівноваги. На основі досліджень за допомогою просвітлювальної електронної мікроскопії й електронної дифракції встановлено, що зародження плівки срібла відбувається у вигляді формування надтонкого аморфного шару, а при подальшому нарощуванні плівки стається поступовий перехід у полікристалічний стан або зародження та ріст незв’язаних один з одним об’ємних кристалів.Item Regularities of Ultrathin Silver Films Formation on Cleaved KCl Facets(Sumy State University, 2015) Перекрестов, Вячеслав Іванович; Перекрестов, Вячеслав Иванович; Perekrestov, Viacheslav Ivanovych; Загайко, Інна Володимирівна; Загайко, Инна Владимировна; Zahaiko, Inna Volodymyrivna; Космінська, Юлія Олександрівна; Косминская, Юлия Александровна; Kosminska, Yuliia OleksandrivnaThe ultrathin silver layers formation regularities were studied. Silver films were obtained by DC magnetron sputtering onto KCl cleaved facets in an ultrapure inert environment. The technique of samples obtaining was based on reducing of the percolation threshold for silver condensates under Volmer-Weber nucleation conditions and exposing of a growth surface to plasma. The condensates structure was investigated by means of transmission electron microscopy. The experiments have shown that on the initial stage of film growth on cleaved KCl facets solid amorphous layer was formed. With increasing of layer thi ckness a transition to crystalline state was occurred.Item Отримання шарів sic шляхом магнетронного розпилення складеної мішені графіт-кремній(Сумський державний університет, 2015) Загайко, Інна Володимирівна; Загайко, Инна Владимировна; Zahaiko, Inna Volodymyrivna; Корнющенко, Ганна Сергіївна; Корнющенко, Анна Сергеевна; Korniushchenko, Hanna Serhiivna; Перекрестов, Вячеслав Іванович; Перекрестов, Вячеслав Иванович; Perekrestov, Viacheslav IvanovychКарбід кремнію давно відомий напівпровідниковий матеріал з унікальним сполученням в ньому фізичних та хімічних властивостей, що робить його перспективним для використання в екстремальних умовах. Відомо, що SiC має більш ніж 230 кристалографічних модифікацій, та найбільш стійкими являються 3С-SiC, 4H-SiC і 6H-SiC. Але при отриманні конденсатів карбіду кремнію виникає ряд проблем, пов’язаних зі слабкою летючістю та високою енергією десорбції складових компонентів.Item Формирование пористых структур Ti в условиях самоорганизации малых пересыщений(Сумский государственный университет, 2014) Загайко, Інна Володимирівна; Загайко, Инна Владимировна; Zahaiko, Inna Volodymyrivna; Мокренко, Андрій Анатолійович; Мокренко, Андрей Анатольевич; Mokrenko, Andrii Anatoliiovych; Перекрестов, Вячеслав Іванович; Перекрестов, Вячеслав Иванович; Perekrestov, Viacheslav IvanovychИнтерес к структурам с развитой поверхностью обусловлен широким спектром их применения в микроэлектронике, химии, медицине. Существует широкий спектр методов формирования пористых структур. Но, как правило, их реализация предусматривает сложный, многоступенчатый процесс. Предложенная нами методика имеет ряд преимуществ, связанных с простотой и низкой себестоимостью технологического процесса.