Факультет електроніки та інформаційних технологій (ЕлІТ)

Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20

Browse

Search Results

Now showing 1 - 4 of 4
  • Item
    Отримання плівок SnO[2] хімічним методом
    (Сумський державний університет, 2013) Бересток, Таїсія Олександрівна; Бересток, Таисия Александровна; Berestok, Taisiia Oleksandrivna; Суходуб, Леонід Федорович; Суходуб, Леонид Федорович; Sukhodub, Leonid Fedorovych; Мєшков, А.М.
    Метою дослідження був аналіз відомих методів хімічного осадження плівок SnO2, вибір найбільш оптимального з них та отримання шарів сполуки цим методом.
  • Item
    Структурні властивості полімерного нанокомпозиту сульфіду цинку з альгінатом
    (Сумський державний університет, 2015) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Бересток, Таїсія Олександрівна; Бересток, Таисия Александровна; Berestok, Taisiia Oleksandrivna; Суходуб, Леонід Федорович; Суходуб, Леонид Федорович; Sukhodub, Leonid Fedorovych; Мєшков, А.М.
    Методами растрової електронної мікроскопії, дифрактометрії та рентгено-флуоресцентної спект- рометрії проведено порівняння структурних і субструктурних характеристик плівок чистого сульфіду цинку та біополімеру на основі композиту ZnS з альгінатом. Плівки та наноструктури сульфіду цинку були отримані шляхом хімічного осадження з водного розчину нітрату цинку, тіамочевини та альгі- нату натрію при температурі 90 С та часі синтезу 30-120 хв. Встановлено, що ріст конденсату відбувається шляхом формування наноточок сульфіду цинку з подальшим зарощуванням проміжків між нанозернами частинками альгінату. В результаті розраху- нку полюсної густини та орієнтаційного фактору було підтверджено існування аксіальної текстури [111] як у чистих плівках ZnS так і нанокомпозитах. Показано, що значення сталої гратки конденса- тів чистого ZnS змінювалися в інтервалі а = 0,53266-0,54419 нм, в той час як період гратки шарів ZnS у складі полімерного нанокомпозиту з альгінатом лежав у діапазоні а = 0,53490-0,56261 нм та склад- ним чином залежав від часу синтезу шарів. Встановлено, що середній розмір областей когерентного розсіювання (ОКР) плівок чистого ZnS у кристалографічному напрямі [111] слабо змінювався в усьому діапазоні дослідженого часу осадження (L(111) = 14-29 нм). Для ZnS в складі полімерного нанокомпозиту розмір ОКР лежав в інтервалі L(111) = 21-38 нм, тобто в середньому він був більшим ніж у чистому ZnS.
  • Item
    Отримання плівок SnO2 хімічним методом
    (Сумський державний університет, 2013) Бересток, Таїсія Олександрівна; Бересток, Таисия Александровна; Berestok, Taisiia Oleksandrivna; Суходуб, Леонід Федорович; Суходуб, Леонид Федорович; Sukhodub, Leonid Fedorovych; Мєшков, А.М.; Meshkov, А.М.
    Метою дослідження був аналіз відомих методів хімічного осадження плівок оксиду олова, вибір найбільш оптимального з них та отримання шарів сполуки цим методом. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34076
  • Item
    Структурні властивості тонких плівок SnS, отриманих методом спрей-піролізу
    (Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2013) Саган, Олександр Юрійович; Саган, Александр Юрьевич; Sagan, Oleksandr Yuriyovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliyovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Суходуб, Леонід Федорович; Суходуб, Леонид Федорович; Sukhodub, Leonid Fedorovych; Кузнєцов, Володимир Миколайович; Кузнецов, Владимир Николаевич; Kuznietsov, Volodymyr Mykolayovych
    В результаті виконання даної роботи слід відмітити, що були обрані оптимальні технологічні параметри отримання тонких плівок SnS методом спрей-піролізу. В результаті фазового аналізу виявилось, що при температурах підкладки до 573 К наявна фаза SnS із орторомбічною структурою. При збільшенні температури до 623 К на дифрактограмі з’являються нові піки, які відповідають сполуці Sn2S3. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34057