Факультет електроніки та інформаційних технологій (ЕлІТ)

Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20

Browse

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • Item
    Влияние термического отжига на структуру дефектов и свойства наноструктурного покрытия Ti-Si-N, полученного катодным вакуумно-дуговым осаждением
    (Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", 2013) Погребняк, Олександр Дмитрович; Погребняк, Александр Дмитриевич; Pohrebniak, Oleksandr Dmytrovych; Krause-Rehberg, R.; Купчишин, А.И.; Дробышевская, А.А.; Иващенко, В.И.; Колесников, Д.А.; Ердибаева, Н.К.; Шипиленко, Андрій Павлович; Шипиленко, Андрей Павлович; Shypylenko, Andrii Pavlovych
    Представлено оригінальні результати, які отримані за допомогою методів повільного пучка позитронів, рентгенівського мікроаналізу, РЗР, РЕМ з ЕДС, АСМ, а також вимірювання нанотвердості, модуля пружності при дослідженні наноструктурних покриттів з Ti-Si-N, осаджених катодним вакуумно-дуговим випаровуванням до і після відпалу при температурі 600 °С (на протязі 30 хв). Виявлено утворення твердого розчину (Ti, Si) N, в якому формується напружено-деформований стан (деформація стиску − 2,6 %), а в результаті термічного відпалу деформація зменшується незначно − до 2,3 %. У покритті Ti-Si-N, як показали вимірювання S-параметра (ДУАП), за рахунок термодифузії на інтерфейсах сегрегують дефекти, утворюючи кластери вакансій їх дефектів з високою концентрацією − від 5·10[16]см-3 до 7,5·10[17] см-3. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34188
  • Item
    Формирование многослойного сверхтвердого покрытия Ti-Hf-Si-N/NbN/Al2O3 для высокоэффективной защиты
    (Издательство "Наука", 2013) Погребняк, Олександр Дмитрович; Погребняк, Александр Дмитриевич; Pohrebniak, Oleksandr Dmytrovych; Береснев, В.М.; Каверина, А.Ш.; Колисниченко, О.В.; Oyoshi, K.; Takeda, Y.; Murakami, H.; Колесников, Д.А.; Прозорова, М.С.; Шипиленко, Андрій Павлович; Шипиленко, Андрей Павлович; Shypylenko, Andrii Pavlovych
    Впервые получены многослойные твердые микро- и наноструктурные покрытия, полученные несколькими технологиями осаждения на основе Ti-Hf- Si-N/NbN/Al2O3 на подложку из стали. Обнаружено, что исследуемые покрытия, наряду с высокой твердостью (H) от 47 до 56 GPa и модулем упругости (E) от 435 до 570 GPa, индексом пластичности We=(0.08-0.11), имеют достаточно низкий коэффициент трения (mu), величина которого варьируется в пределах от 0.02 до 0.001 при заданных режимах осаждения. Показано, что эти многослойные покрытия обладают высокой термической стабильностью (свыше 1000oC). При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/33944
  • Item
    Влияние процессов сегрегации и термодиффузии на формирование границ раздела в наноструктурных и многоэлементных покрытиях (Ti-Hf-Zr-V-Nb)N
    (Издательство "Наука", 2013) Погребняк, Олександр Дмитрович; Погребняк, Александр Дмитриевич; Pohrebniak, Oleksandr Dmytrovych; Береснев, В.М.; Beresnev, V.M.; Колесников, Д.А.; Каверін, Михайло Валерійович; Каверин, Михаил Валерьевич; Kaverin, Mykhailo Valeriiovych; Oyoshi, К.; Takeda, Y.; Krause-Rehberg, R.; Пономарьов, Олександр Георгійович; Пономарев, Александр Георгиевич; Ponomarov, Oleksandr Heorhiiovych; Шипиленко, Андрій Павлович; Шипиленко, Андрей Павлович; Shypylenko, Andrii Pavlovych
    Впервые были исследованы сверхтвердые наноструктурные покрытия на основе (Ti-Hf-Zr-V-Nb) до и после отжига при 600oC. Было обнаружено, что захват позитронов дефектами происходит по границам нанозерен и на интерфейсах (вакансиях и нанопорах, входящих в тройные и более стыки нанозерен). Получены карты распределения элементов в 3D-измерениях в сверхтвердом покрытии, измеренные методом mu-PIXE (микропучка протонов). Профили элементов и дефектов (полученные микропучком позитронов) позволяют понять физическую картину процессов, связанных с формированием границ раздела (интерфейсов) и субграниц в наноструктурном покрытии (Ti-Zr-Hf-V-Nb)N. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/33938