Факультет електроніки та інформаційних технологій (ЕлІТ)
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20
Browse
12 results
Search Results
Item Моделювання фізичних процесів у напівпровідникових сонячних елементах на основі гетеропереходів n-ITO(ZnO)/n-CdS(n-ZnS, ZnSe)/p-CZTS(Сумський державний університет, 2018) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Данильченко, П.С.Перспективним способом використання сонячної енергії є її перетворення в електричну, використовуючи сонячні елементи (СЕ), зокрема тонкоплівкові прилади типу “superstrate”, які мають багатошарову конструкцію. На теперішній час найбільш поширені СЕ першого та другого поколінь на основі поглинальних шарів Si, CdTe, GaAs, Cu(In1-x,Gax)(S1-xSex)2, які демонструють ефективність більшу за 20 %.Item The performance optimization of thin-film solar converters based on n-ZnMgO / p-CuO heterojunctions(Jadavpur University, 2017) Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Patel, P.B.; Panchal, C.J.; Priya, Suryavanshi; Kheraj, V.A.In this paper, we present the results of the calculations of optical losses in the solar cells layers based on heterojunction n-ZnMgO / p-CuO with ZnO and ITO frontal contacts. The calculations were carried out taking into account a light absorption in the auxiliary layers of the device. As a result, the spectral dependencies of transmittance Т() in the absorber layer of solar cell were defined. It is made possible to optimize the design of the solar cells based on such heterojunctions.Item Numerical simulation of tin based perovskite solar cell: Effects of absorber parameters and hole transport materials(Jadavpur University, 2017) Aditi, Toshniwal; Akshay, Jariwala; Vipul, Kheraj; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Panchal, C.J.The organometal perovskite solar cells have shown stupendous development and have reached power conversion efficiency (PCE) of 22.1 %. However, the toxicity of lead in perovskite solar cells is a major challenge towards their incorporation into photovoltaic devices and thus needs to be addressed. Tin perovskite (CH3NH3SnI3) have attracted a lot of attention recently and could be a viable alternative material to replace lead perovskite in thin film solar cells. A detail understanding of effects of each component of a solar cell on its output performance is needed to further develop the technology. In this work, we performed a numerical simulation of a planar heterojunction tin based perovskite solar cell using SCAPS (Solar Cell Capacitance Simulator). Results revealed that thickness and defect density of the absorber material strongly influence the PCE of the device. Various types of hole transporting material (HTM) were compared and analysed to improve the performance of the solar cell. Parameters such as hole mobility and acceptor density of HTM also signified dependence on PCE of the device. These results indicate the possibility to design, fabricate and enhance the performance of tin based perovskite solar cells.Item Порівняння оптичних втрат у сонячних елементах на основі гетеропереходів n-ito(zno)/n-cds(n-zns, znse)/p-czts(Сумський державний університет, 2016) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Данильченко, П.С.Одним із шляхів подолання енергетичної кризи є широкомасштабне використання фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) сонячної енергії.Item Структурні та субструктурні характеристики хімічно осаджених плівок ZnO:Al(Сумський державний університет, 2015) Бересток, Таїсія Олександрівна; Бересток, Таисия Александровна; Berestok, Taisiia Oleksandrivna; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Домник, А.С.Завдяки унікальним оптичним та електрофізичним вдастивостям плівки оксиду цинку леговані атомами алюмінію (ZnO:Al) розглядаються як альтернатива більш дорогому оксиду олова легованому індієм (ITO) при використанні як ефективний струмопровідний контакт тонкоплівкових сонячних елементів, покриттів поглинаючих НВЧ випромінювання, стерилізаційних та антизаморожувальних покриттів.Item Оптичні втрати на відбивання в сонячних елементах на основі гетеропереходів n-CdS(n-ZnS) / p-CZTS(Сумський державний університет, 2015) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Данильченко, П.С.На сьогоднішній день у масовому виробництві тонкоплівкових сонячних елементів (СЕ) широко використовуються гетеропереходи (ГП) n-CdS/p-(CuInxGa(1 – x)(S, Se)2, CdTe) із верхнім струмознімальним шаром ІТО. Але, такі недоліки як висока вартість In, Ga та Te, токсичність Cd, дають поштовх до пошуку альтернативних функціональних матеріалів та конструкцій фотоперетворювачів.Item Моделювання впливу віконного шару на основні параметри сонячних елементів з гетеропереходами n-ZnS(n-CdS)/p-CdTe(Сумський державний університет, 2014) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Конопленко, О.П.Метою роботи стало визначення впливу заміни віконного шару в СЕ з конструкцією n-ZnS(n-CdS)/p-CdTe на основні характеристики елементів (ефективність (h), фактор заповнення (ФЗ), густину струму короткого замикання (Jкз) та напругу холостого ходу (Uxx)) за допомогою програмного середовища SCAPS-3200.Item Рекомбінаційні втрати в сонячних елементах на основі гетеропереходу n-ZnS/p-SdTe(Сумський державний університет, 2014) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Ільїн, С.С.Метою даної роботи стало визначення рекомбінаційних втрат носіїв генерованих світлом в СЕ на основі ГП n-ZnS/p-CdTe.Item Дослідження плівок Pb1-xSnxTe методами XRD та µ-PIXI(Видавництво Львівського національного університуту імені Івана Франка, 2014) Коваль, Павло Вікторович; Коваль, Павел Викторович; Koval, Pavlo Viktorovych; Ташликов, І.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Пономарьов, Олександр Георгійович; Пономарев, Александр Георгиевич; Ponomarov, Oleksandr HeorhiiovychВ останній час плівки трьохкомпонентного розчину Pb1-xSnxTe привертають до себе підвищену увагу як поглинаючі шари дешевих тонкоплівкових сонячних елементів альтернативні таким матеріалам як CuInSe2, CuIn1–xGaxSe2, Cu2ZnSnS4 та CdTe. Також ці напівпровідники використовуються для створення приймачів інфрачервоного випромінювання, твердотільних лазерів, а також є перспективними для побудови фотоприймачів терагерцового діапазону.Item Перовскітні поглинаючі шари для сенсибілізованих сонячних елементів(Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України; Національна академія наук України, 2014) Бересток, Таїсія Олександрівна; Бересток, Таисия Александровна; Berestok, Taisiia Oleksandrivna; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychНа сьогоднішньому етапі розвитку геліоенергетики почалася розробка так званого третього покоління сонячних елементів (СЕ), в яких використовуються нові фізичні принципи та нові дешеві і екологічно безпечні матеріали. Серед фотоперетворювачів третього покоління, за рахунок можливості зниження витрат на виробництво та високу ефективність, сенсибілізовані перовскітні СЕ викликають підвищену увагу дослідників. Змішані органо-неорганічні перовскітні сполуки (ABX3, де А = CH3NH3, В = Pb, X = I, Br або Cl) характеризуються прямими міжзонними переходами, оптимальною для перетворення сонячної енергії шириною забороненої зони (Eg = 1,5 еВ), високим коефіцієнтом поглинання, високою рухливістю носіїв струму, завдяки чому розглядаються як перспективний матеріал для створення нового класу сенсибілізованих сонячних перетворювачів. Отримання перовскітів можна проводити за допомогою безвакуумних методів, що не потребують підтримання високих температур, завдяки чому зменшується собівартість плівок та виникає можливість створення приладів на різноманітних підкладках, включаючи гнучкі.