Факультет електроніки та інформаційних технологій (ЕлІТ)
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20
Browse
2 results
Search Results
Item Morphological, structural and optical properties of Mg-doped ZnO nanocrystals synthesized using polyol process(Elsevier Ltd., 2019) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Степаненко, Андрій Олександрович; Степаненко, Андрей Александрович; Stepanenko, Andrii Oleksandrovych; Vorobiov, S.I.; Balaz, Peter; Plotnikov, S.V.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychУ цій роботі, леговані ZnO нанокристали, та легірований Mg (0,5–20,0 ат.%) були синтезовані з використанням поліольного процесу. Також досліджені їх морфологічні, структурні, оптичні властивості, а також їх хімічний склад. Рентгенівська дифракція, передавальна та скануюча електронна мікроскопія, енергодисперсна рентгенографія, Раман та УФ-спектроскопії були використані для ідентифікації ефективного включення атомів Mg у решітку ZnO без утворення вторинних фаз при Mg до 5 ат.%. При більш високому рівні допінгу Mg були виявлені сліди фази Mg(OH)2. Результати виявили зменшення розмірів та погіршення якості кристалів нанокристалів ZnO із збільшенням легування Mg. Нанокристали ZnO втрачають сферичну форму, утворюючи стрижнеподібні та аморфні наноструктури при Mg ≥ 5 ат.%. Раманові спектри підтвердили режими Е2 (високий), Е2 (низький), Е2 (високий) - Е2 (низький), режим А1 (ТО) для недозволених та режим Eu (ТО) для нанокристалів ZnO, легованих Mg. Оптичний зазор знайдено в діапазоні 3,40–3,80 еВ.Item Influence of Diffusing Impurities on the Electrical Conductivity of Single-Crystal and Polycrystalline Metal Films(Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины, 2007) Chornous, Anatolii Mykolaiovych; Dehtiaruk, Leonid Vasylovych; Hovorun, Tetiana Pavlivna; Stepanenko, Andrii Oleksandrovych; Чорноус, Анатолій Миколайович; Чорноус, Анатолий Николаевич; Дехтярук, Леонід Васильович; Дехтярук, Леонид Васильевич; Говорун, Тетяна Павлівна; Говорун, Татьяна Павловна; Степаненко, Андрій Олександрович; Степаненко, Андрей АлександровичThe electrical-transport properties of thin single-crystal and polycrystalline metal films coated with an ultra-thin metallic layer of diffusing impurities are theoretically investigated. Analyzing changes of the electrical conductivity caused by the diffusion annealing, we investigate the processes of the bulk diffusion and the grain-boundary diffusion. Both the effective penetration depth of the diffusing atoms into the bulk of a sample and the penetration depth along the grain boundaries may be determined; the coefficients of bulk and grain-boundary diffusions may be estimated. The electrical conductivity is calculated within our model, and numerical analysis of the diffusion-annealing time dependence at various parameters is performed. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/570