Факультет електроніки та інформаційних технологій (ЕлІТ)

Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20

Browse

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • Item
    Отримання та фізичні властивості високоентропійних сплавів та покриттів
    (Сумський державний університет, 2023) Кучма, В.А.
    В бакалаврській роботі було розглянуто принципи дослідження вискоентропійних сплавів (багатокомпонентних покриттів), структура та фазовий склад, хімічні та термодинамічні властивості. Їх обробка та застосування, при роботі растрового мікроскопа та магнетронного розпилювача для подальшого застосування.
  • Item
    Рентгенівський аналіз зразків, які містять наночастинки сполук кадмію
    (Сумський державний університет, 2015) Капітула, С.Ю.; Нечипорук, Б.Д.; Данілевська, Б.Д.; Татарин, Б.А.
    Показана можливість отримання наночастинок сполук кадмію електролітичним методом з використанням кадмієвих електродів і кухонної солі в якості електроліту. При температурі електроліту 98 ºС отримані наночастинки CdCO3, β-Cd(OH)2 і γ-Cd(OH)2 розміри яких оцінені за формулою Дебая-Шеррера в 22 нм, 21 нм і 19 нм відповідно. Вміст даних сполук визначався рентгенофазовим методом. Проведено аналіз впливу умов синтезу на вміст карбонату кадмію.
  • Item
    Дослідження плівок Pb1-xSnxTe методами XRD та µ-PIXI
    (Видавництво Львівського національного університуту імені Івана Франка, 2014) Коваль, Павло Вікторович; Коваль, Павел Викторович; Koval, Pavlo Viktorovych; Ташликов, І.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Пономарьов, Олександр Георгійович; Пономарев, Александр Георгиевич; Ponomarov, Oleksandr Heorhiiovych
    В останній час плівки трьохкомпонентного розчину Pb1-xSnxTe привертають до себе підвищену увагу як поглинаючі шари дешевих тонкоплівкових сонячних елементів альтернативні таким матеріалам як CuInSe2, CuIn1–xGaxSe2, Cu2ZnSnS4 та CdTe. Також ці напівпровідники використовуються для створення приймачів інфрачервоного випромінювання, твердотільних лазерів, а також є перспективними для побудови фотоприймачів терагерцового діапазону.