Отримання шарів AlN при магнетронному розпиленні алюмінію в газовій суміші Ar + N2

dc.contributor.authorКорнющенко, Ганна Сергіївна
dc.contributor.authorКорнющенко, Анна Сергеевна
dc.contributor.authorKorniushchenko, Hanna Serhiivna
dc.date.accessioned2014-07-28T08:42:58Z
dc.date.available2014-07-28T08:42:58Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractВ даній роботі були проведені дослідження впливу параметрів експерименту, таких як потужність розряду, тиск робочого газу, температура ростової поверхні на процес формування та основні характеристики шарів нітриду алюмінію. В результаті оптимізації вказаних параметрів одержані близькі до стехіометричного складу шари AlN, що мають кристалічну будову з гексагональною граткою типу вюрциту. Проведені дослідження структури, фазового складу та мікротвердості конденсатів, які мають найбільш близькі до стехіометричних елементні склади. Мікротвердість отриманих покриттів склала 0.760÷1.12Гпа. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36029ru_RU
dc.description.abstractВ данной работе проведены исследования влияния параметров эксперимента, таких как мощность разряда, давление рабочего газа , температура ростовой поверхности на процесс формирования и основные характеристики слоев нитрида алюминия. В результате оптимизации указанных параметров нами получены близкие к стехиометрическому составу слоя AlN, имеющие кристаллическое строение с гексагональной решеткой типа вюрцита. Проведенные исследования структуры, фазового состава и микротвердости конденсатов, которые имеют элементные составы наиболее близкие к стехиометрическим. Микротвердость полученных покрытий составляет 0.760 ÷ 1.12 ГПа. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36029ru_RU
dc.description.abstractThe influence of technological parameters,such as discharge power, working gas pressure, growth surface temperature, on the formation mechanisms and main characteristics of aluminum nitride has been investigated in the work. On the basis of optimization of the stated technological parameters, the aluminum nitride layers close to stoichiometric composition having hexagonal crystal lattice of wurtzite type have been obtained.The investigations of the structure, phase composition and microhardness have been performed for the layers with elemental composition closest to the stoichiometric one.The microhardness of the layers obtained varies from 0.760 to 1.12 GPa. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36029ru_RU
dc.identifier.citationА.С. Корнющенко, Ж. нано- электрон. физ. 6 № 2, 02017 (2014)ru_RU
dc.identifier.sici0000-0002-2996-1003en
dc.identifier.urihttp://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36029
dc.language.isoukru_RU
dc.publisherСумський державний університетru_RU
dc.rights.uricneen_US
dc.subjectНітрид алюмініюru_RU
dc.subjectКвазірівноважна стаціонарна конденсаціяru_RU
dc.subjectРеактивне магнетронне розпиленняru_RU
dc.subjectНакопичувальна система плазма - конденсатru_RU
dc.subjectНитрид алюминияru_RU
dc.subjectКвазиравновесная стационарная конденсацияru_RU
dc.subjectРеактивное магнетронное распылениеru_RU
dc.subjectНакопительая система плазма - конденсатru_RU
dc.subjectAluminum nitrideru_RU
dc.subjectNear - equilibrium steady - state condensationru_RU
dc.subjectReactive magnetron sputteringru_RU
dc.subjectPlasma - condensate accumulation systemru_RU
dc.titleОтримання шарів AlN при магнетронному розпиленні алюмінію в газовій суміші Ar + N2ru_RU
dc.title.alternativeПолучение слоев AlN при магнетронном распылении алюминия в газовой смеси Ar + N2ru_RU
dc.title.alternativeFormation of AlN Layers at Magnetron Sputtering of Aluminum in Ar + N 2 Gas Mixtureru_RU
dc.typeArticleru_RU

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
Koryushchenko_aluminum nitride.pdf
Size:
413.46 KB
Format:
Adobe Portable Document Format

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
7.79 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: