Получение пленок ZnSe в щелочном электролите

Abstract

В работе описано получение пленок ZnSe со структурой сфалерита электрохимическим способом из щелочного электролита (1-3М раствор NaOH, 0.5M Se) при селенировании цинкового покрытия. Пленки сформированными сферическими агломерированными частицами с размерами 0.5 – 1.5 мкм. При увеличении плотности тока и времени селенирования размер агломеротов уменьшается, а уве- личение концентрации NaOH в электролите приводит к потере сплошности пленки в результате уве- личения их размеров. Варьированием концентрации NaOH, временем селенирования и плотностью тока возможно получать пленки толщиной до 10.5 мкм. Полученные пленки ZnSe характеризуются p-типом проводимости и удельным сопротивлением 105 – 106 Ом·м.

В роботі описано отримання плівок ZnSe зі структурою сфалериту електрохімічним способом з лу- жного електроліту (1–3 М розчин NaOH, 0.5M Se) при селенуванні цинкового покриття. Плівки сфо- рмовані сферичними агломерованими частками з розміром 0.5 – 1.5 мкм. При збільшенні густини струму та часу селенування розмір агломеротів зменшується, а збільшення концентрації NaOH в еле- ктроліті призводить до втрати сплошності плівки в результаті збільшення їх розмірів. Варіюванням концентрації NaOH, часу селенування та густини струму можливо отримувати плівки товщиною до 10.5 мкм. Отримані плівки ZnSe характеризуються p-типом провідністі і питомим опором 105 – 106 Ом·м.

The preparation of ZnSe films with sphalerite structure by electrochemical method in alkaline electrolyte (1-3 M NaOH solution, 0.5M Se) during selenization of zinc layer was described in this paper. Films formed agglomerated spherical particles with size of 0.5 – 1.5 mkm. The size of aglomerate decreases with increase of current density and time of selenization. Increase of NaOH concentration in the electrolyte leads to loss of continuity in the film by increasing their size. By varying the concentration of NaOH, selenization time and the current density it is possible to obtain the film of thickness 10.5 μm. The resulting ZnSe films have p-type of conductivity and resistivity 105 – 106 Оhm·m.