Дослідження плівок оксиду цинку, отриманих методом хімічного осадження з водного розчину
No Thumbnail Available
Files
Date
2013
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Сумський державний університет
Theses
Date of Defense
Scientific Director
Speciality
Date of Presentation
Abstract
Останнім часом напівпровідниковий матеріал групи А2В6 оксид цинку привертає увагу дослідників завдяки його високій хімічній, термічній стабільності, унікальним оптичним і електрофізичним властивостям та можливості реалізації на його основі ефективних приладів геліоенергетики, опто- та мікроелектроніки, сонячної промисловості і т.д. Крім того, завдяки досить великій ширині забороненої зони (Еg = 3,37 еВ), плівки оксиду цинку ефективно поглинають ультрафіолетове випромінювання (УФ), тому являються ідеальним матеріалом для створення захисних покриттів від дії УФ. Також, тонкі шари ZnO широко використовуються як віконні та антивідбиваючі шари сонячних елементів.
При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/31715
Keywords
плівки оксиду цинку, пленки оксида цинка, хімічне осадження, химическое осаждение, chemical deposition
Citation
Мєшков, А.М. Дослідження плівок оксиду цинку, отриманих методом хімічного осадження з водного розчину [Текст] / А.М. Мєшков, Т.О. Бересток, О.П. Манжос // Сучасні технології у промисловому виробництві : матеріали науково-технічної конференції викладачів, співробітників, аспірантів і студентів фак-ту технічних систем та енергоефективних технологій, м. Суми, 23-26 квітня 2013 р.: у 2-х ч. / Ред.кол.: О.Г. Гусак, В.Г. Євтухов. - Суми : СумДУ, 2013. - Ч.1. - С. 115.