Спосіб створення нанокристалів напівпровідникової сполуки Cu2ZnSnSe4
No Thumbnail Available
Date
2021
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Український ін-т інтелектуальної власності
Patent
Date of Defense
Scientific Director
Speciality
Date of Presentation
Abstract
Спосіб створення нанокристалів напівпровідникової сполуки Cu2ZnSnSe4 полягає в тому, що суміш солей CuCl2.2H2O, Zn(CH3COO)2.2H2O, SnCl2.2H2O та аморфного Se у мольному співвідношенні Cu:Zn:Sn:Sе=2:(1,48-1,52):1:4 розчиняють у триетиленгліколі, нагрівають до 393 K та витримують при цій температурі в атмосфері аргону протягом 30 хвилин, далі нагрівають до температури синтезу 543-553 K та витримують протягом 100-120 хв. У процесі синтезу одержують золь нанокристалічного Cu2ZnSnSе4 в триетиленгліколі. Суміш охолоджують до кімнатної температури та відділяють синтезований продукт від органічної складової за допомогою центрифугування. Залишки триетиленгліколю відмивають етанолом при
інтенсивному збовтуванні з наступним центрифугуванням. Відмитий продукт сушать при температурі 333 K протягом 12 год.
Keywords
створення нанокристалів, создание нанокристаллов, creation of nanocrystals, центрифугування, центрифугирование, centrifugation, напівпровідникова сполука Cu2ZnSnSe4, полупроводниковое соединение Cu2ZnSnSe4, semiconductor compound Cu2ZnSnSe4
Citation
Пат. 147623 U Україна, МПК (2021.01) H01L 21/00. Спосіб створення нанокристалів напівпровідникової сполуки Cu2ZnSnSe4 / С.І. Кахерський, Р.М. Пшеничний, А.С. Опанасюк та ін. (Україна); заявник та патентовласник Сумський держ. ун-т. - № u202008217; заявл. 22.12.2020; опубл. 27.05.2021, бюл. №21.