Фотоефект у приладовій структурі на основі гетеропереходу SnS/CdS
No Thumbnail Available
Date
2018
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Сумський державний університет
Theses
Date of Defense
Scientific Director
Speciality
Date of Presentation
Abstract
В наш час відбувається активний пошук перспективних матеріалів та розробляються нові підходи до створення приладових структур з підвищеною ефективністю перетворення сонячної енергії в електричну. Для створення фотоперетворювачів (ФЕП) третього покоління в якості поглинального шару сьогодні почала використовуватися сполука сульфіду олова, яка відноситься до групи A4B6. SnS – нетоксичний, дешевий матеріал, складові елементи якого широко розповсюджені у земній корі.
Keywords
фотоперетворювач, фотопреобразователь, photoconverters, сонячна енергія, солнечная энергия, solar energy, гетероструктури, гетероструктуры, heterostructures
Citation
Фотоефект у приладовій структурі на основі гетеропереходу SnS/CdS [Текст] / О.О. Подопригора, Ю.С. Єрьоменко, А.А. Возний [та ін.] // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 5-9 лютого 2018 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. – Суми: СумДУ, 2018. – С. 108.