Побудова зонної діаграми гетеропереходу n-ZnO/p-CuO

Abstract

Гетероперехід (ГП) n-ZnO/p-CuO є одним із перспективних об’єктів дослідження в сучасній електроніці та оптоелектроніці. Поєднання оксиду цинку (ZnO) з оксидом міді (CuO) утворює унікальну гетероструктуру з широкими можливостями для застосування у сонячних елементах, датчиках газу, фотодетекторах і транзисторах. ZnO є напівпровідником з прямою шириною забороненої зони близько 3,27 еВ, високою прозорістю у видимому діапазоні та гарними електронними характеристиками. CuO, у свою чергу, володіє шириною забороненої зони приблизно 1,65 еВ і хорошими поглинальними характеристиками. Гетероперехід n-ZnO/p-CuO має високу чутливість до світла та ефективне розділення носіїв заряду, що робить його перспективним для використання в електроніці.