Удосконалення електрохімічних суперконденсаторів шляхом використання наноструктурованих напівпровідників

dc.contributor.authorВамболь, С.О.
dc.contributor.authorБогданов, І.Т.
dc.contributor.authorВамболь, В.В.
dc.contributor.authorСичікова, Я.О.
dc.contributor.authorКондратенко, О.М.
dc.contributor.authorОнищенко, С.В.
dc.contributor.authorНесторенко, Т.П.
dc.date.accessioned2019-01-05T13:34:21Z
dc.date.available2019-01-05T13:34:21Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractУ роботі розглядаються шляхи підвищення ефективності електрохімічних суперконденсаторів за рахунок використання у якості електродів поруватих напівпровідників. Представлено методику виготовлення поруватого шару на поверхні фосфіду індію. Встановлено основні закономірності формування поруватих просторів та залежності морфологічних властивостей від режимів травлення. Для того, щоб забезпечити хімічну інертність наноструктурованої поверхні, запропоновано вкривати її шаром графіту. Це підвищує опір отриманих структур та стає підґрунтям для використання їх у якості електродів суперконденсаторів.ru_RU
dc.description.abstractВ работе рассматриваются пути повышения эффективности электрохимических суперконденсаторов за счет использования в качестве электродов пористых полупроводников. Представлено методику изготовления пористого слоя на поверхности фосфида индия. Установлены основные закономерности формирования пористых пространств и зависимости морфологических свойств от режимов травления. Для того, чтобы обеспечить химическую инертность наноструктурированных поверхностей, предложено покрывать их слоем графита. Это повышает сопротивление полученных структур и становится основой для использования их в качестве электродов суперконденсаторов.ru_RU
dc.description.abstractThe paper considers ways to increase the efficiency of electrochemical supercapacitors by using electrodes of porous semiconductors as electrodes. The technique of manufacturing porous layer on the surface of indium phosphide is presented. The basic regularities of the formation of porous spaces and the dependence of morphological properties on the patterns of etching are established. In order to provide the chemical inertia of the nanostructured surface, it is proposed to cover it with a layer of graphite. This increases the resistance of the resulting structures and becomes the basis for their use as electrodes of supercapacitors.ru_RU
dc.identifier.citationУдосконалення електрохімічних суперконденсаторів шляхом використання наноструктурованих напівпровідників [Текст] / С.О. Вамболь, І.Т. Богданов, В.В. Вамболь [та ін.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т.10, № 4. - 04020. - DOI: 10.21272/jnep.10(4).04020.ru_RU
dc.identifier.urihttp://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70919
dc.language.isoukru_RU
dc.publisherСумський державний університетru_RU
dc.rights.uricneen_US
dc.subjectсуперконденсаторru_RU
dc.subjectнапівпровідникиru_RU
dc.subjectелектродru_RU
dc.subjectфосфід індіюru_RU
dc.subjectнаноструктуриru_RU
dc.subjectелектрохімічне травленняru_RU
dc.subjectполупроводникиru_RU
dc.subjectэлектродru_RU
dc.subjectфосфид индияru_RU
dc.subjectнаноструктурыru_RU
dc.subjectэлектрохимическое травлениеru_RU
dc.subjectsupercapacitorru_RU
dc.subjectsemiconductorsru_RU
dc.subjectelectroderu_RU
dc.subjectphosphide indiaru_RU
dc.subjectnanostructuresru_RU
dc.subjectelectrochemical etchingru_RU
dc.titleУдосконалення електрохімічних суперконденсаторів шляхом використання наноструктурованих напівпровідниківru_RU
dc.title.alternativeУсовершенствование электрохимических суперконденсаторов путем использования наноструктурированных полупроводниковru_RU
dc.title.alternativeImprovement of Electrochemical Supercapacitors by Using Nanostructured Semiconductorsru_RU
dc.typeArticleru_RU

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
Vambol_electrochemical_etching.pdf
Size:
427.77 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
3.89 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: