Використання програмних засобів для аналізу кристалічної структури матеріалів електроніки

Abstract

Аналіз кристалічної структури є фундаментальним для забезпечення якості, інноваційності та конкурентоспроможності сучасної електронної продукції. У контексті стрімкого розвитку електронних пристроїв - від гнучкої електроніки до квантових комп’ютерів - актуальність дослідження кристалічної структури зростає. Це дозволяє не лише підвищити ефективність і довговічність виробів, а й відкриває шлях до створення принципово нових функціональних матеріалів з наперед заданими властивостями. Мета кваліфікаційної роботи полягає у проведенні аналізу функціональних можливості програмних засобів та ефективності їх практичного застосування для аналізу кристалічної структури матеріалів, що застосовуються в електроніці. Досліджуванні зразки [Fe(5)/I(3)]10/П, де I = SiO2, HfO2 та MgO, отримувалися методом пошарового магнетронного осадження на керамічні підкладки за кімнатної температури. Для аналізу топології поверхні тонкоплівкових резистивних матеріалів був використаний метод атомно-силової мікроскопії (АСМ), який дозволяє отримати зображення поверхні у топографічному та профільному (3D зображення) режимах (прилад Dimension Edge компанії Bruker). Для обробки мікрознімків, отриманих методом АСМ була використане програмне забезпечення Nanoscope Analysis. Показано, що структурні шорсткість поверхонь досліджуваних зразків залежить від типу обраного діелектричного матеріалу.