Influence of Wafer Thickness and Screen-Printing Mesh Counts on the Al-BSF in Crystalline Silicon Solar Cells

dc.contributor.authorLabdelli, B.
dc.contributor.authorDjelloul, A.
dc.contributor.authorBenharrat, L.
dc.contributor.authorBoucheham, A.
dc.contributor.authorMazari, H.
dc.contributor.authorChalal, R.
dc.contributor.authorManseri, A.
dc.date.accessioned2024-01-04T07:27:45Z
dc.date.available2024-01-04T07:27:45Z
dc.date.issued2023
dc.description.abstractУ роботі були проведені експериментальні дослідження процесу легування алюмінієвих (Al) паст, надрукованих трафаретним друком на кремнієвих поверхнях для сонячних елементів. Досліджений вплив товщини пластини та кількості сіток трафаретного друку на властивості поля задньої поверхні Al (Al-BSF) кремнієвих сонячних елементів Чохральського (Cz-Si). Використовувалися екрани з різною кількістю сіток (150, 200 і 400 меш) для друку різної кількості пасти Al (7, 9,4 та 12 мг/см2). Швидкий термічний відпал (RTP) при 750 °C і 800 °C протягом 60 с був застосований для формування ALBSF. SEM показав утворення шорсткої поверхні з шаром легуючого шару товщиною 4,31 мкм на об’ємній кремнієвій пластині. Аналіз ECV та SIMS показав, що пікова температура відпалу 750 °C і кількість пасти Al 12 мг/см2 підходять для створення оптимального Al-BSF. Ця робота виявила, що на властивості Al-BSF сильно впливає кількість меш, яка використовується для трафаретного друку пасти Al. Однак не було помічено монотонного зв’язку з товщиною пластини. Маска з 150 меш дозволила отримати високі концентрації Al на поверхні, максимальну глибину дифузії та більший середній час життя носіїв заряду.en_US
dc.description.abstractIn this study, experiments on the alloying process from screen-printed aluminum (Al) pastes on silicon surfaces for solar cell applications were conducted. We investigated the effect of wafer thickness and screen-printing mesh counts on the Al back surface field (Al-BSF) properties of Czochralski silicon (Cz-Si) solar cells Screens with different mesh counts (150, 200 and 400 mesh) were used to print variable amounts of Al paste (7, 9.4 and 12 mg/cm2). Rapid thermal annealing (RTP) annealing processes of 750 °C and 800 °C for 60 s were applied to form AL-BSF. SEM micrographs showed the formation of a rough surface with 4.31 µm alloying layer over bulk Si wafer. ECV and SIMS analysis showed that an annealing peak temperature of 750 °C and an amount of Al paste of 12 mg/cm2 are suitable for the creation of an optimal Al-BSF. This work revealed that Al-BSF properties are strongly affected by the mesh counts used in screen-printing of Al paste. However, no monotonic relationship was noticed with the wafer thickness. The mask with 150 meshes allowed to obtain high Al concentrations at the surface, maximum diffusion depth and longer average lifetimes of charge carriers.en_US
dc.identifier.citationB.Labdelli, A. Djelloul, et al., J. Nano- Electron. Phys. 15 No 6, 06027 (2023) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.15(6).06027en_US
dc.identifier.urihttps://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/94084
dc.language.isoenen_US
dc.publisherSumy State Universityen_US
dc.rights.uriinc10en_US
dc.subjectшвидка термічна обробкаen_US
dc.subjectтрафаретний друкen_US
dc.subjectAl-BSFen_US
dc.subjectкремнійen_US
dc.subjectсонячні батареїen_US
dc.subjectrapid thermal processingen_US
dc.subjectscreen-printingen_US
dc.subjectsiliconen_US
dc.subjectsolar cellen_US
dc.titleInfluence of Wafer Thickness and Screen-Printing Mesh Counts on the Al-BSF in Crystalline Silicon Solar Cellsen_US
dc.title.alternativeВплив товщини пластини та кількості сіток трафаретного друку на Al-BSF у кристалічних кремнієвих сонячних елементахen_US
dc.typeArticleen_US

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
Labdelli_jnep_6_2023.pdf
Size:
823.11 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
3.96 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: