Тонкопленочные структуры на основе систем ZnO/SiC и ZnO/C

Abstract

Исследованы процессы магнетронного формирования тонкопленочных трехслойных структур ZnO/X/ZnO, где в качестве промежуточного слоя Х использованы аморфные слои углерода и карбида кремния. Исследованы процессы, происходящие на интерфейсах ZnO/углерод и ZnO/SiC при отжиге тонкопленочных структур в инертной атмосфере. Показано, что различия в морфологии и структуре слоев ZnO после отжига обусловлены различием химических реакций, протекающих на интерфейсах , и механизмов диффузии компонентов по межзеренным границам.The processes of formation of Zn/X/ZnO three-layer structures (where X – intermediate layer of C or SiC) by magnetron sputtering are studied. The processes taking place at the ZnO/C and ZnO/SiC interfaces of the multylayered films upon annealing in an inert gas are investigated. It is shown that the differences in the morphology and structure of the ZnO sublayers after annealing are due to the difference in chemical reactions occurring at the interfaces and the diffusion mechanisms of the components along the grain boundaries.