Синтез та оптимізація властивостей напівпровідникових плівок CU2ZNSN(GE)SSE4, отриманих безвакуумними методами, для сонячних перетворювачів третього покоління

dc.contributor.authorІващенко, Максим Миколайович
dc.contributor.authorИващенко, Максим Николаевич
dc.contributor.authorIvashchenko, Maksym Mykolaiovych
dc.contributor.authorКурбатов, Денис Ігорович
dc.contributor.authorКурбатов, Денис Игоревич
dc.contributor.authorKurbatov, Denys Ihorovych
dc.contributor.authorД`яченко, Олексій Вікторович
dc.contributor.authorДьяченко, Алексей Викторович
dc.contributor.authorDiachenko, Oleksii Viktorovych
dc.contributor.authorШамардін, Артем Володимирович
dc.contributor.authorШамардин, Артем Владимирович
dc.contributor.authorShamardin, Artem Volodymyrovych
dc.contributor.authorЗнаменщиков, Ярослав Володимирович
dc.contributor.authorЗнаменщиков, Ярослав Владимирович
dc.contributor.authorZnamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych
dc.contributor.authorВозний, Андрій Андрійович
dc.contributor.authorВозный, Андрей Андреевич
dc.contributor.authorVoznyi, Andrii Andriiovych
dc.contributor.authorДоброжан, Олександр Анатолійович
dc.contributor.authorДоброжан, Александр Анатольевич
dc.contributor.authorDobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych
dc.date.accessioned2021-07-05T14:05:31Z
dc.date.available2021-07-05T14:05:31Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractОб’єкт дослідження - вплив фізико-технологічних умов отримання на фазовий склад, структурні, оптичні та електрофізичні властивості плівок кестеритів типу I2-II-IV-VI4, зокрема Cu2ZnSn(Ge)(S,Se)4. Мета роботи - створення модельних зразків сонячних перетворювачів на основі плівок сполук групи I2-II-IV-VI4, зокрема Cu2ZnSn(Ge)(S,Se)4 з різними буферними та віконними шарами недорогим безвакуумним методом спрей-піролізу.en_US
dc.identifier.citationСинтез та оптимізація властивостей напівпровідникових плівок CU2ZNSN(GE)SSE4, отриманих безвакуумними методами, для сонячних перетворювачів третього покоління [Текст] : Створення прототипів сонячних елементів на основі тонких плівок Cu2znsn(Ge)(S,Se)4 з різними віконними шарами: звіт про НДР (остаточний) / кер. М. М. Іващенко. — Суми : СумДУ, 2020. — 99 с.en_US
dc.identifier.sici0000-0002-2754-6367en
dc.identifier.urihttps://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/84387
dc.language.isouken_US
dc.publisherСумський державний університетen_US
dc.rights.uricneen_US
dc.subjectкестеритen_US
dc.subjectмеханізми ростуen_US
dc.subjectморфологія поверхніen_US
dc.subjectтонкі плівкиen_US
dc.subjectелектричні властивостіen_US
dc.subjectмеханизмы ростаen_US
dc.subjectморфология поверхностиen_US
dc.subjectтонкие пленкиen_US
dc.subjectэлектрические свойстваen_US
dc.subjectkesteriteen_US
dc.subjectgrowth mechanismsen_US
dc.subjectsurface morphologyen_US
dc.subjectthin filmsen_US
dc.subjectelectrical propertiesen_US
dc.titleСинтез та оптимізація властивостей напівпровідникових плівок CU2ZNSN(GE)SSE4, отриманих безвакуумними методами, для сонячних перетворювачів третього поколінняen_US
dc.title.alternativeСтворення прототипів сонячних елементів на основі тонких плівок Cu2znsn(Ge)(S,Se)4 з різними віконними шарамиen_US
dc.typeTechnical Reporten_US

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
Ivashchenko_1609.pdf
Size:
4.25 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
3.96 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: