Морфология островковых систем, формирующихся при плавлении сплошных пленок Bi на Ge и SiO2 подложках

dc.contributor.authorКрышталь, А.П.
dc.contributor.authorМиненков, А.А.
dc.contributor.authorДжус, С.С.
dc.date.accessioned2015-03-27T13:20:06Z
dc.date.available2015-03-27T13:20:06Z
dc.date.issued2015
dc.description.abstractНаводяться результати електронно-мікроскопічного дослідження масивів наночастинок, сформованих шляхом плавлення суцільних полікристалічних плівок Bi на аморфних Ge і SiO2 підкладках . Показано, що в результаті самоорганізації при плавленні вісмуту на інертній SiO2 підкладці формуються острівкові структури з малим розкидом частинок за розміром, і визначено зв'язок їх основних характеристик з товщиною вихідних плівок. Встановлено, що плавлення вісмуту на аморфній германієвій підкладці призводить до формування невпорядкованих масивів наночастинок, морфологічна структура яких визначається характером взаємодії компонентів на межі плівка-підкладка .ru_RU
dc.description.abstractПриводятся результаты электронно-микроскопического исследования массивов наночастиц, сформированных путем плавления сплошных поликристаллических пленок Bi на аморфных Ge и SiO2 подложках. Установлено, что в результате самоорганизации при плавлении висмута на инертной SiO2 подложке формируются островковые структуры с малым разбросом частиц по размерам. Определена связь основных характеристик данных частиц с толщиной исходных пленок. Показано, что плавление висмута на аморфной германиевой подложке приводит к формированию неупорядоченных массивов наночастиц, морфологическая структура которых определяется характером взаимодействия компонентов на границе пленка-подложка.ru_RU
dc.description.abstractThe results of electron microscopic studies of arrays of nanoparticles formed by melting of solid polycrystalline Bi films on amorphous Ge and SiO2 substrates are presented. It has been shown that the islet structure with a small spread of particle’ size has formed as a result of self-organization during the melting of bismuth on an inert SiO2 substrate. The connection between the basic characteristics of these particles and the thickness of the initial films were determined. It has been shown that melting of bismuth on the amorphous germanium substrate leads to formation of disordered arrays of nanoparticles. The morphological structure of these ones depends on the nature of interaction between the components of the filmsubstrate interfaceru_RU
dc.identifier.citationА.П. Крышталь, А.А. Миненков, С.С. Джус, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 1, 01024 (2015)ru_RU
dc.identifier.urihttp://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39068
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherСумский государственный университетru_RU
dc.rights.uricneen_US
dc.subjectТонкие плѐнкиru_RU
dc.subjectСмачиваниеru_RU
dc.subjectРаспад пленкиru_RU
dc.subjectСканирующая электронная микроскопияru_RU
dc.subjectТонкі плівкиru_RU
dc.subjectЗмочуванняru_RU
dc.subjectРозпад плівкиru_RU
dc.subjectСканувальна електронна мікроскопіяru_RU
dc.subjectThin filmsru_RU
dc.subjectWettingru_RU
dc.subjectFilm agglomerationru_RU
dc.subjectScanning electron microscopyru_RU
dc.titleМорфология островковых систем, формирующихся при плавлении сплошных пленок Bi на Ge и SiO2 подложкахru_RU
dc.title.alternativeМорфологія острівцевих систем, що формуються при плавленні суцільних плівок Bi на Ge та SiO2 підкладкахru_RU
dc.title.alternativeMorphology of Islet Systems Formed During Melting of Continuous Bi Films on Ge and SiO2 Substratesru_RU
dc.typeArticleru_RU

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
Kryshtal.pdf
Size:
353.65 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
7.79 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: