Інжекційна спектроскопія локалізованих станів у плівках напівізолюючих cполук А2В6

Abstract

У монографії наведено результати вивчення характеристик точкових дефектів у напівізолюючих плівках сполук А2В6 (CdTe, ZnTe, ZnS, CdS) методом інжекційної спектроскопії, розвиненим авторами. Викладені основи цього методу, встановлені межі його застосування, обмеження та роздільна здатність. Проаналізовано вплив експериментальних факторів, а також спрощень робочих співвідношень на похибку визначення параметрів пасток безпосередньо з вольтамперних характеристик (ВАХ) зразків. Описано самоузгоджене та високотемпературне наближення методу інжекційної спектроскопії. Розглянуто вплив неоднородності розподілу пасток за товщиною зразків на точність визначення їх параметрів з ВАХ струмів, обмежених просторовим зарядом (СОПЗ). Подано результати дослідження ансамблю точкових дефектів у плівках сполук А2В6 у рамках квазіхімічного формалізму та визначення їх параметрів із ВАХ СОПЗ. Монографія може бути корисною для фахівців, які займаються дослідженням ансамблю точкових дефектів у сполуках А2В6, використанням цих сполук в електроніці, та студентів і аспірантів.