Purification of the Cd(Mn)Te For X-ray Detector Crystals by Special Annealing
No Thumbnail Available
Date
2017
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Sumy State University
Article
Date of Defense
Scientific Director
Speciality
Date of Presentation
Abstract
To purify Cd0,95Mn0,05Te ingots a modified travelling heater method (called «dry zone») was applied.
Even one pass of the zone decreased essentially Te inclusions (size and density) in the ingot. The p-type
conductivity and others electrical characteristics of the material almost didn’t change, however the concentration
of shallow (εА ≈ 0.05 еV) acceptors reduced and the compensation degree of deeper acceptors
(εА ≈ 0.17 еV) increased. Such transformation of a defect-impurity system was manifested in decreasing of
the ionized centers’ concentration and in reducing of impurities absorption coefficients both at 0.1-0.5 eV
and near the edge of fundamental band.
С целью очистки слитков Cd0,95Mn0,05Te был применен модифицированный метод подвижного нагревателя (названный «сухая зона»). Даже один проход зоны существенно уменьшал включения Te (размер и концентрацию) в слитке. Проводимость p-типа и другие электрические характеристики материала почти не изменились, однако концентрация мелких (εА ≈ 0,05 эВ) акцепторов уменьшилась, а степень компенсации более глубоких акцепторов (εА ≈ 0,17 эВ) увеличилась. Такое преобразование дефектно-примесной системы проявилось в уменьшении концентрации ионизованных центров и в снижении коэффициентов поглощения примесей как при 0,1-0,5 эВ, так и вблизи края фундаментальной зоны.
З метою очищення злитків Cd0,95Mn0,05Te застосований модифікований метод рухомого нагрівника (названий «суха зона»). Навіть один прохід зони суттєво зменшував вкраплення Te (розмір і концентрацію) в злитку. Провідність p-типу та інші електричні характеристики матеріалу майже не змінилися, однак концентрація мілких (εА ≈ 0,05 еВ) акцепторів зменшилася, а ступінь компенсації більш глибоких акцепторів (εА ≈ 0,17 еВ) збільшився. Таке перетворення дефектно-домішкової системи проявилось у зменшенні концентрації іонізованих центрів і у зниженні коефіцієнтів поглинання домішок як при 0,1-0,5 еВ, так і поблизу краю фундаментальної зони.
С целью очистки слитков Cd0,95Mn0,05Te был применен модифицированный метод подвижного нагревателя (названный «сухая зона»). Даже один проход зоны существенно уменьшал включения Te (размер и концентрацию) в слитке. Проводимость p-типа и другие электрические характеристики материала почти не изменились, однако концентрация мелких (εА ≈ 0,05 эВ) акцепторов уменьшилась, а степень компенсации более глубоких акцепторов (εА ≈ 0,17 эВ) увеличилась. Такое преобразование дефектно-примесной системы проявилось в уменьшении концентрации ионизованных центров и в снижении коэффициентов поглощения примесей как при 0,1-0,5 эВ, так и вблизи края фундаментальной зоны.
З метою очищення злитків Cd0,95Mn0,05Te застосований модифікований метод рухомого нагрівника (названий «суха зона»). Навіть один прохід зони суттєво зменшував вкраплення Te (розмір і концентрацію) в злитку. Провідність p-типу та інші електричні характеристики матеріалу майже не змінилися, однак концентрація мілких (εА ≈ 0,05 еВ) акцепторів зменшилася, а ступінь компенсації більш глибоких акцепторів (εА ≈ 0,17 еВ) збільшився. Таке перетворення дефектно-домішкової системи проявилось у зменшенні концентрації іонізованих центрів і у зниженні коефіцієнтів поглинання домішок як при 0,1-0,5 еВ, так і поблизу краю фундаментальної зони.
Keywords
Solid solutions Cd1 – xMnxTe, Твердые растворы Cd1 – xMnxTe, Тверді розчини, Cd1 – xMnxTe, Purification, Очистка, Очищення, Electrical characteristics, Электрические характеристики, Електричні характеристики, Optical measurements, Оптические измерения, Оптичні вимірювання, Inclusions, Включения, Включення, Thermal treatment, Термическая обработка, Термічна обробка
Citation
Purification of the Cd(Mn)Te For X-ray Detector Crystals by Special Annealing [Текст] / Z. Zakharuk, S. Dremlyuzhenko, S. Solodin [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. – 2017. – Т.9, № 6. – 06004. – DOI: 10.21272/jnep.9(6).06004.