Моделювання робочих характеристик сонячного елементу зі структурою p+-CuO / p-ZnTe / n-CdSe / n-MoSe2 / Mo

Abstract

У роботі проведено моделювання основних експлуатаційних характеристик (світлові вольтамперні характеристики, спектральні залежності квантового виходу) сонячного елементу (СЕ) CuO / ZnTe / CdSe / MoSe2 / Mo. В результаті визначені напруга холостого ходу UOC, густина струму короткого замикання JSC, фактор заповнення FF, коефіцієнт корисної дії приладу в залежності від його конструктивних особливостей (товщини віконного, поглинального та приконтактного шарів) та робочої температури. Встановлені параметри СЕ з максимальною ефективністю.

В работе проведено моделирование основных эксплуатационных характеристик (световые вольтамперные характеристики, спектральные зависимости квантового выхода) солнечного элемента (СЭ) CuO / ZnTe / CdSe / MoSe2 / Mo. В результате были определены напряжение холостого хода UOC, плотность тока короткого замыкания JSC, фактор заполнения FF, коэффициент полезного действия прибора в зависимости от его конструктивных особенностей (толщины оконного, поглощающего и приконтактного слоев) и рабочей температуры. Установлены параметры СЭ с максимальной эффективностью.

In this paper it was carried out the simulation of the main working characteristics (light I-V curves, quantum yield spectral dependencies) of CuO / ZnTe / CdSe / MoSe2 / Mo solar cell (SC). As a study result there were determined open-circuit voltage UOC, short-circuit current density JSC, fill-factor FF, and the device’s efficiency depending on its constructive features (window, absorber and per-contact layers thickness) and working temperature. There were estimated SC’s parameters with the maximum conversion efficiency of solar energy.