Формування приладових наноструктур спін-клапанного типу на основі Со і Сu

Abstract

У роботі наведені результати дослідження структурно-фазового стану та магніторезистивних властивостей плівкових наносистем спін-клапанного типу на основі Со і Сu. Встановлено, що в процесі одержання та термічного відпалювання до температур Т[в]  700 і 900 К в цих системах відбувається утворення твердого розчину атомів Со в матриці Сu. Було показано, що плівкову систему спінклапанного типу Со(5)/Cu(х)/Со(20)/П доцільно модифікувати, використовуючи замість одного з магнітних шарів Со мультишар [Co/Cu]n. Данна модифікація призводить до підвищення величини магнітоопору до 0,3 ÷ 0,5 %, швидкості перемикання з одного магнітного стану в інший та температурної стабільності всієї наносистеми до температури 700 К, хоча зменшує магнітну чутливість до значень S[B] = (0,1 ÷ 0,2) * 10 – 2 % / (мТл).В работе приведены результаты исследования структурно-фазового состояния и магниторезистивных свойств пленочных наносистем спин-клапанного типа на основе Со и Сu. Установлено, что в процессе получения и термического отжига до температур ТВ  700 и 900 К в этих системах происходит образование твердого раствора атомов Со в матрице Сu. Было показано, что пленочную систему спин- клапанного типа Со(5)/Cu(х)/Со(20)/П целесообразно модифицировать используя вместо одного из магнитных слоев Со мультислой [Co/Cu]n. Данная модификация приводит к повышению значения магнитосопротивления до 0,3 ÷ 0,5 %, скорости переключения с одного магнитного состояния в другое и температурной стабильности всей наносистемы до температуры 700 К, хотя уменьшает магнитную чувствительность до значений S[B] = (0,1 ÷ 0,2) = 10 – 2 % / мТл.The study results of structural-phase state and magnetoresistive properties of spin-valve type nanofilm based on Co and Cu are shown in this work. It is found that in these systems during the preparation and annealing at temperatures Tann  700 and 900 K solid solutions of Co atoms in Cu matrix are formed. Was shown that the spin-valve type film system Co (5)/Cu(x)/Co(20)/S expedient modified using multilayers [Co/Cu]n instead one of the magnetic Co layer. This modification increases the magnetoresistance values up to 0,3 ÷ 0,5 %, increases the switching speed from one magnetic state to another and thermal stability of nanosystems to temperature 700 K. Although magnetic sensitivity decreases to a value S[B] = (0,1 ÷ 0,2) = 10 – 2 % / mT.