Спосіб формування графену на поверхні тонкої плівки рутенію

dc.contributor.authorЧешко, Ірина Володимирівна
dc.contributor.authorЧешко, Ирина Владимировна
dc.contributor.authorCheshko, Iryna Volodymyrivna
dc.contributor.authorЛогвинов, Андрій Миколайович
dc.contributor.authorЛогвинов, Андрей Николаевич
dc.contributor.authorLohvynov, Andrii Mykolaiovych
dc.contributor.authorКостюк, Дмитро Миколайович
dc.contributor.authorКостюк, Дмитрий Николаевич
dc.contributor.authorKostiuk, Dmytro Mykolaiovych
dc.contributor.authorШабельник, Юрій Михайлович
dc.contributor.authorШабельник, Юрий Михайлович
dc.contributor.authorShabelnyk, Yurii Mykhailovych
dc.contributor.authorТкач, Олена Петрівна
dc.contributor.authorТкач, Елена Петровна
dc.contributor.authorTkach, Olena Petrivna
dc.contributor.authorПроценко, Сергій Іванович
dc.contributor.authorПроценко, Сергей Иванович
dc.contributor.authorProtsenko, Serhii Ivanovych
dc.date.accessioned2021-04-05T08:23:53Z
dc.date.available2021-04-05T08:23:53Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractСпосіб формування графену на поверхні тонкої плівки рутенію включає формування шару графену на поверхні тонкої плівки рутенію. Спосіб складається з трьох етапів, де на першому етапі в вакуумній камері установки ВУП-5М, яка оснащена механічним форвакуумним та паромасляним дифузійним насосом, що утворює в камері тиск залишкових газів порядку 10-4 Па, які містять вуглецеві сполуки, на підкладці з пластини монокристалу кремнію з шаром діоксиду кремнію формують адгезійний вуглецевовмісний шар товщиною не більше 1 нм, на другому етапі методом вакуумного термічного осадження в тій же вакуумній камері, за допомогою електронно-променевої гармати діодного типу формують тонку плівку рутенію товщиною 20 нм, а на третьому етапі пластину зі сформованою тонкою плівкою рутенію розміщують у робочому об'ємі вакуумної установки D-356Asslar, що оснащена турбомолекулярним насосом, який забезпечує безмасляний вакуум високого ступеня, після чого підкладку з рутенієм відпалюють при температурі Тв=827 С протягом 15 хв. з наступним охолодженням, причому нагрівання і охолодження відбувається з постійною швидкістю 2-3 С/хв, в результаті на поверхні тонкої плівки рутенію формується шар графену.en_US
dc.identifier.citationПат. 144869 U Україна, C01B 32/184 (2017.01). Спосіб формування графену на поверхні тонкої плівки рутенію / І.В. Чешко, А.М. Логвинов, Д.М. Костюк та ін. (Україна); заявник та патентовласник Сумський держ. ун-т. - № u202003712; заявл. 19.06.2020; опубл. 26.10.2020, бюл. № 20.en_US
dc.identifier.sici0000-0002-1585-6712en
dc.identifier.urihttps://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/83048
dc.language.isouken_US
dc.publisherУкраїнський ін-т інтелектуальної власностіen_US
dc.rights.uricneen_US
dc.subjectрутенійen_US
dc.subjectрутенийen_US
dc.subjectrutheniumen_US
dc.subjectформування графенуen_US
dc.subjectформирования графенаen_US
dc.subjectgraphene formationen_US
dc.subjectтонка плівкаen_US
dc.subjectтонкая пленкаen_US
dc.subjectthin filmen_US
dc.titleСпосіб формування графену на поверхні тонкої плівки рутеніюen_US
dc.typePatenten_US

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
144869_Cheshko.pdf
Size:
294.86 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
3.96 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:

Collections