Фотоелектричний ефект в гетероперехідних структурах SnS/CdS та SnS/ZnxCd1-xS
No Thumbnail Available
Date
2017
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Львівський національний університет ім. І. Франка
Theses
Date of Defense
Scientific Director
Speciality
Date of Presentation
Abstract
В наш час обмеженість та вичерпність природніх ресурсів приводить до того, що
стрімко зростає інтерес до відновлювальних джерел енергії. Серед них найбільш
екологічно чистим та доступним являється енергія сонця. Уже декілька десятків років, як
людство навчилося перетворювати сонячну енергію за рахунок масивних
фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) на основі кремнію, арсеніду галію та деяких
інших матеріалів.
Keywords
гетероперехід, гетеропереход, heterojunction, тонкі плівки, тонкие пленки, thin films
Citation
Фотоелектричний ефект в гетероперехідних структурах SnS/CdS та SnS/ZnxCd1-xS / Ю.С. Єрьоменко, А.А. Возний, А.С. Опанасюк [та ін.] // IX Українсько-польська науково-практична конференція “Електроніка та інформаційні технології” (ЕЛІТ-2017), (Львів-Чинадієво, 28-31 серпня 2017 р.). - Львів: ЛНУ ім. І. Франка