Синтез та оптимізація властивостей напівпровідникових плівок Cu2ZnSn(Ge)SSe4, отриманих безвакуумними методами, для сонячних перетворювачів третього покоління
No Thumbnail Available
Date
2019
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Сумський державний університет
Technical report
Date of Defense
Scientific Director
Speciality
Date of Presentation
Abstract
Сонячні елементи на основі тонких плівок селеніду міді індію галію (CIGS) і телуриду кадмію (CdTe) свого часу стали більш дешевою альтернативою сонячним елементам на основі кремнію. Сучасні технології, що використовують в якості поглиначів CIGS та CdTe, досягли ефективності перетворювання сонячної енергії в лабораторних умовах 23,3% та 22,1% [1], відповідно, і вже перейшли в комерційне використання. Однак, незважаючи на значні успіхи, залучення токсичних металів Cd і рідкісних металів індію (In), галію (Ga) та телуру (Te) в композицію, є головною перешкодою для широкого використання цих технологій в майбутньому.
Keywords
електричні властивості, электрические свойства, electrical properties, механізми росту, механизмы роста, growth mechanisms, тонкі плівки, тонкие пленки, thin films, фазовий аналіз, фазовый анализ, phase analysis, хімічний склад, химический состав, chemical composition
Citation
Синтез та оптимізація властивостей напівпровідникових плівок Cu2ZnSn(Ge)SSe4, отриманих безвакуумними методами, для сонячних перетворювачів третього покоління [Текст] : Комплексний аналіз і оптимізація структурних, оптичних та електрофізичних властивостей плівок кестеритів групи I2-II-IV-VI4: звіт про НДР (проміжний) / кер. М. М. Іващенко. — Суми : СумДУ, 2019. — 51 с.